Андреев Андрей Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Мощные линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур (Al)GaAs/AlGaAs/GaAs и GaAsP/GaInP/GaAs
   
   Квантовая электроника, 53:8 (2023),  667–671
2. Полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 780 нм на гетероструктуре Al_xGa_{1– x}As/Al_yGa_{1– y}As, выращенной методом MOCVD, с оптической накачкой и накачкой электронным пучком
   
   Квантовая электроника, 52:4 (2022),  362–366
3. Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом
   
   Квантовая электроника, 52:2 (2022),  179–181
4. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров с неселективным заращиванием методом газофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  46–50
5. Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs ($\lambda$ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой
   
   Квантовая электроника, 51:10 (2021),  905–908
6. Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (λ = 1450–1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов
   
   Квантовая электроника, 51:4 (2021),  283–286
7. Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (λ = 1450 – 1500 нм) с сильно асимметричным волноводом
   
   Квантовая электроника, 51:2 (2021),  133–136
8. Влияние легирования волновода на выходные характеристики лазерных излучателей на основе AlGaAs/GaAs
   
   Квантовая электроника, 50:5 (2020),  489–492
9. Исследование поверхностно-излучающего полупроводникового лазера с внешним зеркалом на структуре InGaAs/AlGaAs при накачке электронным пучком
   
   Квантовая электроника, 49:10 (2019),  909–912
10. Линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с КПД до 70%
    
    Квантовая электроника, 47:4 (2017),  291–293
11. Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaAs/Al_0.45Ga_0.55As, полученный методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Квантовая электроника, 46:5 (2016),  447–450
12. Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs (λ = 808 нм) с повышенной температурной стабильностью
    
    Квантовая электроника, 43:10 (2013),  895–897
13. Мощные импульсные лазерные излучатели спектрального диапазона 850 – 870 нм на основе гетероструктур с узкими и широкими волноводами
    
    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  407–409


14. Квантово-каскадные лазеры для спектрального диапазона 8 мкм: технология, дизайн и анализ
    
    УФН, 194:1 (2024),  98–105