|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Генерация на ионах молекулярного азота с длиной волны 391.4 нм в лазерной плазме
Квантовая электроника, 53:7 (2023), 533–536
-
Генерация суперконтинуума и излучения на ионах молекулярного азота в лазерной плазме
Междунар. науч.-исслед. журн., 2022, № 7(121), 122–125
-
Shortening of the femtosecond pulse duration during second harmonic generation
Журн. СФУ. Сер. Матем. и физ., 15:6 (2022), 703–709
-
Simulation of broadening the second harmonic spectrum in KDP by chirp pulse pumping
Журн. СФУ. Сер. Матем. и физ., 14:2 (2021), 144–149
-
Исследование спектрально-временных параметров сверхизлучения на ионах молекулярного азота в воздушном филаменте
Квантовая электроника, 49:10 (2019), 947–950
-
Достижение пиковой мощности излучения 40 ТВт лазерной гибридной фемтосекундной системы видимого диапазона
Квантовая электроника, 49:10 (2019), 901–904
-
Численное моделирование усиления частотно-модулированного излучения в газовом усилителе лазерной системы THL-100
Квантовая электроника, 49:3 (2019), 205–209
-
Временная динамика свечения плазмы в воздухе при различных условиях фокусировки фемтосекундного импульса излучения
Квантовая электроника, 48:9 (2018), 826–832
-
Численное исследование усиления пикосекундных импульсов в лазерной системе THL-100 при увеличении энергии накачки XeF(C – A)-усилителя
Квантовая электроника, 48:3 (2018), 206–211
-
Оптические свойства кристалла LBO в терагерцевом диапазоне при охлаждении до температуры жидкого азота
Квантовая электроника, 48:1 (2018), 19–21
-
Формирование и усиление импульсов длительностью 50 пс в гибридной лазерной системе THL-100
Квантовая электроника, 47:3 (2017), 184–187
-
Влияние характеристик входного импульса излучения на параметры XeF(C – A)-усилителя в лазерной системе THL-100
Квантовая электроника, 46:11 (2016), 982–988
-
Гибридные фемтосекундные системы видимого диапазона на основе XeF(C–A)-усилителя: состояние и перспективы
Квантовая электроника, 43:3 (2013), 190–200
-
Мультитераваттная фемтосекундная система гибридного типа на основе фотодиссоционного XeF(C — A)-усилителя видимого диапазона
Квантовая электроника, 42:5 (2012), 377–378
-
Эффективные импульсно-периодические XeCl-лазеры
Квантовая электроника, 41:8 (2011), 687–691
-
Формирование наносекундных и субнаносекундных импульсов излучения XeCl-лазера с дифракционной расходимостью
Квантовая электроника, 38:4 (2008), 369–372
-
Широкоапертурная эксимерная лазерная система
Квантовая электроника, 36:1 (2006), 33–38
-
Особенности формирования активной среды в короткоимпульсном электроразрядном XeCl-лазере
Квантовая электроника, 35:9 (2005), 816–820
-
Электроразрядный XeCl-лазер с энергией генерации 10 Дж и длительностью импульса излучения 300 нс
Квантовая электроника, 35:3 (2005), 237–240
-
Особенности вынужденного рассеяния излучения XeCl-лазера в гептане
Квантовая электроника, 32:8 (2002), 717–721
-
Влияние неоднородностей активной среды на расходимость излучения длинноимпульсного электроразрядного XeCl-лазера
Квантовая электроника, 31:4 (2001), 293–297
-
Степень изменения диаграммы направленности излучения при его усилении в XeCl-лазерной системе
Квантовая электроника, 30:4 (2000), 325–327
-
XeCl-лазерная система с выходной апертурой 25×25 см
Квантовая электроника, 29:1 (1999), 14–18
-
Длительность стоксова сигнала при ВРМБ излучения XeCl-лазера
Квантовая электроника, 24:9 (1997), 812–814
-
XeCl-лазер с энергией генерации 200 Дж
Квантовая электроника, 24:8 (1997), 688–690
-
Формирование минимальной расходимости излучения в XeCl-лазере с апертурой 12 × 16 см
Квантовая электроника, 23:9 (1996), 811–814
-
Формирование качественного излучения XeCl-лазера в резонаторе с ВРМБ-зеркалом
Квантовая электроника, 22:5 (1995), 475–476
-
Особенности вынужденного рассеяния широкополосного излучения XeCl-лазера
Квантовая электроника, 22:5 (1995), 473–474
-
Компрессия импульса излучения XeCl-лазера за счет ВРМБ
Квантовая электроника, 21:1 (1994), 55–56
-
Экспериментальное исследование эффективности ОВФ пучка XeCl-лазера при ВРМБ
Квантовая электроника, 19:7 (1992), 688–690
-
Управление расходимостью излучения XeCl-лазера в режимах усиления
Квантовая электроника, 19:3 (1992), 219–221
-
Режим инжекционной синхронизации в мощном ХеCl-лазере
Квантовая электроника, 19:2 (1992), 133–135
-
Использование вынужденного рассеяния для улучшения пространственных характеристик мощного ХеCl-лазера
Квантовая электроника, 18:6 (1991), 693–694
-
Пространственно-временные характеристики излучения мощного ХеСl-лазера с неустойчивым телескопическим резонатором
Квантовая электроника, 17:12 (1990), 1634–1636
-
Влияние состава смеси на характеристики мощного XeCl-лазера, возбуждаемого электронным пучком
Квантовая электроника, 17:3 (1990), 300–303
-
Электроразрядный XeCl-лазер с энергией генерации 1 Дж и КПД 2,6 %
Квантовая электроника, 14:8 (1987), 1582–1584
-
Управление XeCl-лазером с помощью внешнего сигнала интенсивностью менее 2 Вт/см2
Квантовая электроника, 14:5 (1987), 957–958
-
Исследование характеристик генерации XeCl-лазера, возбуждаемого электронным пучком микросекундной длительности
Квантовая электроника, 14:5 (1987), 953–956
-
Возбуждение лазера на галогенидах благородных газов электронным пучком микросекундной длительности
Квантовая электроника, 14:4 (1987), 664–669
-
Характеристики генерации XeCl-лазера с рентгеновской предыонизацией в квазистационарном режиме возбуждения
Квантовая электроника, 12:10 (1985), 2174–2176
-
XeCl-лазер, возбуждаемый микросекундным электронным пучком
Квантовая электроника, 10:7 (1983), 1510–1512
-
CO2-лазер с энергией излучения 3 кДж, возбуждаемый в согласованном режиме
Квантовая электроника, 8:6 (1981), 1331–1334
-
Генерация в смеси $Ar-Xe$ при комбинированной накачке
Квантовая электроника, 7:3 (1980), 663–664
-
XeCl- и XeF-лазеры с комбинированной накачкой
Квантовая электроника, 6:10 (1979), 2103–2108
-
Генерация на молекуле XeCl* при возбуждении электронным пучком
Квантовая электроника, 6:7 (1979), 1561–1564
-
Повышение эффективности N2-лазера
Квантовая электроника, 2:9 (1975), 2047–2053
-
Характеристики мощного азотного лазера
Квантовая электроника, 1973, № 3(15), 103–105
-
Поправка к статье: Особенности вынужденного рассеяния излучения XeCl-лазера в гептане
Квантовая электроника, 32:9 (2002), 846
© , 2024