RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Рогачев Александр Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Молекулярная структура и антифунгицидные свойства покрытий на основе клотримазола и полимеров, сформированных из активной газовой фазы

    ПФМТ, 2024, № 1(58),  50–56
  2. Синтез и сорбционные свойства покрытий на основе гидроксиэтилцеллюлозы, интеркалированных из газовой фазы антибактериальным соединением

    ПФМТ, 2023, № 4(57),  53–59
  3. Особенности деградации полимерных материалов при воздействии коротковолнового лазерного излучения

    ПФМТ, 2022, № 1(50),  49–54
  4. Особенности электронно-лучевого синтеза и электрофизические свойства гибридных покрытий на основе полианилина и оксида цинка

    ПФМТ, 2022, № 1(50),  37–43
  5. Радиационная стойкость легированных металлами кремнийорганических покрытий, осаждаемых из газовой фазы

    ПФМТ, 2021, № 2(47),  45–50
  6. Биоактивные многослойные покрытия, инициирующие рост костной ткани: структура и свойства

    ПФМТ, 2019, № 2(39),  28–35
  7. Молекулярная структура однослойных и бислойных покрытий, перспективных при их использовании в процессах остеосинтеза

    ПФМТ, 2019, № 2(39),  21–27
  8. Фазовый состав и структура многослойных наноразмерных металл-углеродных покрытий

    ПФМТ, 2018, № 2(35),  34–37
  9. Влияние технологических режимов формирования на структуру и свойства покрытий на основе полимеров, осаждаемых из активной газовой фазы (обзор). 2. Влияние условий и режимов процессов, протекающих на поверхности осаждения

    ПФМТ, 2016, № 4(29),  35–40
  10. Влияние технологических режимов формирования на структуру и свойства покрытий на основе полимеров, осаждаемых из активной газовой фазы (обзор). 1. Влияние условий и режимов генерации активной газовой фазы

    ПФМТ, 2016, № 2(27),  29–38
  11. Влияние ассистирующего лазерного излучения при электронно-лучевом диспергировании на молекулярную структуру формируемых нанокомпозиционных покрытий полиэтилен-серебро

    ПФМТ, 2013, № 1(14),  37–42
  12. Кинетические особенности диспергирования кремнийорганических соединений в вакууме и молекулярная структура покрытий, осажденных из летучих продуктов диспергирования

    ПФМТ, 2011, № 3(8),  32–38
  13. Молекулярная структура и морфология поверхностных слоев полиимидно-фторопластовой пленки, обработанной в плазме тлеющего разряда

    ПФМТ, 2011, № 1(6),  40–47
  14. Молекулярная структура и морфология покрытий полиэтилена, легированных при их формировании из газовой фазы низкомолекулярными соединениями

    ПФМТ, 2010, № 2(3),  10–20
  15. Молекулярная архитектура нанокомпозиционных покрытий на основе политетрафторэтилена и металлов, cформированных из активной газовой фазы

    ПФМТ, 2009, № 1(1),  21–26
  16. Кремниевый Оже-транзистор с туннельным МОП-эмиттером

    Письма в ЖТФ, 17:13 (1991),  44–48
  17. Магнитные свойства экситонов, связанных со слоем поверхностного заряда в кремнии

    Письма в ЖТФ, 15:4 (1989),  17–21
  18. Двумерная электронно-дырочная плазма на межфазной границе арсенид галлия$-$электролит

    Письма в ЖТФ, 14:23 (1988),  2183–2187
  19. Усиление фототока в изотипной структуре $n{-}n$ GaSb$-$GaInAsSb

    Письма в ЖТФ, 14:5 (1988),  389–393
  20. Диамагнетизм двумерной электронно-дырочной плазмы на поверхности германия

    Письма в ЖТФ, 13:18 (1987),  1113–1117
  21. Поляризация излучения в квантово-размерном лазере на одном гетеропереходе

    Письма в ЖТФ, 13:6 (1987),  332–337
  22. Генерация когерентного излучения в квантово-размерной структуре на одном гетеропереходе

    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2217–2221
  23. Фотолюминесценция сильно легированных кристаллов антимонида индия $n$-типа

    Письма в ЖТФ, 11:21 (1985),  1326–1330
  24. Циркулярный фотогальванический эффект в теллуре II.  Эксперимент

    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  648–654
  25. Циркулярный фотогальванический эффект в теллуре I.  Теория

    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  639–647
  26. Дифракция рентгеновских лучей на пластически деформированных эпитаксиальных гетероструктурах

    Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1297–1301


© МИАН, 2024