RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Дракин Александр Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Однородное распределение люминесценции в активном элементе мощных квантронов с диодной накачкой

    Квантовая электроника, 53:9 (2023),  689–694
  2. Структура аксиальных мод диодного лазера с внешним резонатором, содержащим объемную фазовую решетку

    Квантовая электроника, 53:7 (2023),  519–526
  3. Оптический метод определения амплитуды СВЧ модуляции тока диодных лазеров с вертикальным резонатором

    Квантовая электроника, 52:10 (2022),  895–898
  4. Мощный источник спектрально-узкополосного излучения на основе интегрированных лазерных диодов с внешним резонатором

    Квантовая электроника, 52:9 (2022),  789–793
  5. Влияние толщины пассивирующего реактивного титанового слоя зеркальных граней на электрические характеристики диодных лазеров

    Квантовая электроника, 52:8 (2022),  728–730
  6. Когерентное сложение оптических пучков диодных излучателей в системе задающий генератор – зигзагообразный усилитель мощности

    Квантовая электроника, 49:11 (2019),  1014–1018
  7. Роль спонтанного излучения в формировании оптического спектра диодного лазера в режиме стационарной генерации

    Квантовая электроника, 49:8 (2019),  717–727
  8. He – Ar-смесь высокого давления, возбуждаемая электронным пучком, как потенциальная активная среда лазера с оптической накачкой

    Квантовая электроника, 48:12 (2018),  1174–1178
  9. Амплитудно-фазовая модуляция и спектр излучения диодного лазера с вертикальным резонатором

    Квантовая электроника, 47:9 (2017),  835–841
  10. Распределение усиления в объеме твердотельного активного элемента мощного лазера с диодной накачкой

    Квантовая электроника, 47:7 (2017),  620–626
  11. Флуктуации выходной мощности и фазы оптического пучка диодного усилителя, обусловленные собственным спонтанным излучением

    Квантовая электроника, 46:8 (2016),  699–702
  12. Спектр усиленного спонтанного излучения на выходе диодного усилителя, насыщенного входной монохроматической волной

    Квантовая электроника, 46:8 (2016),  693–698
  13. Экспериментальное исследование диодного усилителя модулированного пучка на основе AlGaAs/GaAs, работающего в режиме глубокого насыщения усиления

    Квантовая электроника, 44:11 (2014),  1005–1011
  14. Диодный усилитель мощности модулированного оптического пучка

    Квантовая электроника, 44:11 (2014),  997–1004
  15. Амплитудно-фазовая модуляция излучения в усилителе бегущей волны на основе лазерного диода

    Квантовая электроника, 43:8 (2013),  699–705
  16. Быстродействие оптического усилителя-модулятора на основе диодного лазера

    Квантовая электроника, 40:9 (2010),  782–788
  17. Катастрофическая оптическая деградация выходной грани мощных поперечно-одномодовых диодных лазеров. Ч. 2. Расчет пространственного распределения температуры и порога катастрофической оптической деградации

    Квантовая электроника, 40:7 (2010),  589–595
  18. Катастрофическая оптическая деградация выходной грани мощных поперечно-одномодовых диодных лазеров. Ч. 1. Физическая модель

    Квантовая электроника, 40:7 (2010),  583–588
  19. Излучательные характеристики гребнёвых лазеров при больших токах накачки

    Квантовая электроника, 38:11 (2008),  993–1000
  20. Оптимизация волноводных параметров лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с целью наибольшего увеличения ширины пучка в резонаторе и получения максимальной лазерной мощности

    Квантовая электроника, 38:10 (2008),  935–939
  21. Импульсно-периодический лазер на неодимовом фосфатном стекле с резонансной накачкой диодными матрицами

    Квантовая электроника, 38:9 (2008),  805–812
  22. Моды полупроводникового прямоугольного микрорезонатора

    Квантовая электроника, 38:1 (2008),  16–22
  23. Моделирование излучательных характеристик и оптимизация волноводных параметров гребнёвого полупроводникового гетеролазера для получения максимальной яркости излучения

    Квантовая электроника, 36:11 (2006),  1058–1064
  24. Автокорреляционная функция и спектр излучения поперечно-одномодовых гетеролазеров в режиме самоподдерживающихся пульсаций интенсивности

    Квантовая электроника, 36:8 (2006),  751–757
  25. Спектральные свойства резонатора полупроводникового α-DFB-лазера

    Квантовая электроника, 36:8 (2006),  745–750
  26. Эффективность резонансной накачки и оптическое усиление в фосфатном Nd-стекле при возбуждении излучением диодных матриц

    Квантовая электроника, 36:4 (2006),  302–308
  27. Качество оптического пучка мощного поперечно-одномодового AlGaAs-гетеролазера (λ=0.81 мкм) с гребнëвой конструкцией резонатора

    Квантовая электроника, 35:6 (2005),  515–519
  28. Моделирование материального усиления квантоворазмерных слоев InGaAs, используемых в гетеролазерах, работающих в спектральной области 1.06 мкм

