Микаелян Геворк Татевосович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Однородное распределение люминесценции в активном элементе мощных квантронов с диодной накачкой
   
   Квантовая электроника, 53:9 (2023),  689–694
2. Структура аксиальных мод диодного лазера с внешним резонатором, содержащим объемную фазовую решетку
   
   Квантовая электроника, 53:7 (2023),  519–526
3. Мощный источник спектрально-узкополосного излучения на основе интегрированных лазерных диодов с внешним резонатором
   
   Квантовая электроника, 52:9 (2022),  789–793
4. Влияние толщины пассивирующего реактивного титанового слоя зеркальных граней на электрические характеристики диодных лазеров
   
   Квантовая электроника, 52:8 (2022),  728–730
5. Когерентное сложение оптических пучков диодных излучателей в системе задающий генератор – зигзагообразный усилитель мощности
   
   Квантовая электроника, 49:11 (2019),  1014–1018
6. Моделирование и экспериментальное изучение температурных профилей в непрерывных лазерных диодных линейках
   
   Квантовая электроника, 48:2 (2018),  115–118
7. Квазинепрерывные линейки лазерных диодов мощностью 300 Вт на длине волны 808 нм
   
   Квантовая электроника, 47:1 (2017),  5–6
8. Непрерывные мощные лазерные линейки спектрального диапазона 750 – 790 нм
   
   Квантовая электроника, 43:6 (2013),  509–511
9. Уширение и расщепление спектров излучения квантового каскадного лазера на основе GaInAs/AlInAs в квантующем магнитном поле
   
   Квантовая электроника, 43:2 (2013),  144–146
10. Лазер на парах цезия с диодной накачкой и прокачкой лазерной среды по замкнутому циклу
    
    Квантовая электроника, 42:2 (2012),  95–98
11. Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaPAs/GaAs с компенсацией механических напряжений
    
    Квантовая электроника, 42:1 (2012),  15–17
12. Квантовый каскадный лазер (λ ~ 8 мкм), получаемый методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Квантовая электроника, 40:2 (2010),  95–97
13. Одиночные лазерные диоды спектрального диапазона 808 нм с максимальной мощностью 25 Вт
    
    Квантовая электроника, 39:3 (2009),  241–243
14. Импульсно-периодический лазер на неодимовом фосфатном стекле с резонансной накачкой диодными матрицами
    
    Квантовая электроника, 38:9 (2008),  805–812
15. Нелинейно-оптические свойства гетерогенных жидких нанофазных композитов на основе широкозонных наночастиц Al₂O₃
    
    Квантовая электроника, 38:2 (2008),  154–158
16. Исследование линеек полупроводниковых лазеров с неустойчивыми резонаторами
    
    Квантовая электроника, 36:6 (2006),  517–519
17. Эффективность резонансной накачки и оптическое усиление в фосфатном Nd-стекле при возбуждении излучением диодных матриц
    
    Квантовая электроника, 36:4 (2006),  302–308
18. Анализ тепловых режимов мощных полупроводниковых лазеров и наборных решеток
    
    Квантовая электроника, 36:3 (2006),  222–227
19. Излучательные характеристики двумерных матриц инжекционных лазеров на основе AlGaAs/GaAs на длине волны 0.81 мкм для систем накачки твердотельных активных элементов
    
    Квантовая электроника, 23:11 (1996),  974–976
20. Оптическая пpочность зеpкальных гpаней в полупpоводниковом лазеpе на основе InGaAs/GaAs/GaAlAs в импульсном pежиме
    
    Квантовая электроника, 22:9 (1995),  895–896
21. Анализ мод, направляемых усилением, в активных полупроводниковых волноводах
    
    Квантовая электроника, 13:7 (1986),  1506–1514
22. Спектральные свойства излучения инжекционных гетеролазеров с серповидной активной областью
    
    Квантовая электроника, 13:6 (1986),  1255–1258
23. Аналог принципа Франка–Кондона для неоднородного по длине гетеролазера
    
    Квантовая электроника, 13:2 (1986),  302–309
24. Электрическая диагностика режимов усилителя-монитора на основе лазерного диода
    
    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1851–1853
25. Оптоэлектронное считывание с помощью инжекционного лазера
    
    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1825–1830
26. Влияние предварительных импульсов накачки на выходные характеристики полосковых гетеролазеров
    
    Квантовая электроника, 8:12 (1981),  2697–2699
27. Инжекционный $GaInPAs/InP$-гетеролазер с расходимостью излучения $6-7^\circ$, работающий на неволноводных модах
    
    Квантовая электроника, 7:11 (1980),  2487–2488
28. Инжекционный лазер с неустойчивым резонатором
    
    Квантовая электроника, 7:5 (1980),  1089–1092
29. Уменьшение расходимости излучения инжекционного лазера путем возбуждения неволноводных мод
    
    Квантовая электроника, 6:12 (1979),  2639–2641