Иванов Николай Георгиевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование спектрально-временных параметров сверхизлучения на ионах молекулярного азота в воздушном филаменте
   
   Квантовая электроника, 49:10 (2019),  947–950
2. Достижение пиковой мощности излучения 40 ТВт лазерной гибридной фемтосекундной системы видимого диапазона
   
   Квантовая электроника, 49:10 (2019),  901–904
3. Численное моделирование усиления частотно-модулированного излучения в газовом усилителе лазерной системы THL-100
   
   Квантовая электроника, 49:3 (2019),  205–209
4. Временная динамика свечения плазмы в воздухе при различных условиях фокусировки фемтосекундного импульса излучения
   
   Квантовая электроника, 48:9 (2018),  826–832
5. Численное исследование усиления пикосекундных импульсов в лазерной системе THL-100 при увеличении энергии накачки XeF(C – A)-усилителя
   
   Квантовая электроника, 48:3 (2018),  206–211
6. Формирование и усиление импульсов длительностью 50 пс в гибридной лазерной системе THL-100
   
   Квантовая электроника, 47:3 (2017),  184–187
7. Влияние характеристик входного импульса излучения на параметры XeF(C – A)-усилителя в лазерной системе THL-100
   
   Квантовая электроника, 46:11 (2016),  982–988
8. Гибридные фемтосекундные системы видимого диапазона на основе XeF(C–A)-усилителя: состояние и перспективы
   
   Квантовая электроника, 43:3 (2013),  190–200
9. Мультитераваттная фемтосекундная система гибридного типа на основе фотодиссоционного XeF(C — A)-усилителя видимого диапазона
   
   Квантовая электроника, 42:5 (2012),  377–378
10. Эффективные импульсно-периодические XeCl-лазеры
    
    Квантовая электроника, 41:8 (2011),  687–691
11. Широкоапертурная эксимерная лазерная система
    
    Квантовая электроника, 36:1 (2006),  33–38
12. Особенности формирования активной среды в короткоимпульсном электроразрядном XeCl-лазере
    
    Квантовая электроника, 35:9 (2005),  816–820
13. Электроразрядный XeCl-лазер с энергией генерации 10 Дж и длительностью импульса излучения 300 нс
    
    Квантовая электроника, 35:3 (2005),  237–240
14. Особенности вынужденного рассеяния излучения XeCl-лазера в гептане
    
    Квантовая электроника, 32:8 (2002),  717–721
15. Степень изменения диаграммы направленности излучения при его усилении в XeCl-лазерной системе
    
    Квантовая электроника, 30:4 (2000),  325–327
16. XeCl-лазерная система с выходной апертурой 25×25 см
    
    Квантовая электроника, 29:1 (1999),  14–18
17. XeCl-лазер с энергией генерации 200 Дж
    
    Квантовая электроника, 24:8 (1997),  688–690
18. Формирование минимальной расходимости излучения в XeCl-лазере с апертурой 12 × 16 см
    
    Квантовая электроника, 23:9 (1996),  811–814
19. Режим инжекционной синхронизации в мощном ХеCl-лазере
    
    Квантовая электроника, 19:2 (1992),  133–135
20. Использование вынужденного рассеяния для улучшения пространственных характеристик мощного ХеCl-лазера
    
    Квантовая электроника, 18:6 (1991),  693–694
21. Пространственно-временные характеристики излучения мощного ХеСl-лазера с неустойчивым телескопическим резонатором
    
    Квантовая электроника, 17:12 (1990),  1634–1636
22. Влияние состава смеси на характеристики мощного XeCl-лазера, возбуждаемого электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 17:3 (1990),  300–303
23. Исследование характеристик генерации XeCl-лазера, возбуждаемого электронным пучком микросекундной длительности
    
    Квантовая электроника, 14:5 (1987),  953–956
24. Возбуждение лазера на галогенидах благородных газов электронным пучком микросекундной длительности
    
    Квантовая электроника, 14:4 (1987),  664–669
25. XeCl-лазер, возбуждаемый микросекундным электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 10:7 (1983),  1510–1512


26. Поправка к статье: Особенности вынужденного рассеяния излучения XeCl-лазера в гептане
    
    Квантовая электроника, 32:9 (2002),  846