    Квантовая электроника, 35:4 (2005),  316–322
  29. Мощные поперечно-одномодовые полупроводниковые лазеры с гребнёвой конструкцией оптического волновода

    Квантовая электроника, 32:12 (2002),  1099–1104
  30. Низкочастотные флуктуации интенсивности в мощных одномодовых гребнёвых полупроводниковых лазерах на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs

    Квантовая электроника, 32:9 (2002),  809–814
  31. Зависимость диаграммы направленности излучения квантоворазмерного гетеролазера, работающего на вытекающей моде, от тока накачки

    Квантовая электроника, 31:10 (2001),  847–852
  32. Оптические потери в напряженных квантоворазмерных полупроводниковых лазерах с гребневым волноводом

    Квантовая электроника, 30:10 (2000),  878–880
  33. Яркость и филаментация оптического потока мощных квантоворазмерных In0.2Ga0.8As/GaAs-лазеров, работающих в непрерывном режиме

    Квантовая электроника, 30:5 (2000),  401–405
  34. Экспериментальное исследование α-фактора в напряженных квантоворазмерных полупроводниковых лазерах на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs

    Квантовая электроника, 30:4 (2000),  315–320
  35. Экспериментальное определение фактора спонтанного излучения в моду полупроводникового лазера, работающего на вытекающей моде

    Квантовая электроника, 27:2 (1999),  131–133
  36. Диаграмма направленности излучения квантоворазмерных лазеров InGaAs/GaAs, работающих на «вытекающей» моде

    Квантовая электроника, 26:1 (1999),  33–36
  37. Эффективность и распределение интенсивности в полупроводниковом лазере, работающем на «вытекающей» моде

    Квантовая электроника, 26:1 (1999),  28–32
  38. Динамика оптического разрушения выходного зеркала гребневых полупроводниковых лазеров на основе напряженных квантоворазмерных гетероструктур

    Квантовая электроника, 25:7 (1998),  647–650
  39. Расчет постоянной распространения лазерной моды в многослойных квантоворазмерных гетероструктурах с помощью метода «набегающей» волны

    Квантовая электроника, 25:6 (1998),  488–492
  40. Самораспределение тока в лазерных диодах и возможность его использования для уменьшения оптической нелинейности активной среды

    Квантовая электроника, 23:4 (1996),  307–310
  41. Гистерезис мощности и волноводная бистабильность вполосковых квантово-размерных гетеролазерах на основе InGaAs/GaAs/GaAlAs с напряженным активным слоем

    Квантовая электроника, 22:4 (1995),  309–320
  42. Излучательные характеристики и диаграмма направленности квантоворазмерного инжекционного лазера в спектральной области 780 нм

    Квантовая электроника, 19:10 (1992),  1024–1031
  43. Низкопороговые инжекционные лазеры на 1,3 мкм зарощенного типа с двухканальным боковым ограничением, изготовленные на подложках n-InP

    Квантовая электроника, 16:3 (1989),  457–462
  44. Непрерывная генерация при комнатной температуре в инжекционных лазерах на гетероструктуре InGaSbAs/GaAlSbAs, работающих в спектральном диапазоне 2,2–2,4 мкм

    Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2171–2172
  45. Дефекты быстрой деградации на зеркальных гранях лазеров на основе InGaAsP/lnP в диапазоне 1,3 мкм

    Квантовая электроника, 14:1 (1987),  204–205
  46. Инжекционный лазер на InGaSbAs с длиной волны 2,4 мкм (300 K)

    Квантовая электроника, 13:10 (1986),  2119–2120
  47. Инжекционные лазеры на основе InGaSbAs с длиной волны 1,9–2,3 мкм, работающие при комнатной температуре

    Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1309–1311
  48. Низкопороговые инжекционные лазеры на основе зарощенных гетероструктур GaInPAs/InP (1.2$-$1.6 мкм)

    ЖТФ, 54:3 (1984),  551–557
  49. Инжекционные лазеры на основе InGaAs/InP с пороговой плотностью тока 0,5 кА/см2 при 300 K

    Квантовая электроника, 11:4 (1984),  645–646
  50. Инжекционные лазеры на основе InGaAsP/lnP с трехслойным волноводом

    Квантовая электроника, 11:3 (1984),  631–633
  51. Качественный анализ порогового тока в квантово-размерных полупроводниковых лазерах

    Квантовая электроника, 11:1 (1984),  178–181
  52. Непрерывные инжекционные лазеры в диапазоне 1,5–1,6 мкм

    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1749
  53. Свойства инжекционных гетеролазеров на основе AlGaAsSb/GaSb в диапазоне длин волн 1,4—1,8 мкм

    Квантовая электроника, 7:1 (1980),  91–96
  54. Высокоэффективные светодиоды на основе GalnPAs/lnP

    Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2488–2489

© МИАН, 2024