Загуменный Александр Иосифович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Излучение молекулярного азота при бомбардировке электронами пиролитического аэрогеля SiO$_2$ и алюминия
   
   Письма в ЖЭТФ, 110:10 (2019),  652–657
2. ЭПР-спектроскопия примесных ионов тулия в монокристаллах ортосиликата иттрия
   
   Письма в ЖЭТФ, 108:3 (2018),  211–216
3. Лазерная генерация в кристалле Tm:Ho:Yb₃Al₅O₁₂ при накачке на переходе ³H₆ – ³F₄
   
   Квантовая электроника, 46:3 (2016),  189–192
4. Лазерная генерация в кристалле Tm:Yb₃Al₅O₁₂ при накачке излучением с длиной волны 1.678 мкм
   
   Квантовая электроника, 44:10 (2014),  895–898
5. Управление спектральными параметрами лазеров на кристаллах ванадатов
   
   Квантовая электроника, 44:1 (2014),  7–12
6. Исследование Tm:Sc₂SiO₅ лазера c накачкой на переходе ³H₆ – ³F₄ ионов Tm³⁺
   
   Квантовая электроника, 43:11 (2013),  989–993
7. Двухчастотные лазеры на кристаллах ванадатов сo взаимно параллельной и ортогональной поляризациями генерируемого излучения
   
   Квантовая электроника, 42:5 (2012),  420–426
8. Влияние структурного несовершенства кристаллов ванадатов иттрия, гадолиния и смешанных ванадатов редкоземельных элементов на генерационные характеристики лазеров с полупроводниковой накачкой
   
   Квантовая электроника, 42:3 (2012),  208–210
9. Лазеры на кристаллах ванадатов с σ-поляризацией генерируемого излучения
   
   Квантовая электроника, 41:7 (2011),  584–589
10. Tm:Sc₂SiO₅-лазер (λ = 1.98 мкм) с диодной накачкой
    
    Квантовая электроника, 41:5 (2011),  420–422
11. Двухчастотные лазеры с диодной накачкой на основе кристаллов ванадатов, вырезанных вдоль оси c
    
    Квантовая электроника, 39:9 (2009),  802–806
12. Теплопроводность лазерных кристаллов ванадатов
    
    Квантовая электроника, 38:3 (2008),  227–232
13. Новые возможности кристаллов ванадатов с неодимом как активных сред лазеров с диодной накачкой
    
    Квантовая электроника, 37:10 (2007),  938–940
14. Квазитрехуровневый Nd³⁺:Gd_0.7Y_0.3VO₄-лазер с диодной накачкой на длине волны 913 нм
    
    Квантовая электроника, 37:5 (2007),  440–442
15. Активная и пассивная синхронизация мод в Nd:Gd_0.7Y_0.3VO₄-лазере с диодной накачкой
    
    Квантовая электроника, 37:4 (2007),  315–318
16. Квазитрехуровневый Nd:GdVO₄-лазер на λ = 456 нм с диодной накачкой
    
    Квантовая электроника, 33:7 (2003),  651–654
17. Коротковолновый (λ = 914 нм) микролазер на кристалле YVO₄:Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 30:1 (2000),  13–14
18. Микрочип-лазер на основе кристалла GdVO₄:Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 27:1 (1999),  19–20
19. Теплопроводность кристалла GdVO₄:Tm³⁺и генерационные характеристики микрочип-лазера на его основе
    
    Квантовая электроника, 27:1 (1999),  16–18
20. Модуляция добротности в кристаллическом YSGG:Cr³⁺:Yb³⁺:Ho³⁺-лазере на переходе ⁵I₆ — ⁵I₇ (λ = 2.92 мкм)
    
    Квантовая электроника, 27:1 (1999),  13–15
21. GdVO₄:Tm³⁺ — новая эффективная среда для двухмикронных лазеров с диодной накачкой
    
    Квантовая электроника, 24:1 (1997),  15–16
22. Эффективный лазер трехмикронного диапазона на кристалле YSGG:Cr³⁺, Yb³⁺, Ho³⁺
    
    Квантовая электроника, 23:9 (1996),  791–792
23. Лазер на кристалле YSGG:Cr³⁺, Yb³⁺, Ho³⁺ с плавно перестраиваемой длиной волны излучения в диапазоне 2.84 — 3.05 мкм
    
    Квантовая электроника, 23:7 (1996),  579–580
24. Кристаллы YSGG:Cr³⁺, Yb³⁺, Ln³⁺ как активные среды твердотельных лазеров
    
    Квантовая электроника, 23:5 (1996),  433–437
25. GdVO₄ – новая среда для твердотельных лазеров: некоторые оптические и тепловые характеристики кристаллов, легированных ионами Nd³⁺, Tm³⁺, Er³⁺
    
    Квантовая электроника, 22:12 (1995),  1199–1202
26. Лазер на кристалле GdVO₄:Nd³⁺ с волоконным вводом диодной накачки
    
    Квантовая электроника, 22:8 (1995),  788–790
27. Лазер на кристалле GdVO₄: Nd³⁺ с полупроводниковой накачкой
    
    Квантовая электроника, 20:12 (1993),  1152–1154
28. Теплопроводность соактивированных хромом гадолиний$-$скандий$-$алюминиевых гранатов
    
    Физика твердого тела, 34:3 (1992),  779–783
29. Кристаллы GdVO₄:Nd – новый материал для лазеров с диодной накачкой
    
    Квантовая электроника, 19:12 (1992),  1149–1150
30. Кристалл Yb₃Sc₂Ga₃O₁₂:Cr³⁺, Но³⁺ – перспективный материал для генерации по каскадной схеме на ионах Но³⁺
    
    Квантовая электроника, 19:9 (1992),  842–844
31. Влияние спектрального состава возбуждающего света на генерационные и спектрально-люминесцентные свойства кристаллов ИСГГ : Cr³⁺, Тm³⁺, Но³⁺ и ГСАГ:Сr³⁺, Тm³⁺, Но³⁺
    
    Квантовая электроника, 18:2 (1991),  166–169
32. Гольмиевый лазер (λ = 2,09 мкм) на кристалле ГСАГ:Cr³⁺–Tm³⁺–Ho³⁺, работающий при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 16:11 (1989),  2176–2179
33. Мощный лазер на гадолиний–скандий–алюминиевом гранате, активированном хромом и неодимом с автомодуляцией добротности
    
    Квантовая электроника, 16:3 (1989),  474–477
34. Сенсибилизация люминесценции ионов неодима ионами хрома в кристаллах гадолиний-скандий-алюминиевого граната
    
    Докл. АН СССР, 299:6 (1988),  1371–1373
35. Лазер на гадолиний-скандий-алюминиевом гранате с хромом и неодимом
    
    Квантовая электроника, 15:9 (1988),  1760–1761
36. Кристаллы иттрий-скандий-алюминиевого граната с хромом и неодимом как материал для активных сред твердотельных лазеров
    
    Докл. АН СССР, 295:5 (1987),  1098–1101