Яблонский Геннадий Петрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn$_{8}$S$_{12.5}$
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  669–672
2. Спонтанное и стимулированное излучение в тонких пленках твердых растворов Cu(In$_{1-x}$Ga$_{x}$)(S$_{y}$Se$_{1-y}$)$_{2}$ в составе солнечных элементов
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1058–1065
3. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов MnAgIn$_{7}$S$_{12}$
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1621–1624
4. Стабильный режим генерации лазерного излучения в микропорошках CdSSe
   
   Квантовая электроника, 49:6 (2019),  552–555
5. Стимулированное излучение эпитаксиальных слоев AlGaN, выращенных методом аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках сапфира
   
   Квантовая электроника, 49:6 (2019),  540–544
6. Люминесценция и стимулированное излучение поликристаллических пленок Cu(In,Ga)Se$_{2}$, осажденных методом магнетотронного напыления
   
   Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1120–1125
7. Лазер с оптической накачкой на квантовых точках Cd(Zn)Se/ZnSe и микрочип-конвертер для желто-зеленого диапазона спектра
   
   Квантовая электроника, 43:5 (2013),  418–422
8. Примесная люминесценция монокристаллов ZnS : O при высоких уровнях фото- и стримерного возбуждения
   
   Физика твердого тела, 34:11 (1992),  3530–3536
9. Генерация на кристаллах ИАГ:Nd³⁺ и KGdW:Nd³⁺ при накачке полупроводниковыми лазерами
   
   Квантовая электроника, 18:1 (1991),  20–21
10. Стримерное возбуждение генерации в высокочастотном режиме
    
    Квантовая электроника, 16:6 (1989),  1145–1148
11. Дефектообразование в кристаллах GdS и ZnSe под воздействием излучения азотного и эксимерного лазеров
    
    Физика твердого тела, 30:6 (1988),  1585–1593
12. Вынужденное излучение стримерных разрядов в монокристаллах ZnO при 300 К
    
    Квантовая электроника, 14:10 (1987),  1983–1985
13. Вынужденное излучение монокристаллов селенида цинка при стримерном возбуждении
    
    Квантовая электроника, 12:4 (1985),  724–728
14. Образование дефектов решетки в широкозонных полупроводниках A$_{2}$B$_{6}$ под воздействием излучения азотного лазера
    
    Физика твердого тела, 26:4 (1984),  995–1001
15. Влияние дислокаций на спектры люминесценции теллурида цинка
    
    Физика твердого тела, 26:3 (1984),  754–757
16. Лазерный отжиг дефектов решетки в монокристаллах ZnSe
    
    Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  918–920
17. Люминесценция и генерация света в монокристаллах ZnSe при одно- и двухфотонном возбуждении
    
    Квантовая электроника, 8:4 (1981),  898–901
18. Генерация света в монокристаллах ZnTe, ZnSe и CdS при возбуждении пикосекундными импульсами рубинового лазера
    
    Квантовая электроника, 6:10 (1979),  2229–2232