Селезнев В Н

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. О моделировании задач когерентной оптики скользящего падения
   
   Квантовая электроника, 42:2 (2012),  140–142
2. Исследование распределения ионов Cr$^{3+}$ в Li$_{0.5}$Fe$_{2.5-x}$Cr$_{x}$O$_{4}$ методом ЯМР
   
   Физика твердого тела, 33:6 (1991),  1884–1886
3. Температурная зависимость поверхностной анизотропии бората железа
   
   Физика твердого тела, 31:6 (1989),  273–275
4. Энергетический спектр локализованных состояний аморфных слоев SiN$_{x}$
   
   Письма в ЖТФ, 15:1 (1989),  84–86
5. Наблюдение доменной структуры на небазисных гранях кристаллов FeBO$_{3}$
   
   ЖТФ, 57:10 (1987),  2051–2053
6. Новая оптоэлектронная реверсивная запоминающая среда (обзор)
   
   Квантовая электроника, 14:3 (1987),  437–451
7. Новая реверсивная запоминающая оптоэлектронная среда
   
   Квантовая электроника, 14:1 (1987),  190–192
8. Фотолюминесценция аморфного нитрида кремния
   
   Письма в ЖТФ, 12:1 (1986),  10–13
9. Фотоиндуцированная одноосная анизотропия в FeBO$_{3}$ : Ni
   
   Физика твердого тела, 27:1 (1985),  289–291
10. О температурной зависимости энергии активации проводимости некристаллических полупроводников
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  156–158
11. Мёссбауэрографическое определение магнитной структуры кристалла Fe$_{3}$BO$_{6}$
    
    Физика твердого тела, 26:10 (1984),  3068–3072
12. Переходные процессы в МНОП структурах и их связь с нестабильностью электрических характеристик приборов
    
    ЖТФ, 53:6 (1983),  1089–1095
13. МДП-элемент памяти с оптическим управлением
    
    Квантовая электроника, 8:12 (1981),  2707–2710
14. Электронные процессы в структурах маталл – нитрид кремния – двуокись кремния – полупроводник (МНОП)
    
    УФН, 134:4 (1981),  747–748
15. Оптоэлектронное оперативное запоминающее устройство на основе МНОП-структуры и лазерной ЭЛТ
    
    Квантовая электроника, 7:7 (1980),  1585–1588
16. О возможности использования МДП-структур на основе гетероструктур GaP–GaAs для оптической обработки информации
    
    Квантовая электроника, 4:3 (1977),  678–681
17. Исследование разрешающей способности пленок EuO при записи голографической информации
    
    Квантовая электроника, 4:3 (1977),  669–672
18. Оптически управляемый элемент памяти на основе МНОП-структуры с подложкой из арсенида галлия
    
    Квантовая электроника, 3:9 (1976),  2078–2080
19. Голографическая запись информации на пленках EuO
    
    Квантовая электроника, 3:9 (1976),  2076–2078
20. Реверсивная запись оптической информации на структурах металл – диэлектрик – полупроводник
    
    Квантовая электроника, 2:9 (1975),  2013–2018
21. Фотоэлектрическое считывание информации, записанной на МНОП-структуре
    
    Квантовая электроника, 2:3 (1975),  508–512
22. Исследование разрешающей способности структур металл – нитрид – окисел – полупроводник при записи и считывании оптической информации
    
    Квантовая электроника, 1:10 (1974),  2291–2293
23. Перераспределение напряжения в структуре металл – нитрид кремния – окись кремния – кремний под действием света лазера
    
    Квантовая электроника, 1:8 (1974),  1885–1888
24. Материалы для реверсивной оптической памяти (обзор)
    
    Квантовая электроника, 1:7 (1974),  1485–1499


25. Международная конференция по интегральной и волноводной оптике (Инклайн Виллидж, Невада, США 28–30 января 1980 г.)
    
    Квантовая электроника, 8:1 (1981),  234–240