Семенов Сергей Львович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Сужение спектра генерации в 7-сердцевинном волоконном лазере с массивом брэгговских решеток, записанных фемтосекундными импульсами
   
   Квантовая электроника, 53:10 (2023),  784–790
2. Прямая лазерная запись спиральной брэгговской решетки в кварцевом вихревом волоконном световоде
   
   Квантовая электроника, 52:11 (2022),  1001–1006
3. Чувствительный элемент датчика изгиба на многосердцевинном световоде с внутриволоконными интерферометрами Фабри–Перо
   
   Квантовая электроника, 51:12 (2021),  1096–1100
4. Полностью стеклянные одномодовые микроструктурированные волоконные световоды с сердцевиной большого диаметра и малыми изгибными потерями
   
   Квантовая электроника, 51:12 (2021),  1081–1089
5. Одночастотный эрбиевый лазер со случайной распределенной обратной связью на основе неупорядоченных структур, созданных фемтосекундным лазерным излучением
   
   Квантовая электроника, 51:12 (2021),  1051–1055
6. Микроструктурированные волоконные световоды с большим спектральным диапазоном одномодового режима
   
   Квантовая электроника, 51:3 (2021),  240–247
7. Волоконный ВКР-лазер на основе 7-сердцевинного световода с перекрёстной связью между сердцевинами
   
   Квантовая электроника, 50:12 (2020),  1088–1090
8. Интерферометр Фабри–Перо, сформированный в сердцевине композитного волоконного световода с высоким содержанием оксида фосфора
   
   Квантовая электроника, 49:12 (2019),  1140–1144
9. Фоточувствительность эрбиевых композитных фосфоросиликатных световодов к лазерному излучению с длиной волны 193 нм
   
   Квантовая электроника, 49:12 (2019),  1132–1136
10. Одночастотный волоконный лазер с резонатором, сформированным брэгговскими решетками, записанными в сердцевине активного композитного световода излучением KrF-лазера (248 нм)
    
    Квантовая электроника, 49:12 (2019),  1112–1116
11. Новый радиационный центр окраски в световодах из германосиликатного стекла
    
    Квантовая электроника, 48:12 (2018),  1143–1146
12. Композитные световоды с эрбий-иттербиевой фосфатной сердцевиной и двойной кварцевой оболочкой для компактных усилителей
    
    Квантовая электроника, 48:6 (2018),  550–553
13. Работы по волоконным световодам в России
    
    Квантовая электроника, 47:12 (2017),  1077
14. Многосердцевинное оптическое волокно и волоконно-оптическая линия задержки на его основе
    
    Квантовая электроника, 46:12 (2016),  1134–1138
15. Световоды с высокой концентрацией активных редкоземельных ионов с сердцевиной из фосфатного стекла и оболочкой из кварцевого стекла
    
    Квантовая электроника, 46:12 (2016),  1071–1076
16. Изготовление микроструктурированных волоконных световодов методом вытяжки из заготовок с запаянным верхним торцом
    
    Квантовая электроника, 46:11 (2016),  1031–1039
17. Влияние структуры и изгибов многосердцевинного волоконного световода на перекрестные оптические помехи
    
    Квантовая электроника, 46:3 (2016),  262–266
18. Новое поколение волоконных световодов
    
    Квантовая электроника, 46:1 (2016),  1–10
19. Волоконный усилитель на основе активного иттербиевого световода-конуса для получения ультракоротких оптических импульсов с мегаваттным уровнем пиковой мощности
    
    Квантовая электроника, 45:5 (2015),  443–450
20. Фазовая самомодуляция в тонком кварце в сходящемся пучке отрицательно чирпированного фемтосекундного излучения
    
    Квантовая электроника, 45:5 (2015),  415–420
21. Высокотемпературное полиимидное покрытие для волоконных световодов
    
    Квантовая электроника, 45:4 (2015),  330–332
22. Спектральные проявления висмутовых центров на разных стадиях процесса FCVD
    
    Квантовая электроника, 43:7 (2013),  656–665
23. Активированные висмутом Mg-Al-силикатные стекла и волоконные световоды на их основе
    
    Квантовая электроника, 42:9 (2012),  770–773
24. Оптические свойства волоконных световодов на основе плавленого кварца, легированного висмутом, в диапазоне температур 300 — 1500 К
    
    Квантовая электроника, 42:9 (2012),  762–769
25. Оптические свойства ИК активных центров волоконных световодов из кварцевого стекла, легированного свинцом
    
    Квантовая электроника, 42:4 (2012),  310–314
26. Свойства световодов с фотонной запрещенной зоной и сердцевиной из кварцевого стекла; критерий одномодовости
    
