RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Салаев Эльдар Юнис оглы

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Резонансное усиление нелинейной фотолюминесценции в селениде галлия и в родственных соединениях

    Квантовая электроника, 42:5 (2012),  457–461
  2. Сконденсировавшаяся и несконденсировавшаяся электронно-дырочная плазма в твердых растворах $\mathrm{GaSe}_{1-x}\mathrm{S}_x$

    Докл. АН СССР, 298:4 (1988),  854–858
  3. InSe и GaSe — эффективные фоточувствительные материалы в широкой области спектра ($1{-}6$ эВ)

    Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1628–1630
  4. Деформационные явления в слоистых кристаллах

    УФН, 155:1 (1988),  89–127
  5. Спектроскопия кристаллов TiGaS$_{2}$

    Физика твердого тела, 29:5 (1987),  1436–1440
  6. Фотостимулированное поглощение в полуизолирующем GaAs$\langle$Cr$\rangle$

    Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1664–1668
  7. Влияние магнитного поля на фотолюминесценцию кристаллов $\mathrm{TlGaS}_2$

    Докл. АН СССР, 287:2 (1986),  334–337
  8. Спектры поглощения и отражения кристалла TlGaS$_{2}$

    Физика твердого тела, 28:7 (1986),  2201–2203
  9. Люминесценция и спектр краевого поглощения монокристалла TlGaSe$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1699–1701
  10. Температурная зависимость шума $1/f$ в InSb

    Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1549–1551
  11. Экситонные спектры монокристаллов TlGaSe$_{2}$ и их поведение при фазовых превращениях

    Физика твердого тела, 27:9 (1985),  2836–2839
  12. Динамика решетки CdGa$_{2}$S$_{4}$ и CdGa$_{2}$Se$_{4}$

    Физика твердого тела, 27:5 (1985),  1570–1572
  13. Процессы рекомбинации и прилипания фотоэлектронов в CdIn$_{2}$Se$_{4}$

    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1642–1646
  14. Влияние генерационно-рекомбинационных процессов на электрооптические свойства монокристалла ZnSe

    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1499–1501
  15. Люминесценция связанных экситонов в полупроводнике TlGaS$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  351–353
  16. Фотолюминесценция монокристалла TlGaS$_{2}$

    Физика твердого тела, 26:4 (1984),  1221–1223
  17. Спектры отражения монокристалла TiInS$_{2}$

    Физика твердого тела, 26:3 (1984),  846–848
  18. Влияние примесной фоточувствительности полуизолирующего GaAs(Cr) на спектральное распределение фотоэлектрооптического эффекта

    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1877–1879
  19. Влияние гидростатического давления на край фундаментального поглощения TlInS$_{2}$ и TlInS$_{1.8}$Se$_{0.2}$

    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1704–1706
  20. «Дефектная проводимость» в InSe

    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1492–1494
  21. Аномалия температурного поведения электронных спектров TlInS$_{2}$ вблизи края их фундаментального поглощения

    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1307–1309
  22. $1/f$-шум горячих носителей в InSb

    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1113–1115
  23. Межзонные переходы в ZnIn$_{2}$Se$_{4}$

    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1088–1090
  24. О влиянии флуктуации состава на фотоэлектрические свойства монокристаллов твердого раствора Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1085–1086
  25. Спектр отражения кристаллов TlInSe$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  519–521
  26. Спектры оптического поглощения и фотопроводимость эпитаксиальных пленок Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te$\langle\text{In}\rangle$

    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1864–1866
  27. Энергетический спектр $\beta$-CdIn$_{2}$Se$_{4}$

    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1169–1173
  28. Анизотропия электропроводности и эффекта Холла кристаллов TlSe под давлением

    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  203–207
  29. Исследование линейных и нелинейных оптических свойств кристаллов GaSxSe1–x

    Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1483–1485
  30. Рекомбинационное излучение в некоторых широкозонных полупроводниках под действием пучка быстрых электронов

    УФН, 99:3 (1969),  509
  31. Индуцированное излучение в монокристалле $\mathrm{GaSe}$ при возбуждении быстрыми электронами

    Докл. АН СССР, 161:5 (1965),  1059

© МИАН, 2024