|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Н. Г. Басов и ранние работы по полупроводниковым лазерам в ФИАНе
Квантовая электроника, 42:12 (2012), 1073–1080
-
Электрические свойства лазерных InAs/InGaAs-гетероструктур на основе квантовых точек InAs: пороговый эффект
Квантовая электроника, 39:6 (2009), 501–504
-
К расчету гирофактора в полупроводниковом кольцевом лазере
Квантовая электроника, 36:8 (2006), 738–740
-
Спектральные возмущения в полупроводниковом лазере. II. Нелинейное взаимодействие мод
Квантовая электроника, 35:9 (2005), 791–794
-
Спектральные возмущения в полупроводниковом лазере. I. Аномальное расщепление в спектре биений мод
Квантовая электроника, 35:9 (2005), 787–790
-
Электрооптические свойства излучающих в УФ диапазоне InGaN-гетероструктур с учетом проводимости, наведенной инжекцией
Квантовая электроника, 34:12 (2004), 1127–1132
-
Полупроводниковые лазеры – от гомопереходов до квантовых точек
Квантовая электроника, 32:12 (2002), 1085–1098
-
Вынужденное излучение GaAs:Er,O на длине волны 1538 нм
Квантовая электроника, 31:11 (2001), 962–964
-
Оптическое усиление в структурах c квантовыми точками на основе InAs/InGaAs. Эксперименты и теоретическая модель
Квантовая электроника, 30:8 (2000), 664–668
-
Анализ поглощения и усиления в униполярной полупроводниковой структуре с квантовыми точками
Квантовая электроника, 30:2 (2000), 152–157
-
Высокотемпературные свойства светодиодов на основе InGaN
Квантовая электроника, 25:11 (1998), 1013–1016
-
Излучение квантоворазмерных InGaAs-структур
Квантовая электроника, 25:3 (1998), 206–210
-
Полупроводниковые лазеры
Квантовая электроника, 24:12 (1997), 1067–1079
-
Спонтанное излучение квантоворазмерной гетероструктуры GaN/InGaN/AlGaN при большом токе накачки
Квантовая электроника, 23:12 (1996), 1069–1071
-
Самораспределение тока в лазерных диодах и возможность его использования для уменьшения оптической нелинейности активной среды
Квантовая электроника, 23:4 (1996), 307–310
-
Оптическая пpочность зеpкальных гpаней в полупpоводниковом лазеpе на основе InGaAs/GaAs/GaAlAs в импульсном pежиме
Квантовая электроника, 22:9 (1995), 895–896
-
Гистерезис мощности и волноводная бистабильность вполосковых квантово-размерных гетеролазерах на основе InGaAs/GaAs/GaAlAs с напряженным активным слоем
Квантовая электроника, 22:4 (1995), 309–320
-
Пороговый перепад дифференциального сопротивления в полосковых квантово-размерных лазерах на основе InGaAs/GaAlAs
Квантовая электроника, 22:2 (1995), 108–110
-
Спектральные исследования излучения напряженных квантово-размерных гетероструктур на основе InGaAs/GaAlAs
Квантовая электроника, 21:5 (1994), 405–408
-
Анализ электронного ограничения на полупроводниковой периодической структуре
Квантовая электроника, 20:9 (1993), 846–850
-
Теоретический анализ профилированной квантово-размерной лазерной структуры
Квантовая электроника, 20:1 (1993), 31–38
-
Излучательные характеристики и диаграмма направленности квантоворазмерного инжекционного лазера в спектральной области 780 нм
Квантовая электроника, 19:10 (1992), 1024–1031
-
О задачах по профилированным "квантовым" ямам и барьерам для оптоэлектронных применений
Квантовая электроника, 19:10 (1992), 1014–1017
-
Интерферометрическая модуляция в оптическом усилителе на основе InGaAsP/InP-гетероструктуры
Квантовая электроника, 19:7 (1992), 674–676
-
Излучательные характеристики заращенных мезаполосковых гетеролазеров на 1,5 мкм
