Зайцев С В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Математическая модель деятельности малого инновационного предприятия. Явление ‘скрытого’ банкротства
   
   Препринты ИПМ им. М. В. Келдыша, 2001, 082
2. Генерация пикосекундных (${\tau=1.7}$ пс) импульсов излучения в InGaAsP/InP (${\lambda=1.535}$ мкм) гетеролазере со сверхбыстрым насыщающимся поглотителем
   
   Письма в ЖТФ, 18:3 (1992),  38–41
3. Электростатическая модель шаровой молнии
   
   Письма в ЖТФ, 17:7 (1991),  34–37
4. Зависимость пороговой плотности тока и дифференциальной квантовой эффективности РО ДГС InGaAsP/InP ($\lambda=1.3$ мкм) лазеров от потерь на выход
   
   Письма в ЖТФ, 16:9 (1990),  50–54
5. Бистабильный режим генерации квантоворазмерных InGaAsP/InP-лазеров с внешним дисперсионным резонатором
   
   Письма в ЖТФ, 14:23 (1988),  2128–2132
6. Токовые перестроечные характеристики InGaAsP/InP-гетеролазеров с внешним дисперсионным резонатором
   
   Письма в ЖТФ, 14:23 (1988),  2116–2120
7. Мезаполосковые InGaAsP/InP ($\lambda=1.3$ мкм) квантоворазмерные лазеры раздельного ограничения ($J_{nop}=380\,\text{А/см}^{2}$, $P=0.5$ Вт, $T=18^{\circ}$C)
   
   Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  241–246
8. Зарощенные непрерывные InGaAsP/InP ($\lambda=1.3$ мкм) лазеры раздельного ограничения ($J=360\,\text{А/см}^{2}$, $P=360$ мВт, $T= 18^{\circ}$С)
   
   Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  99–104
9. Непрерывный $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ ($\lambda=1.3$ мкм) лазер раздельного ограничения с мощностью 270 мВт ($T=20^{\circ}$C, $I=900$ мА, внешнее диэлектрическое зеркало)
   
   Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  552–557
10. Мощные $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО лазеры для ВОЛС ($\lambda=1,55$ мкм; $T=300$ K; $P=50$ мВт)
    
    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  535–537
11. Непрерывные мезаполосковые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО ДГ лазеры с $\lambda=1.3$ мкм. Снижение порогов, повышение мощности
    
    Письма в ЖТФ, 12:11 (1986),  660–663
12. Исследование волноводных текстурированных пленок окиси цинка для планарных акустооптических устройств
    
    Письма в ЖТФ, 10:15 (1984),  922–925