Коростелин Юрий Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние кристаллографической анизотропии на энергию стабилизации и вклад ян-теллеровской подсистемы в модули упругости легированных кристаллов
   
   Письма в ЖЭТФ, 119:1 (2024),  54–58
2. Фемтосекундный Cr²⁺:ZnSe-лазер с синхронизацией мод на основе углеродных нанотрубок
   
   Квантовая электроника, 53:11 (2023),  867–872
3. Ян-теллеровские центры Cr$^{2+}$ в кристалле CdSe
   
   Физика твердого тела, 62:11 (2020),  1866–1869
4. Импульсно-периодический Fe : ZnSe-лазер с термоэлектрическим охлаждением
   
   Квантовая электроника, 49:7 (2019),  641–648
5. Наносекундный Fe : ZnSe-лазер, накачиваемый внутри резонатора Er : YLF-лазера с поперечной диодной накачкой и работающий при комнатной температуре
   
   Квантовая электроника, 48:8 (2018),  686–690
6. Парамагнитные дефекты в кристаллах ZnSe, активированных ионами железа
   
   Физика твердого тела, 59:10 (2017),  1970–1977
7. Спектрально-генерационные характеристики мини-слэба N_m-cut 5% Tm : KLu(WO₄)₂ в режиме пассивной модуляции добротности кристаллом Cr²⁺ : ZnSe
   
   Квантовая электроника, 47:11 (2017),  981–985
8. Эффективная генерация Fe²⁺ : ZnSe-лазера при комнатной температуре с накачкой излучением Er : YAG-лазера с пассивной модуляцией добротности
   
   Квантовая электроника, 47:9 (2017),  831–834
9. Исследование формирования микрорельефа на поверхностях кристаллов ZnSe и CdSe при абляции излучением эксимерного KrF-лазера
   
   Квантовая электроника, 46:10 (2016),  903–910
10. Лазер на монокристалле ZnS : Fe²⁺, возбуждаемый при комнатной температуре электроразрядным HF-лазером
    
    Квантовая электроника, 46:9 (2016),  769–771
11. Лазер на ZnSe:Fe²⁺ с энергией излучения 1.2 Дж при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 46:1 (2016),  11–12
12. Исследование работы Fe:ZnSe-лазера в импульсном и импульсно-периодическом режимах
    
    Квантовая электроника, 45:1 (2015),  1–7
13. Внутрирезонаторная лазерная спектроскопия c использованием непрерывного Cr²⁺ : ZnSe-лазера с накачкой полупроводниковым дисковым лазером
    
    Квантовая электроника, 43:9 (2013),  885–889
14. Наблюдение резонансов насыщенной дисперсии метана в двухмодовом Cr²⁺:ZnSe/CH₄-лазере
    
    Квантовая электроника, 42:7 (2012),  565–566
15. Перестраиваемый двухмодовый Cr²⁺:ZnSe-лазер со спектральной плотностью частотных шумов 0,03 Гц/Гц^½
    
    Квантовая электроника, 42:6 (2012),  509–513
16. Импульсный Fe²⁺:ZnS-лазер с плавной перестройкой длины волны в области 3.49 — 4.65 мкм
    
    Квантовая электроника, 41:1 (2011),  1–3
17. Непрерывный Cr²⁺:CdS-лазер
    
    Квантовая электроника, 40:1 (2010),  7–10
18. Fe²⁺:ZnSe-лазер, работающий в непрерывном режиме
    
    Квантовая электроника, 38:12 (2008),  1113–1116
19. Лазер на основе кристалла Cr²⁺:CdS, перестраиваемый в спектральной области 2.2 — 3.3 мкм
    
    Квантовая электроника, 38:9 (2008),  803–804
20. Эффективный импульсный Cr²⁺:CdSe-лазер с плавной перестройкой длины волны в спектральном диапазоне 2.26 — 3.61 мкм
    
    Квантовая электроника, 38:3 (2008),  205–208
21. Внутрирезонаторная лазерная спектроскопия с использованием Fe²⁺:ZnSe-лазера
    
    Квантовая электроника, 37:11 (2007),  1071–1075
22. Эффективная генерация Cr²⁺:CdSe-лазера в непрерывном режиме
    
    Квантовая электроника, 37:11 (2007),  991–992
23. Эффективная лазерная генерация кристалла Fe²⁺:ZnSe при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 36:4 (2006),  299–301
24. Пассивный затвор на основе монокристалла Fe²⁺:ZnSe для модуляции добротности лазеров трехмикронного диапазона
    
    Квантовая электроника, 36:1 (2006),  1–2
25. Лазерные характеристики кристалла Fe:ZnSe в диапазоне температур 85–255 K
    
    Квантовая электроника, 35:9 (2005),  809–812
26. Спектральная динамика внутрирезонаторного поглощения в импульсном Cr²⁺:ZnSe-лазере
    
    Квантовая электроника, 35:5 (2005),  425–428
27. Эффективный ИК лазер на кристалле ZnSe:Fe с плавной перестройкой в спектральном диапазоне 3.77–4.40 мкм
    
    Квантовая электроника, 34:10 (2004),  912–914
28. Внутрирезонаторная лазерная спектроскопия с использованием Cr²⁺:ZnSe-лазера
    
    Квантовая электроника, 34:2 (2004),  185–188
29. Эффективная лазерная генерация на кристалле Cr²⁺:ZnSe, выращенном из паровой фазы
    
    Квантовая электроника, 33:5 (2003),  408–410
30. Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией
    
    Квантовая электроника, 25:4 (1998),  305–307
31. Экситонная пьезоспектроскопия твердых растворов полупроводников со структурным фазовым переходом сфалерит$-$вюрцит
    
    Физика твердого тела, 33:4 (1991),  1077–1085
32. Экситонные механизмы в излучательных процессах идеальных твердых растворов полупроводников (система Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$Se, ${0<x<1}$)
    
    Физика твердого тела, 31:10 (1989),  70–78
33. Стримерный лазер на сульфиде цинка
    
    Квантовая электроника, 15:9 (1988),  1764–1766
34. Насыщение катодолюминесценции, связанной с изоэлектронной примесью Te в CdS$_{1-x}$Te$_{x}$ и ZnS$_{1-x}$Te$_{x}$ (${x\leqslant 0.05}$) при высоких уровнях возбуждения
    
    Физика твердого тела, 28:11 (1986),  3313–3318
35. Люминесценция локализованных экситонов в твердом растворе ZnS$_{1-x}$Se$_{x}$
    
    Физика твердого тела, 27:9 (1985),  2756–2759
36. Кластеры Te$_{n}$-центры эффективной излучательной рекомбинации в ZnSe$_{1-x}$Te$_{x}$ (${x\leqslant0.2}$)
    
    Физика твердого тела, 27:6 (1985),  1734–1741
37. Монокристаллы твердых растворов ZnSe_1–xTe_x, Zn_1–xCd_xSe, Zn_xCd_1–xS для лазеров с накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 12:5 (1985),  1113–1116
38. УФ полупроводниковый лазер на ZnS с продольной накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 11:3 (1984),  618–621
39. Улучшение характеристик полупроводниковых лазеров с продольной накачкой электронным пучком на основе монокристаллов ZnSe
    
    Квантовая электроника, 9:10 (1982),  2099–2102


40. Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией («Квантовая электроника», 1998, т.25, №4, с. 305-307)
    
    Квантовая электроника, 25:6 (1998),  576