Аруев Павел Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Измерение электронной температуры плазмы фольговым рентгеновским спектрометром, установленным на токамаках ТУМАН-3М и Глобус-М2
   
   ЖТФ, 91:12 (2021),  1922–1929
2. Квантовый выход кремниевого лавинного фотодиода в диапазоне длин волн 120–170 nm
   
   ЖТФ, 90:8 (2020),  1386–1392
3. Детектор для регистрации электронов с энергией 5–30 keV в установке “Троицк ню-масс”
   
   ЖТФ, 90:4 (2020),  693–698
4. Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов
   
   Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  580–584
5. Квантовый выход кремниевого XUV-лавинного фотодиода в диапазоне длин волн 320–1100 nm
   
   Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  10–13
6. Характеристики кремниевого лавинного фотодиода для ближнего ИК-диапазона
   
   Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  40–42
7. Регистрация ультрафиолетового излучения широких атмосферных ливней: перспективы для черенковской гамма-астрономии
   
   ЖТФ, 88:11 (2018),  1655–1666
8. Черенковские гамма-телескопы: прошлое, настоящее, будущее. Проект ALEGRO
   
   ЖТФ, 87:6 (2017),  803–821
9. Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода
   
   Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2411–2414
10. Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе $p$-Si, облученного электронами
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  254–258
11. Влияние условий изготовления светодиодов на основе SiGe на их люминесцентные и электрофизические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  250–253
12. Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  241–244
13. Кремниевый фотодиод для экстремального ультрафиолетового диапазона спектра с селективным Zr/Si-покрытием
    
    Квантовая электроника, 42:10 (2012),  943–948