Козловский Владимир Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Определение длины диффузии неравновесных носителей в гетероструктурах CdS/ZnSe/ZnSSe, предназначенных для полупроводниковых дисковых лазеров
   
   Квантовая электроника, 54:2 (2024),  89–94
2. Мощный импульсный полупроводниковый дисковый лазер на основе гетероструктуры InGaP/AlGaInP с накачкой в квантовые ямы
   
   Квантовая электроника, 53:12 (2023),  891–897
3. Фемтосекундный Cr²⁺:ZnSe-лазер с синхронизацией мод на основе углеродных нанотрубок
   
   Квантовая электроника, 53:11 (2023),  867–872
4. Исследование полупроводникового дискового лазера, излучающего на длине волны 780 нм, на основе гетероструктуры с квантовыми ямами Al_xGa_1-xAs/Al_yGa_1-yAs при оптической накачке с различной длиной волны излучения
   
   Квантовая электроника, 53:8 (2023),  636–640
5. Полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 780 нм на гетероструктуре Al_xGa_{1– x}As/Al_yGa_{1– y}As, выращенной методом MOCVD, с оптической накачкой и накачкой электронным пучком
   
   Квантовая электроника, 52:4 (2022),  362–366
6. Полупроводниковый лазер на основе гетероструктуры CdS/ZnSe с продольной оптической накачкой излучением лазерного диода
   
   Квантовая электроника, 52:4 (2022),  359–361
7. Наносекундный полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 496.5 нм
   
   Квантовая электроника, 50:10 (2020),  895–899
8. Полупроводниковый лазер с оптической накачкой на основе наноразмерной гетероструктуры CdS/ZnSe с разрывами зон второго типа
   
   Квантовая электроника, 50:7 (2020),  683–687
9. Исследование поверхностно-излучающего полупроводникового лазера с внешним зеркалом на структуре InGaAs/AlGaAs при накачке электронным пучком
   
   Квантовая электроника, 49:10 (2019),  909–912
10. Импульсно-периодический Fe : ZnSe-лазер с термоэлектрическим охлаждением
    
    Квантовая электроника, 49:7 (2019),  641–648
11. Парамагнитные комплексы в кристаллах селенида цинка с примесью железа
    
    Физика твердого тела, 60:7 (2018),  1365–1369
12. Наносекундный Fe : ZnSe-лазер, накачиваемый внутри резонатора Er : YLF-лазера с поперечной диодной накачкой и работающий при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 48:8 (2018),  686–690
13. Парамагнитные дефекты в кристаллах ZnSe, активированных ионами железа
    
    Физика твердого тела, 59:10 (2017),  1970–1977
14. Эффективная генерация Fe²⁺ : ZnSe-лазера при комнатной температуре с накачкой излучением Er : YAG-лазера с пассивной модуляцией добротности
    
    Квантовая электроника, 47:9 (2017),  831–834
15. Изолированные (квантовые) излучатели, сформированные с участием дефектов, в гетероструктуре ZnSe/ZnMgSSe
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:2 (2016),  108–113
16. Формирование и реконструкция наноостровков Se на поверхности тонких эпитаксиальных слоев ZnSe, выращенных на подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  700–705
17. Экситонное излучение тонких кристаллических пленок Zn(S)Se, размещенных в полости микрорезонаторов на основе аморфных диэлектрических покрытий
    
    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  9–16
18. Исследование формирования микрорельефа на поверхностях кристаллов ZnSe и CdSe при абляции излучением эксимерного KrF-лазера
    
    Квантовая электроника, 46:10 (2016),  903–910
19. Лазер на монокристалле ZnS : Fe²⁺, возбуждаемый при комнатной температуре электроразрядным HF-лазером
    
    Квантовая электроника, 46:9 (2016),  769–771
20. Исследование работы Fe:ZnSe-лазера в импульсном и импульсно-периодическом режимах
    
    Квантовая электроника, 45:1 (2015),  1–7
21. Внутрирезонаторная лазерная спектроскопия c использованием непрерывного Cr²⁺ : ZnSe-лазера с накачкой полупроводниковым дисковым лазером
    