Квантовая электроника, 17:9 (1990), 1147–1150
-
Инжекционный лазер с волноводной линзой
Квантовая электроника, 16:11 (1989), 2173–2176
-
Безызлучательные потери в гетероструктурах InGaAsP/InP
Квантовая электроника, 16:10 (1989), 2074–2077
-
Исследование поперечной структуры поля инжекционного лазера с помощью внешнего дисперсионного резонатора
Квантовая электроника, 16:9 (1989), 1765–1769
-
Одномодовый лазерный усилитель в диапазоне 1,3 мкм на основе зарощенной полосковой гетероструктуры
Квантовая электроника, 16:8 (1989), 1606–1608
-
Низкопороговые инжекционные лазеры на 1,3 мкм зарощенного типа с двухканальным боковым ограничением, изготовленные на подложках n-InP
Квантовая электроника, 16:3 (1989), 457–462
-
Лазерные диодные модули
Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2245–2246
-
Электрический отклик в InGaAsP/InP-гетеролазерах
Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2227–2230
-
Ширина линии отдельной продольной моды AlGaAs-гетеролазера
Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2223–2226
-
Инжекционные лазеры на основе системы AlGaAsSb для длины волны 1,6 мкм
Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2208–2209
-
Непрерывная генерация при комнатной температуре в инжекционных лазерах на гетероструктуре InGaSbAs/GaAlSbAs, работающих в спектральном диапазоне 2,2–2,4 мкм
Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2171–2172
-
Анализ оптического усиления при туннелировании электронов в квантоворазмерной полупроводниковой гетероструктуре
Квантовая электроника, 15:8 (1988), 1595–1601
-
Ширина и форма линии излучения непрерывного InGaAsP/lnP-лазера с зарощенной полосковой гетероструктурой
Квантовая электроника, 15:8 (1988), 1552–1554
-
Влияние температуры на диаграмму направленности InGaAsP-гетеролазеров
Квантовая электроника, 15:2 (1988), 253–258
-
Непрерывная генерация при 100$^{\circ}$C и высокотемпературные
испытания лазеров на основе InGaAsP/InP
ЖТФ, 57:8 (1987), 1570–1574
-
Низкопороговые инжекционные лазеры на основе InGaAsP/InP
Квантовая электроника, 14:11 (1987), 2201–2202
-
Исследование долговечности непрерывных инжекционных лазеров на основе GaAlAs/GaAs
Квантовая электроника, 14:4 (1987), 892–894
-
Фазирование генерации в линейках полосковых GaAlAs/GaAs-лазеров с использованием активных направленных ответвителей
Квантовая электроника, 14:4 (1987), 874–876
-
Дефекты быстрой деградации на зеркальных гранях лазеров на основе InGaAsP/lnP в диапазоне 1,3 мкм
Квантовая электроника, 14:1 (1987), 204–205
-
Флуктуации интенсивности одночастотного инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором
Квантовая электроника, 13:12 (1986), 2414–2423
-
Инжекционный лазер на InGaSbAs с длиной волны 2,4 мкм (300 K)
Квантовая электроника, 13:10 (1986), 2119–2120
-
Оптический усилитель бегущей волны на основе инжекционного лазерного диода
Квантовая электроника, 13:9 (1986), 1859–1867
-
Причины и распределение отказов в полупроводниковых лазерах (обзор)
Квантовая электроника, 13:9 (1986), 1749–1769
-
Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. II. Спектральные характеристики и обсуждение
Квантовая электроника, 13:8 (1986), 1610–1616
-
Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. I. Порог генерации, поляризация и ватт-амперная характеристика
Квантовая электроника, 13:8 (1986), 1603–1609
-
Излучательные и деградационные характеристики гетероструктур на основе InGaAsP/InP
Квантовая электроника, 13:7 (1986), 1376–1380
