Бер Борис Яковлевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Возникновение зеленой окраски в кристаллах AlN, выращенных на затравках SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  513–517
2. Разработка и исследование туннельных $p$–$i$–$n$-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  285–291
3. Исследование влияния легирования на переходные слои анизотипных гетероструктур на основе GaInAsP и InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  22–24
4. Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1512–1518
5. Квантовый выход кремниевого XUV-лавинного фотодиода в диапазоне длин волн 320–1100 nm
   
   Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  10–13
6. Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине
   
   Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  22–25
7. Характеристики кремниевого лавинного фотодиода для ближнего ИК-диапазона
   
   Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  40–42
8. Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN
   
   Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  21–24
9. Рост наноструктур в системе Ga(In)AsP–GaAs в квазиравновесных условиях
   
   Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1244–1249
10. Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании $x$ от 0 до 0.7 в слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  233–237
11. Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  48–56
12. Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  17–24
13. Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  44–50
14. Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1696
15. Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1088–1090
16. Формирование $p$-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  699–703
17. Исследование переходных областей гетероструктур InAsPSb/InAs, полученных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 43:19 (2017),  78–86
18. Экспериментальное изучение циклического воздействия плазмы на вольфрам
    
    ЖТФ, 86:3 (2016),  51–57
19. Электрохимическое литирование кремния с разной кристаллографической ориентацией
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  979–986
20. Cолнечно-слепые Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$-фотодиоды с поляризационно-легированным $p$-эмиттером
    
    Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  57–63
21. Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN : С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода
    
    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  85–91
22. Кремниевый фотодиод для экстремального ультрафиолетового диапазона спектра с селективным Zr/Si-покрытием
    
    Квантовая электроника, 42:10 (2012),  943–948
23. Молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) GaAs и (Al,Ga)As на разориентированных подложках GaAs (100)
    
    Письма в ЖТФ, 18:11 (1992),  72–76
24. Лазерное формирование омических контактов к арсениду галлия $n$-типа
    
    Письма в ЖТФ, 17:20 (1991),  74–79
25. Анализ нестационарных явлений в объеме реактора в процессе выращивания Al$-$Ga$-$As структур с резкими гетеропереходами МОС гидридным методом
    
    ЖТФ, 56:2 (1986),  361–366
26. Образование переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $Ga\,As-Al\,As$ в процессе жидкостной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 12:6 (1986),  335–341
27. Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в легированные слои GaAs, выращенные методом МПЭ
    
    ЖТФ, 55:1 (1985),  142–147
28. Оже-профили состава и люминесцентные исследования жидкофазных InGaAsP-гетероструктур с активными областями ${(1.5\div5)\cdot10^{-6}}$  см
    
    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1108–1114
29. Собственная и примесная люминесценция в GaAs$-$AlGaAs-структурах с квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  715–721
30. Эпитаксия $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ из перемещаемого ограниченного объема жидкой фазы
    
    Письма в ЖТФ, 11:16 (1985),  961–968
31. Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в нелегированные эпитаксиальные слои GaAs, выращенные методом МПЭ
    
    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  270–274
32. Оже-профили состава резких гетеропереходов, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 9:12 (1983),  751–754