Заварцев Юрий Дмитриевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Коллапс и возрождение электронного спинового эха примесных ионов Yb$^{3+}$ на скрытых частотных гребенках сверхтонких взаимодействий в монокристалле Y$_2$SiO$_5$
   
   Письма в ЖЭТФ, 115:6 (2022),  394–400
2. Излучение молекулярного азота при бомбардировке электронами пиролитического аэрогеля SiO$_2$ и алюминия
   
   Письма в ЖЭТФ, 110:10 (2019),  652–657
3. ЭПР-спектроскопия примесных ионов тулия в монокристаллах ортосиликата иттрия
   
   Письма в ЖЭТФ, 108:3 (2018),  211–216
4. Лазерная генерация в кристалле Tm:Ho:Yb₃Al₅O₁₂ при накачке на переходе ³H₆ – ³F₄
   
   Квантовая электроника, 46:3 (2016),  189–192
5. Лазерная генерация в кристалле Tm:Yb₃Al₅O₁₂ при накачке излучением с длиной волны 1.678 мкм
   
   Квантовая электроника, 44:10 (2014),  895–898
6. Управление спектральными параметрами лазеров на кристаллах ванадатов
   
   Квантовая электроника, 44:1 (2014),  7–12
7. Исследование Tm:Sc₂SiO₅ лазера c накачкой на переходе ³H₆ – ³F₄ ионов Tm³⁺
   
   Квантовая электроника, 43:11 (2013),  989–993
8. Двухчастотные лазеры на кристаллах ванадатов сo взаимно параллельной и ортогональной поляризациями генерируемого излучения
   
   Квантовая электроника, 42:5 (2012),  420–426
9. Влияние структурного несовершенства кристаллов ванадатов иттрия, гадолиния и смешанных ванадатов редкоземельных элементов на генерационные характеристики лазеров с полупроводниковой накачкой
   
   Квантовая электроника, 42:3 (2012),  208–210
10. Лазеры на кристаллах ванадатов с σ-поляризацией генерируемого излучения
    
    Квантовая электроника, 41:7 (2011),  584–589
11. Tm:Sc₂SiO₅-лазер (λ = 1.98 мкм) с диодной накачкой
    
    Квантовая электроника, 41:5 (2011),  420–422
12. Двухчастотные лазеры с диодной накачкой на основе кристаллов ванадатов, вырезанных вдоль оси c
    
    Квантовая электроника, 39:9 (2009),  802–806
13. Теплопроводность лазерных кристаллов ванадатов
    
    Квантовая электроника, 38:3 (2008),  227–232
14. Новые возможности кристаллов ванадатов с неодимом как активных сред лазеров с диодной накачкой
    
    Квантовая электроника, 37:10 (2007),  938–940
15. Квазитрехуровневый Nd³⁺:Gd_0.7Y_0.3VO₄-лазер с диодной накачкой на длине волны 913 нм
    
    Квантовая электроника, 37:5 (2007),  440–442
16. Активная и пассивная синхронизация мод в Nd:Gd_0.7Y_0.3VO₄-лазере с диодной накачкой
    
    Квантовая электроника, 37:4 (2007),  315–318
17. Квазитрехуровневый Nd:GdVO₄-лазер на λ = 456 нм с диодной накачкой
    
    Квантовая электроника, 33:7 (2003),  651–654
18. Коротковолновый (λ = 914 нм) микролазер на кристалле YVO₄:Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 30:1 (2000),  13–14
19. Микрочип-лазер на основе кристалла GdVO₄:Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 27:1 (1999),  19–20
20. Теплопроводность кристалла GdVO₄:Tm³⁺и генерационные характеристики микрочип-лазера на его основе
    
    Квантовая электроника, 27:1 (1999),  16–18
21. Модуляция добротности в кристаллическом YSGG:Cr³⁺:Yb³⁺:Ho³⁺-лазере на переходе ⁵I₆ — ⁵I₇ (λ = 2.92 мкм)
    
    Квантовая электроника, 27:1 (1999),  13–15
22. GdVO₄:Tm³⁺ — новая эффективная среда для двухмикронных лазеров с диодной накачкой
    
    Квантовая электроника, 24:1 (1997),  15–16
23. Эффективный лазер трехмикронного диапазона на кристалле YSGG:Cr³⁺, Yb³⁺, Ho³⁺
    
    Квантовая электроника, 23:9 (1996),  791–792
24. Лазер на кристалле YSGG:Cr³⁺, Yb³⁺, Ho³⁺ с плавно перестраиваемой длиной волны излучения в диапазоне 2.84 — 3.05 мкм
    
    Квантовая электроника, 23:7 (1996),  579–580
25. Кристаллы YSGG:Cr³⁺, Yb³⁺, Ln³⁺ как активные среды твердотельных лазеров
    
    Квантовая электроника, 23:5 (1996),  433–437
26. GdVO₄ – новая среда для твердотельных лазеров: некоторые оптические и тепловые характеристики кристаллов, легированных ионами Nd³⁺, Tm³⁺, Er³⁺
    
    Квантовая электроника, 22:12 (1995),  1199–1202
27. Лазер на кристалле GdVO₄:Nd³⁺ с волоконным вводом диодной накачки
    
    Квантовая электроника, 22:8 (1995),  788–790
28. Каскадная генерация на ионах Но³⁺ в кристалле иттрий-скандий-галлиевого граната YSGG:Cr³⁺, Yb³⁺, Ho³⁺
    
    Квантовая электроника, 20:4 (1993),  366–370
29. Влияние фототропных центров на эффективность энергосъема в ИСГГ:Cr, Nd
    
    Квантовая электроника, 17:6 (1990),  723–724
30. Лазер на ИСГГ: Cr³⁺, Nd³⁺ с волноводным активным элементом
    
    Квантовая электроника, 16:1 (1989),  28–31
31. Автокомпенсация термооптических неоднородностей в импульсно-периодических твердотельных лазерах на основе оптически плотных активных сред
    
    Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2323–2328
32. Акустооптическая модуляция излучения ГСГГ-$\mathrm{Cr}$-$\mathrm{Nd}$-лазера, работающего при высоких энергиях накачки
    
    Докл. АН СССР, 296:2 (1987),  335–337
33. ИСГГ:Cr³⁺, Nd³⁺ – новая эффективная среда для импульсных твердотельных лазеров
    
    Квантовая электроника, 14:8 (1987),  1651–1652
34. О профиле концентрации примеси перед поверхностью растущего кристалла
    
    Докл. АН СССР, 289:4 (1986),  872–875