-
Изучение перфорации тонкопленочной фиксирующей среды остросфокусированным излучением GaAlAs/GaAs-лазера
Квантовая электроника, 13:6 (1986), 1261–1264
-
Полупроводниковые лазеры
УФН, 148:1 (1986), 35–53
-
Инжекционные лазеры на основе InGaSbAs с длиной волны 1,9–2,3 мкм, работающие при комнатной температуре
Квантовая электроника, 12:6 (1985), 1309–1311
-
Нелинейная рефракция в полупроводниковых лазерах (обзор)
Квантовая электроника, 12:3 (1985), 465–493
-
Непрерывная одночастотная генерация в инжекционном лазере на основе гетероструктуры террасной формы с внешним дисперсионным резонатором
Квантовая электроника, 12:1 (1985), 162–164
-
Низкопороговые инжекционные лазеры на основе зарощенных
гетероструктур
GaInPAs/InP (1.2$-$1.6 мкм)
ЖТФ, 54:3 (1984), 551–557
-
Снижение порогового тока гетеролазеров на основе InGaAsP/InP при действии одностороннего сжатия
Квантовая электроника, 11:8 (1984), 1665–1667
-
Инжекционные лазеры на основе InGaAs/InP с пороговой плотностью тока 0,5 кА/см2 при 300 K
Квантовая электроника, 11:4 (1984), 645–646
-
Инжекционные лазеры на основе InGaAsP/lnP с трехслойным волноводом
Квантовая электроника, 11:3 (1984), 631–633
-
Спектрально-согласованная модуляция излучения инжекционного лазера в усилителе бегущей волны с частотой до 2 ГГц
Квантовая электроника, 11:2 (1984), 231–232
-
Качественный анализ порогового тока в квантово-размерных полупроводниковых лазерах
Квантовая электроника, 11:1 (1984), 178–181
-
Ускоренная оценка долговечности инжекционных лазеров и передающих модулей
Квантовая электроника, 10:10 (1983), 2118–2120
-
Взаимодействие мод и автостабилизация одночастотной генерации в инжекционных лазерах
Квантовая электроника, 10:9 (1983), 1851–1865
-
Вынужденное рассеяние излучения на волнах населенности возбужденного состояния
Квантовая электроника, 10:4 (1983), 865–867
-
Ввод в волоконные световоды излучения заращенных мезаполосковых инжекционных лазеров, работающих
в диапазоне 1,2–1,6 мкм
Квантовая электроника, 10:3 (1983), 633–635
-
Анализ факторов, влияющих на пороговый ток генерации в инжекционном гетеролазере на
основе Pb1–xSnxSe
Квантовая электроника, 9:11 (1982), 2140–2150
-
О температурной зависимости излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе GaInPAs/InP
Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1902–1904
-
Электрическая диагностика режимов усилителя-монитора на основе лазерного диода
Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1851–1853
-
Оптоэлектронное считывание с помощью инжекционного лазера
Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1825–1830
-
Непрерывные инжекционные лазеры в диапазоне 1,5–1,6 мкм
Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1749
-
Перестраиваемая непрерывная генерация в диапазоне 1,3 мкм в гетеролазере на основе GalnPAs/lnP с внешним дисперсионным резонатором
Квантовая электроника, 9:7 (1982), 1504–1506
-
О модовом составе излучения мезаполосковыx GalnPAs/InP гетеролазеров, зарощенных InP или GalnPAs
Квантовая электроника, 8:9 (1981), 1994–1996
-
Ресурсные характеристики гетероструктур GalnPAs/InP
Квантовая электроника, 8:9 (1981), 1985–1987
-
Радиочастотные спектры биений мод и пульсации интенсивности инжекционного лазера с внешним
дисперсионным резонатором
Квантовая электроника, 8:9 (1981), 1957–1961
-
Излучательные характеристики инжекционного лазера с зигзагообразной мезаполосковой гетероструктурой
на основе AlGaAs/GaAs
