Горлачук Павел Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Стимулированное излучение в диапазоне 1.3–1.5 мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на кремниевых подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1384–1389
2. Экспериментальные исследования мощных одномодовых лазеров с асимметричным волноводом с длиной волны излучения 1.5–1.6 мкм
   
   Квантовая электроника, 48:6 (2018),  495–501
3. Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaInAs/AlInAs с длиной волны излучения 5.6 мкм
   
   Квантовая электроника, 48:5 (2018),  472–475
4. Влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с длинами волн излучения 1500–1600 нм
   
   Квантовая электроника, 48:3 (2018),  197–200
5. Полупроводниковые AlGaInAs / InP-лазеры со сверхузкими волноводами
   
   Квантовая электроника, 47:3 (2017),  272–274
6. Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaAs/Al_0.45Ga_0.55As, полученный методом МОС-гидридной эпитаксии
   
   Квантовая электроника, 46:5 (2016),  447–450
7. Моделирование ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров с длиной волны излучения 1.5–1.55 мкм
   
   Квантовая электроника, 44:2 (2014),  149–156
8. Линейки импульсных лазерных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP
   
   Квантовая электроника, 43:9 (2013),  822–823
9. Мощные импульсные лазерные диоды спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм
   
   Квантовая электроника, 43:9 (2013),  819–821
10. Непрерывные мощные лазерные линейки спектрального диапазона 750 – 790 нм
    
    Квантовая электроника, 43:6 (2013),  509–511