Суханов Владислав Ливерьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Кремниевый фотодиод для экстремального ультрафиолетового диапазона спектра с селективным Zr/Si-покрытием
   
   Квантовая электроника, 42:10 (2012),  943–948
2. Геттерирование в кремнии в условиях генерации вакансий
   
   Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1004–1007
3. Туннельные эффекты в двумерной кремниевой транзисторной структуре
   
   Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991),  1613–1617
4. Фрактально-диффузионные $p{-}n$-переходы в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  644–654
5. Туннельные эффекты в квантово-размерном кремниевом транзисторе
   
   Письма в ЖТФ, 17:2 (1991),  42–46
6. Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии $n$-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
   
   Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1563–1573
7. Генерация и отжиг дефектов при совмещенном генерировании в кремнии $n$-типа. I. Геттерирующие микродефекты
   
   Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1557–1562
8. Четный магнитный фотоэффект в структурах с $p{-}n$-переходом цилиндрической формы
   
   Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  485–487
9. Распределение радиационных дефектов и физическая природа «аномальных» спектров DLTS в кремниевых диодах, облученных $\alpha$-частицами
   
   Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  844–848
10. Критерий оптимальности просветления оптической системы воздух — SiO$_{x}$ — поликристаллический Si-монокристаллический Si в спектральной области 550$-$950 нм
    
    ЖТФ, 57:4 (1987),  823–826
11. Вклад рекомбинационных характеристик кремния в разрешающую способность детекторов короткопробежных частиц
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1883–1887
12. Перенос заряда в структурах кремниевых детекторов с встроенным полем
    
    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1394–1399
13. Исследование влияния окисла и поликристаллических слоев на время жизни носителей в монокристаллическом кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 13:17 (1987),  1025–1029
14. Возможности кремниевых барьеров Шоттки и планарных детекторов в спектрометрии низкоэнергетических протонов
    
    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  565–569
15. Разрешение сверхтонкой структуры $\alpha$-спектров кремниевыми планарными детекторами
    
    ЖТФ, 56:10 (1986),  1987–1989
16. О предельной разрешающей способности кремниевых детекторов короткопробежных частиц
    
    Письма в ЖТФ, 12:20 (1986),  1254–1258
17. Исследование влияния тонких пленок SiO$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant 2}$) на спектральные характеристики кремниевых $p{-}n$ переходов
    
    ЖТФ, 55:11 (1985),  2191–2195
18. Формирование областей неоднородной компенсации в процессе получения планарных кремниевых $p{-}n$ переходов
    
    ЖТФ, 55:10 (1985),  2064–2066
19. Фотоэлектрические характеристики системы $Si\,O_{x}$ ($1\leqslant x \leqslant 2$)-поликристаллический $Si-Ge$
    
    Письма в ЖТФ, 11:11 (1985),  675–679
20. Спектральные характеристики селективных фотопроемников для видимой и ультрафиолетовой областей спектра
    
    Письма в ЖТФ, 11:6 (1985),  354–358
21. Многофункциональный фотоприемник — мультискан
    
    ЖТФ, 53:10 (1983),  2015–2024
22. Исправление к статье « Исследование вольтамперных характеристик $p{-}n$-переходов поликристаллический кремний–монокристаллический кремний» (ФТП, т. 17, в. 9, стр. 1648–1651)
    
    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2232
23. Исследование вольтамперных характеристик $p{-}n$-переходов поликристаллический кремний–монокристаллический кремний
    
    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1648–1651