Асрян Левон Володяевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Рабочие характеристики полупроводниковых лазеров на квантовых ямах в зависимости от ширины волноводной области
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1229–1235
2. Паразитная рекомбинация в лазере с асимметричными барьерными слоями
   
   Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  296–303
3. Лазеры на квантовых точках с асимметричными барьерными слоями: близкие к идеальным пороговые и мощностные характеристики
   
   Квантовая электроника, 49:6 (2019),  522–528
4. Нарушение локальной электронейтральности в квантовой яме полупроводникового лазера с асимметричными барьерными слоями
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1518–1526
5. Рост внутренних оптических потерь с увеличением тока накачки и выходная мощность лазеров на квантовых ямах
   
   Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  998–1003
6. Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  263–268
7. Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний
   
   Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1380–1386
8. Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах
   
   Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  679–682
9. Пороговые характеристики полупроводникового лазера на квантовых ямах: учёт глобальной электронейтральности структуры
   
   Квантовая электроника, 46:9 (2016),  777–781
10. Расчет мощностных характеристик полупроводниковых лазеров с квантовыми ямами при одновременном учете электронов и дырок
    
    Квантовая электроника, 44:9 (2014),  801–805
11. Пороговые характеристики полупроводниковых лазеров при нарушении электронейтральности в квантовых ямах
    
    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  428–432
12. Спонтанная излучательная рекомбинация и безызлучательная оже-рекомбинация в квантоворазмерных гетероструктурах
    
    Квантовая электроника, 35:12 (2005),  1117–1120