Чешев Евгений Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Спектральная зависимость фотоинактивации бычьего коронавируса излучением UV-A, UV-B и UV-C cветодиодов
   
   Квантовая электроника, 54:1 (2024),  63–66
2. Дисковый композитный керамический активный элемент с многопроходной и многоканальной накачкой
   
   Квантовая электроника, 53:12 (2023),  898–901
3. Изготовление и исследование генерационных характеристик монолитных керамических микрочип-лазеров Nd³⁺:YAG/Cr⁴⁺:YAG
   
   Квантовая электроника, 53:9 (2023),  684–688
4. Новый режим генерации диодного лазера: 200-пикосекундный фронт наносекундного импульса
   
   Квантовая электроника, 52:11 (2022),  1050–1053
5. Инактивация коронавирусов под действием излучения светодиодов UVA-диапазона
   
   Квантовая электроника, 52:1 (2022),  83–86
6. Синхронизация поперечных мод стоксовой компоненты излучения Nd : KGW-лазера c продольной диодной накачкой, работающего в режиме модуляции добротности
   
   Квантовая электроника, 51:7 (2021),  582–585
7. Двухволновая генерация в лазере с линзоподобным активным элементом Nd : YLF в режиме с модуляции добротности резонатора с паcсивным Cr⁴⁺ : YAG-затвором
   
   Квантовая электроника, 49:2 (2019),  95–97
8. Генерационные характеристики новых лазерных керамик отечественного производства
   
   Квантовая электроника, 48:9 (2018),  802–806
9. Моделирование и экспериментальное изучение температурных профилей в непрерывных лазерных диодных линейках
   
   Квантовая электроника, 48:2 (2018),  115–118
10. Квазинепрерывные линейки лазерных диодов мощностью 300 Вт на длине волны 808 нм
    
    Квантовая электроника, 47:1 (2017),  5–6
11. Особенности спектров генерации и тепловое сопротивление непрерывных лазерных диодов с длиной волны излучения 976 нм и мощностью до 15 Вт
    
    Квантовая электроника, 46:8 (2016),  679–681
12. Лазерные диоды на длине волны 980 нм с непрерывной мощностью 15 Вт на теплоотводящих элементах типа F-маунтов
    
    Квантовая электроника, 45:12 (2015),  1088–1090
13. Моделирование теплового режима мощных лазерных диодов, смонтированных с использованием сабмаунтов различного типа
    
    Квантовая электроника, 44:10 (2014),  899–902
14. Излучательные параметры и тепловой режим мощных одиночных лазерных диодов спектрального диапазона 980 нм
    
    Квантовая электроника, 44:2 (2014),  145–148
15. Повышение выходной мощности одиночных лазерных диодов спектральной области 808 нм при использовании алмазных теплоотводящих элементов, полученных методом осаждения из газовой фазы в СВЧ плазме
    
    Квантовая электроника, 42:11 (2012),  959–960
16. Симметрия пространственной структуры излучения при синхронизации поперечных мод в лазере с астигматическим резонатором
    
    Квантовая электроника, 39:8 (2009),  759–764
17. Одиночные лазерные диоды спектрального диапазона 808 нм с максимальной мощностью 25 Вт
    
    Квантовая электроника, 39:3 (2009),  241–243
18. Модификация структуры металлических пленок излучением твердотельного лазера с диодной накачкой для повышения выходных параметров мощных лазерных диодов
    
    Квантовая электроника, 37:11 (2007),  1055–1059
19. Высокоэффективный компактный Nd³⁺:YAG-лазер на длине волны 1.064 мкм, работающий в непрерывном и импульсном режимах, с диодной накачкой и модуляцией добротности акустооптическим затвором
    
    Квантовая электроника, 35:6 (2005),  507–510