|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Исследование полупроводникового дискового лазера, излучающего на длине волны 780 нм, на основе гетероструктуры с квантовыми ямами AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs при оптической накачке с различной длиной волны излучения
Квантовая электроника, 53:8 (2023), 636–640
-
Полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 780 нм на гетероструктуре AlxGa1– xAs/AlyGa1– yAs, выращенной методом MOCVD, с оптической накачкой и накачкой электронным пучком
Квантовая электроника, 52:4 (2022), 362–366
-
Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом
Квантовая электроника, 52:2 (2022), 179–181
-
Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров с неселективным заращиванием методом газофазной эпитаксии
Письма в ЖТФ, 47:24 (2021), 46–50
-
Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs ($\lambda$ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой
Квантовая электроника, 51:10 (2021), 905–908
-
Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (λ = 1450–1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов
Квантовая электроника, 51:4 (2021), 283–286
-
Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (λ = 1450 – 1500 нм) с сильно асимметричным волноводом
Квантовая электроника, 51:2 (2021), 133–136
-
Влияние легирования волновода на выходные характеристики лазерных излучателей на основе AlGaAs/GaAs
Квантовая электроника, 50:5 (2020), 489–492
-
Исследование поверхностно-излучающего полупроводникового лазера с внешним зеркалом на структуре InGaAs/AlGaAs при накачке электронным пучком
Квантовая электроника, 49:10 (2019), 909–912
-
Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs (λ = 808 нм) с повышенной температурной стабильностью
Квантовая электроника, 43:10 (2013), 895–897
-
Непрерывные мощные лазерные линейки спектрального диапазона 750 – 790 нм
Квантовая электроника, 43:6 (2013), 509–511
-
Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaPAs/GaAs с компенсацией механических напряжений
Квантовая электроника, 42:1 (2012), 15–17
-
Двухволновые лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур
Квантовая электроника, 40:8 (2010), 697–699
-
Линейки лазерных диодов с длиной волны излучения λ=808 нм на основе двойных эпитаксиально-интегрированых гетероструктур
Квантовая электроника, 40:8 (2010), 682–684
-
Квантово-каскадные лазеры для спектрального диапазона 8 мкм: технология, дизайн и анализ
УФН, 194:1 (2024), 98–105
© , 2024