    Квантовая электроника, 43:9 (2013),  885–889
22. Дисковый полупроводниковый лазер на гетероструктуре Zn(Cd)Se/ZnMgSSe с накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 42:7 (2012),  583–587
23. Наблюдение резонансов насыщенной дисперсии метана в двухмодовом Cr²⁺:ZnSe/CH₄-лазере
    
    Квантовая электроника, 42:7 (2012),  565–566
24. Перестраиваемый двухмодовый Cr²⁺:ZnSe-лазер со спектральной плотностью частотных шумов 0,03 Гц/Гц^½
    
    Квантовая электроника, 42:6 (2012),  509–513
25. Моделирование полупроводникового лазера на основе резонансной решетки квантовых ям с внешним зеркалом
    
    Квантовая электроника, 41:9 (2011),  769–775
26. Импульсный Fe²⁺:ZnS-лазер с плавной перестройкой длины волны в области 3.49 — 4.65 мкм
    
    Квантовая электроника, 41:1 (2011),  1–3
27. Непрерывный Cr²⁺:CdS-лазер
    
    Квантовая электроника, 40:1 (2010),  7–10
28. Моделирование полупроводникового лазера на основе наноразмерной гетероструктуры с продольной накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 39:11 (2009),  1028–1032
29. Лазер с внешним резонатором, работающий на длине волны 625 нм при оптической накачке наноструктуры InGaP/AlGaInP с брэгговским зеркалом
    
    Квантовая электроника, 39:8 (2009),  731–734
30. Fe²⁺:ZnSe-лазер, работающий в непрерывном режиме
    
    Квантовая электроника, 38:12 (2008),  1113–1116
31. Лазер на основе кристалла Cr²⁺:CdS, перестраиваемый в спектральной области 2.2 — 3.3 мкм
    
    Квантовая электроника, 38:9 (2008),  803–804
32. Эффективный импульсный Cr²⁺:CdSe-лазер с плавной перестройкой длины волны в спектральном диапазоне 2.26 — 3.61 мкм
    
    Квантовая электроника, 38:3 (2008),  205–208
33. Внутрирезонаторная лазерная спектроскопия с использованием Fe²⁺:ZnSe-лазера
    
    Квантовая электроника, 37:11 (2007),  1071–1075
34. Эффективная генерация Cr²⁺:CdSe-лазера в непрерывном режиме
    
    Квантовая электроника, 37:11 (2007),  991–992
35. Наноструктура на основе ZnSe/ZnMgSSe для лазерной электронно-лучевой трубки в синей области спектра
    
    Квантовая электроника, 37:9 (2007),  857–862
36. Лазерная электронно-лучевая трубка с монолитным лазерным экраном
    
    Квантовая электроника, 37:9 (2007),  853–856
37. Эффективная лазерная генерация кристалла Fe²⁺:ZnSe при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 36:4 (2006),  299–301
38. Пассивный затвор на основе монокристалла Fe²⁺:ZnSe для модуляции добротности лазеров трехмикронного диапазона
    
    Квантовая электроника, 36:1 (2006),  1–2
39. Лазерные характеристики кристалла Fe:ZnSe в диапазоне температур 85–255 K
    
    Квантовая электроника, 35:9 (2005),  809–812
40. Спектральная динамика внутрирезонаторного поглощения в импульсном Cr²⁺:ZnSe-лазере
    
    Квантовая электроника, 35:5 (2005),  425–428
41. Однородность излучения лазерной ЭЛТ на основе низкоразмерной структуры GaInP/AlGaInP с резонансно-периодическим усилением
    
    Квантовая электроника, 34:10 (2004),  919–923
42. Эффективный ИК лазер на кристалле ZnSe:Fe с плавной перестройкой в спектральном диапазоне 3.77–4.40 мкм
    
    Квантовая электроника, 34:10 (2004),  912–914
43. Внутрирезонаторная лазерная спектроскопия с использованием Cr²⁺:ZnSe-лазера
    
    Квантовая электроника, 34:2 (2004),  185–188
44. Эффективная лазерная генерация на кристалле Cr²⁺:ZnSe, выращенном из паровой фазы
    
