RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Новиков С В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Представление $\beta$-функции и аномальных размерностей несингулярными интегралами: доказательство основного соотношения

    ТМФ, 175:3 (2013),  325–336
  2. Низкотемпературная подвижность 2МЭГ и качество гетерограницы в гетероструктурах InGaAs/InP, выращенных жидкофазной эпитаксией

    Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992),  1375–1382
  3. ЭЖЭ — рост объемных кристаллов и одновременное получение слоев на нескольких подложках

    ЖТФ, 61:3 (1991),  74–79
  4. Электрофизические параметры слоев GaAs, выращенных ЖФЭ из растворов$-$расплавов в галлии и висмуте при различных потоках водорода

    Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991),  1758–1764
  5. Комбинационное рассеяние в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных изовалентными примесями Bi и In: влияние дефектов и затухание плазмофонона

    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1472–1475
  6. Напряженные слои и сверхрешетки CaF$_{2}{-}$SrF$_{2}$ на кремнии и арсениде галлия

    Письма в ЖТФ, 17:21 (1991),  28–32
  7. Двойное легирование эпитаксиального GaAs изовалентной примесью — висмутом и акцепторной примесью — цинком

    Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2217–2219
  8. Инвертированная гетероструктура InP/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As для полевого транзистора

    Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1145–1147
  9. Изучение переходной области между эпитаксиальными слоями InP и In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As в гетероструктурах с 2МЭГ

    Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1026–1030
  10. Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных электронов в инвертированных гетероструктурах InP/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As

    Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  653–659
  11. К вопросу о составе и стехиометрии поверхности GaAs, получаемом в процессе жидкофазной эпитаксии при изовалентном легировании

    Письма в ЖТФ, 16:19 (1990),  59–61
  12. Структуры AlInAs/InGaAs с 2 МЭГ, полученные методом жидкофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 16:5 (1990),  50–53
  13. Молекулярно-лучевая эпитаксия и фотолюминесцентное определение упругих деформаций слоев CaF$_{2}$ и SrF$_{2}$ на GaAs (111)

    Физика твердого тела, 31:11 (1989),  214–219
  14. Фотолюминесцентное исследование упругих деформаций в эпитаксиальных слоях CaF$_{2}$/Si(111)

    Физика твердого тела, 31:2 (1989),  75–79
  15. Двойное изовалентное легирование арсенида галлия висмутом и индием

    ЖТФ, 59:8 (1989),  164–167
  16. Легирование слоев In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As самарием

    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1699–1701
  17. Струтуры с 2 МЭГ в системе InP/InGaAs, полученные методом ЖФЭ

    Письма в ЖТФ, 15:11 (1989),  73–77
  18. Получение гетероструктур с двумерным электронным газом методом стандартной жидкофазной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  1948–1954
  19. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава в твердом растворе InP$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${x\leqslant 0.07}$)

    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  342–344
  20. Особенности поверхности арсенида галлия, выращенного из висмутового раствора$-$расплава

    Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1794–1799
  21. Механизм «очистки» арсенида галлия висмутом

    Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2201–2209
  22. Влияние изовалентного легирования висмутом на концентрацию мелких акцепторов в арсениде галлия

    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  949–952
  23. Осцилляции интенсивности дифракции быстрых электронов на отражение при молекулярно-лучевой эпитаксии $Ca\,F_2/Si$ (111)

    Письма в ЖТФ, 13:23 (1987),  1442–1446
  24. Фотолюминесценция $Ga\,As$, легированного германием и висмутом

    Письма в ЖТФ, 13:20 (1987),  1264–1267
  25. Молекулярно-лучевая эпитаксия слоев $Ca\,F_2$ на $Si$ (III) и измерение их деформаций по спектрам примесной фотолюминесценции

    Письма в ЖТФ, 13:16 (1987),  961–966
  26. Твердые растворы в системе фосфид индия–антимонид индия

    Письма в ЖТФ, 13:3 (1987),  188–191
  27. Равновесная электрожидкостная эпитаксия $Ga\,As_{1-x}\,Sb_{x}/Ga\,Sb$

    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  230–233
  28. Электрожидкостная эпитаксия четырехкомпонентного твердого раствора $Ga\,As_{1-x-y}\,Sb_{x}\,P_{y}$

    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  224–226
  29. Электрожидкостная эпитаксия твердых растворов InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$

    ЖТФ, 54:11 (1984),  2233–2237
  30. Анализ распределения примеси при равновесной электрожидкостной эпитаксии

    ЖТФ, 54:10 (1984),  2011–2015
  31. К вопросу об управлении составом в методе электрожидкостной эпитаксии

    ЖТФ, 54:7 (1984),  1394–1399
  32. Электрожидкостная эпитаксия InAs

    Письма в ЖТФ, 9:16 (1983),  961–964
  33. Определение некоторых параметров раствора–расплава в электрожидкостной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 9:11 (1983),  662–666
  34. Электрожидкостная эпитаксия в системе (GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$)

    Письма в ЖТФ, 9:3 (1983),  155–158

© МИАН, 2024