    Квантовая электроника, 42:2 (2012),  165–169
27. Микроструктурированные волоконные световоды с большим двулучепреломлением и малой асимметрией поля моды
    
    Квантовая электроника, 41:3 (2011),  243–248
28. Одномодовый волоконный световод с фотонной запрещенной зоной и сердцевиной из кварцевого стекла, легированного ионами иттербия
    
    Квантовая электроника, 40:12 (2010),  1137–1140
29. Оптические свойства висмутовых активных центров в волоконных световодах из плавленого кварца без дополнительных легирующих добавок
    
    Квантовая электроника, 40:7 (2010),  639–641
30. Фотоиндуцированное поглощение и наведение показателя преломления в фосфоросиликатных световодах под действием излучения c λ = 193 нм
    
    Квантовая электроника, 37:4 (2007),  388–392
31. Разработка и исследование брэгговских световодов с большим размером поля моды и малыми оптическими потерями
    
    Квантовая электроника, 36:7 (2006),  581–586
32. Исследование индикатрисы рассеяния излучения в световодах с высокой концентрацией оксида германия
    
    Квантовая электроника, 36:5 (2006),  464–469
33. Иттербиевый волоконный лазер на основе световода с сердцевиной из высококонцентрированного Yb³⁺-стекла
    
    Квантовая электроника, 36:3 (2006),  189–191
34. Фоточувствительность световодов с большой концентрацией GeO₂ под действием ближнего УФ излучения (300–350 нм)
    
    Квантовая электроника, 36:2 (2006),  145–148
35. Распределение излучения накачки в лазерных волоконных световодах с многоэлементной первой оболочкой
    
    Квантовая электроника, 35:11 (2005),  996–1002
36. Измерение дисперсии в волоконных световодах с микроструктурированной оболочкой
    
    Квантовая электроника, 35:9 (2005),  835–838
37. Четырехволновое смешение в двухслойных микроструктурированных световодах
    
    Квантовая электроника, 35:8 (2005),  715–719
38. Волоконные Yb-, Er–Yb- и Nd-лазеры на световодах с многоэлементной первой оболочкой
    
    Квантовая электроника, 35:4 (2005),  328–334
39. Оптические потери в одномодовых и многомодовых световодах с высокой концентрацией GeO₂ и P₂O₅
    
    Квантовая электроника, 34:3 (2004),  241–246
40. Фоточувствительность волоконных световодов, легированных различными примесями
    
    Квантовая электроника, 34:2 (2004),  175–179
41. Эффект катастрофического разрушения в микроструктурированном световоде
    
    Квантовая электроника, 34:1 (2004),  59–61
42. Исследование динамики преобразования точечных дефектов в фосфоросиликатных световодах по наведенному показателю преломления
    
    Квантовая электроника, 33:10 (2003),  919–925
43. Механизмы оптических потерь в световодах с высокой концентрацией оксида германия
    
    Квантовая электроника, 33:7 (2003),  633–638
44. Особенности проявления фоточувствительности в фосфоросиликатных световодах с малыми потерями
    
    Квантовая электроника, 32:2 (2002),  124–128
45. Одномодовый волоконный световод с дополнительным кольцевым световодом для двухканальной связи и специальных применений
    
    Квантовая электроника, 31:8 (2001),  733–739
46. Мощные волоконные ВКР-лазеры в диапазоне 1.22 — 1.34 мкм
    
    Квантовая электроника, 30:9 (2000),  791–793
47. Непрерывный высокоэффективный ВКР-лазер (λ = 1.24 мкм) на фосфосиликатном световоде
    
    Квантовая электроника, 29:2 (1999),  97–100
48. Инфракрасные поликристаллические световоды на основе галогенидов серебра
    
    Квантовая электроника, 13:3 (1986),  601–605
49. Лазерная обработка поверхности заготовки в процессе вытяжки кварцевых световодов
    
    Письма в ЖТФ, 11:8 (1985),  473–477
50. Методы оценки срока службы волоконных световодов
    
    Квантовая электроника, 11:11 (1984),  2370–2372
51. Влияние воды на прочность волоконных световодов
    
    Квантовая электроника, 11:7 (1984),  1467–1469


52. Памяти Вячеслава Васильевича Осико (28 марта 1932 г. – 15 ноября 2019 г.)
    
    Квантовая электроника, 50:1 (2020),  94
53. Памяти Евгения Михайловича Дианова
    
    Квантовая электроника, 49:3 (2019),  298
54. 8-й Российский семинар по волоконным лазерам
    
    Квантовая электроника, 48:12 (2018),  1083