    Квантовая электроника, 33:5 (2003),  408–410
45. Порог и КПД генерации в лазерной электронно-лучевой трубке, работающей при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 33:1 (2003),  48–56
46. Температурный режим работы лазерного экрана электронно-лучевой трубки
    
    Квантовая электроника, 32:4 (2002),  297–302
47. Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией
    
    Квантовая электроника, 25:4 (1998),  305–307
48. Лазерная электронно-лучевая трубка на основе сверхрешетки ZnCdSe/ZnSe, работающая при Т = 300 K
    
    Квантовая электроника, 22:8 (1995),  756–758
49. Гетероструктуры CdS_xSe_1–x/CdS в лазерах с продольной накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 14:10 (1987),  1994–1997
50. Высокоэффективный полупроводниковый лазер с продольной накачкой арсенида галлия сканирующим электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 14:1 (1987),  170–176
51. Насыщение катодолюминесценции, связанной с изоэлектронной примесью Te в CdS$_{1-x}$Te$_{x}$ и ZnS$_{1-x}$Te$_{x}$ (${x\leqslant 0.05}$) при высоких уровнях возбуждения
    
    Физика твердого тела, 28:11 (1986),  3313–3318
52. Люминесценция локализованных экситонов в твердом растворе ZnS$_{1-x}$Se$_{x}$
    
    Физика твердого тела, 27:9 (1985),  2756–2759
53. Кластеры Te$_{n}$-центры эффективной излучательной рекомбинации в ZnSe$_{1-x}$Te$_{x}$ (${x\leqslant0.2}$)
    
    Физика твердого тела, 27:6 (1985),  1734–1741
54. Монокристаллы твердых растворов ZnSe_1–xTe_x, Zn_1–xCd_xSe, Zn_xCd_1–xS для лазеров с накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 12:5 (1985),  1113–1116
55. Сканируемые и непрерывные лазеры на основе GaSb с продольной накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 12:4 (1985),  845–848
56. УФ полупроводниковый лазер на ZnS с продольной накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 11:3 (1984),  618–621
57. Использование точечного катода из LaB₆ в лазерной ЭЛТ
    
    Квантовая электроника, 10:8 (1983),  1699–1700
58. Исследование непрерывного режима генерации в лазере на основе GaAs с накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 9:11 (1982),  2211–2216
59. Улучшение характеристик полупроводниковых лазеров с продольной накачкой электронным пучком на основе монокристаллов ZnSe
    
    Квантовая электроника, 9:10 (1982),  2099–2102
60. Влияние электрон-фононного взаимодействия на процессы поглощения и индуцированного излучения в CdS
    
    Квантовая электроника, 9:4 (1982),  806–810
61. Влияние дислокаций на характеристики лазерных экранов из CdS
    
    Квантовая электроника, 8:4 (1981),  745–750
62. Оптоэлектронное оперативное запоминающее устройство на основе МНОП-структуры и лазерной ЭЛТ
    
    Квантовая электроника, 7:7 (1980),  1585–1588
63. Получение телевизионного изображения с помощью лазерной электронно-лучевой трубки в режиме сканирования вдоль строки
    
    Квантовая электроника, 2:7 (1975),  1587–1588
64. Получение телевизионного изображения на большом экране с помощью лазерной электроннолучевой трубки
    
    Квантовая электроника, 1:11 (1974),  2521–2523
65. Лазерный экран из объемных монокристаллов сульфида и селенида кадмия
    
    Квантовая электроника, 1:9 (1974),  2083–2085
66. Электроннолучевая трубка с лазерным экраном
    
    Квантовая электроника, 1:3 (1974),  534–541
67. Использование электроннолучевой трубки с полупроводниковым лазерным экраном для записи фазовых голограмм на фотопластических носителях
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  193–195
68. Запись голограмм электроннолучевой трубкой с лазерным экраном
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  158–159
69. Восстановление голографического изображения излучением полупроводникового лазерного экрана
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  84–90


70. Поправка к статье: Температурный режим работы лазерного экрана электронно-лучевой трубки
    
    Квантовая электроника, 32:6 (2002),  564
71. Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией («Квантовая электроника», 1998, т.25, №4, с. 305-307)
    
    Квантовая электроника, 25:6 (1998),  576