RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Евтихиев Вадим Павлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Strong coupling of exciton in organic material and plasmonic WGM localized on the surface of silver nanoparticles

    Письма в ЖЭТФ, 118:1 (2023),  14–15
  2. Enhancement of the basal-plane stacking fault emission in GaN planar nanowire microcavity

    Письма в ЖЭТФ, 115:10 (2022),  611–612
  3. Квантово-каскадный лазер с выводом излучения через текстурированный слой

    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1081–1085
  4. Поверхностно-излучающий квантово-каскадный лазер с кольцевым резонатором

    Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  602–606
  5. Модификация гребневых волноводов полупроводниковых лазеров фокусированным ионным пучком

    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  51–54
  6. Calculation of the Ga+ FIB ion dose distribution by SEM image

    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1390
  7. Сильная связь экситонов в микрорезонаторах GaN гексагональной формы

    Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  85–88
  8. Квантово-каскадные лазеры с распределенным брэгговским отражателем, сформированным методом ионно-лучевого травления

    Письма в ЖТФ, 46:7 (2020),  8–11
  9. GaN selective epitaxy in sub-micron windows with different depths formed by ion beam nanolithography

    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2333
  10. Изменение люминесцентных характеристик полупроводниковых гетероструктур при ионно-лучевом травлении

    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1579–1583
  11. Селективный эпитаксиальный рост III–N-структур с использованием ионной нанолитографии

    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1237–1243
  12. Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления

    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  816–818
  13. Жидкометаллический полевой источник электронов на основе пористого GaP

    ЖТФ, 87:9 (2017),  1416–1422
  14. Фотоэмиссия из квантовых точек InAs/GaAs, декорированных адатомами цезия

    Письма в ЖЭТФ, 96:5 (2012),  363–366
  15. Молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) GaAs и (Al,Ga)As на разориентированных подложках GaAs (100)

    Письма в ЖТФ, 18:11 (1992),  72–76
  16. Обнаружение нового метастабильного уровня $DX$-центра в тонких легированных Si слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As

    Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990),  1978–1982
  17. Особенности эффекта устойчивой фотопроводимости в селективно легированных двойных гетероструктурах GaAs/$n$-(Al, Ga)As

    Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  845–848
  18. Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2105–2110
  19. Эффективность люминесценции и скорость граничной рекомбинации в гетероструктурах в системах Al$-$Ga$-$As и In$-$Ga$-$As$-$P

    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  708–712
  20. Особенности температурной зависимости порогов в РО InGaAsP/InP ДГ лазерах (${\lambda=1.3}$ мкм) с тонкой активной областью

    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1496–1498
  21. Особенности пороговых характеристик РО InGaAsP/InP ДГ лазеров (${\lambda=1.3}$ мкм) с супертонкими активными областями

    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1420–1423
  22. Расчет пороговых токов для InGaAsP/InP и InGaAsP/GaAs ДГС лазеров с раздельным ограничением

    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  449–455
  23. Непрерывный $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО ДГ лазер с КПД $17\%$ ($\lambda=1.32$ мкм, $T=290$ K)

    Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1157–1162
  24. Инжекционные РО InGaAsP/InP ДГС лазеры с порогом $300\,\text{А/см}^{2}$ (четырехсколотые образцы, ${\lambda=1.25}$ мкм, ${T=300}$ K)

    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2057–2060
  25. Спонтанные и когерентные излучательные переходы в InGaAsP/InP ДГС с тонкой активной областью (${d_{\text{а}}=2\cdot10^{-5}\div2\cdot10^{-6}}$ см), полученные методом жидкостной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2041–2045
  26. Люминесцентные и пороговые характеристики InGaAsP/InP ДГС (${0.94<\lambda<1.51}$ мкм) при оптическом возбуждении

    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  102–108
  27. Форма краевой полосы в InGaAsP/InP ДГС (${\tau= 1.3}$ мкм) при низком и высоком уровне фотовозбуждения

    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1652–1655
  28. Сравнение краев поглощения в бинарных и многокомпонентных прямозонных соединениях A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ на основе системы InGaAsP

    Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1402–1405
  29. Фотолюминесцентные исследования перераспределения неравновесных носителей заряда в InGaAsP/InP с двумя активными областями

    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  714–717

© МИАН, 2024