Квантовая электроника, 8:7 (1981), 1565–1567
-
Бистабильный режим и спектральная перестройка в инжекционном лазере с внешним дисперсионным
резонатором
Квантовая электроника, 8:4 (1981), 853–859
-
К теории стимулированного скольжения дислокаций в лазерных полупроводниковых кристаллах в условиях интенсивной накачки
Квантовая электроника, 8:1 (1981), 206–209
-
Характеристики канального инжекционного гетеролазера
Квантовая электроника, 8:1 (1981), 193–196
-
Оптическое гетеродинирование излучения инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором
Квантовая электроника, 7:12 (1980), 2642–2644
-
Инжекционный гетеролазер мезаполосковой конструкции с теплоотводом через подложку
Квантовая электроника, 7:11 (1980), 2504–2506
-
Инжекционный $GaInPAs/InP$-гетеролазер с расходимостью излучения $6-7^\circ$, работающий на неволноводных модах
Квантовая электроника, 7:11 (1980), 2487–2488
-
Быстродействующий фотодиод на основе поверхностно-барьерной структуры $Au-nn^+-GaAs$
Квантовая электроника, 7:10 (1980), 2218–2221
-
Уширение спектральных мод полупроводникового лазера в режиме пульсаций интенсивности излучения
Квантовая электроника, 7:10 (1980), 2197–2201
-
Гетеролазеры $GaInPAs/InP$ на основе зарощенной мезаполосковой структуры, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре на длине волны 1,24-1,28 мкм
Квантовая электроника, 7:9 (1980), 1990–1992
-
Применение инжекционных гетеролазеров в волоконно-оптических системах связи (обзор)
Квантовая электроника, 7:9 (1980), 1845–1868
-
Свойства планарных полосковых гетеролазеров. II. Анализ электрических характеристик
Квантовая электроника, 7:8 (1980), 1670–1676
-
Свойства планарных полосковых гетеролазеров. I. Нелинейные и разрывные ватт-амперные характеристики
Квантовая электроника, 7:8 (1980), 1664–1669
-
Применение диэлектрической модели Эпштейна к описанию мод планарных полосковых гетеролазеров
Квантовая электроника, 7:7 (1980), 1407–1416
-
Инжекционный лазер с неустойчивым резонатором
Квантовая электроника, 7:5 (1980), 1089–1092
-
О ступенчатой форме импульсов излучения инжекционных лазеров на основе двойной гетероструктуры GaAs-AlGaAs с полосковой формой контакта
Квантовая электроника, 7:1 (1980), 123–127
-
Свойства инжекционных гетеролазеров на основе AlGaAsSb/GaSb в диапазоне длин волн 1,4—1,8 мкм
Квантовая электроника, 7:1 (1980), 91–96
-
Уменьшение расходимости излучения инжекционного лазера путем возбуждения неволноводных мод
Квантовая электроника, 6:12 (1979), 2639–2641
-
Диодные имитаторы излучения твердотельных лазеров
Квантовая электроника, 6:12 (1979), 2617–2618
-
Интерпретация эффекта частотной автомодуляции излучения полупроводникового лазера
Квантовая электроника, 6:10 (1979), 2243–2245
-
Непрерывный одночастотный инжекционный гетеролазер с перестройкой частоты с помощью внешнего дисперсионного резонатора
Квантовая электроника, 6:6 (1979), 1264–1270
-
К теории резонансного дефектообразующего захвата электронов в лазерных кристаллах
Квантовая электроника, 6:5 (1979), 1057–1061
-
Гистерезис выходной мощности излучения непрерывных гетеролазеров на основе AlCaAs
Квантовая электроника, 5:11 (1978), 2493–2495
-
Высокоэффективные светодиоды на основе GalnPAs/lnP
Квантовая электроника, 5:11 (1978), 2488–2489
-
Аномальная динамика генерации в полупроводниковом лазере с несимметричной волноводной структурой. II. Теория
Квантовая электроника, 5:11 (1978), 2408–2415
-
Аномальная динамика генерации в полупроводниковых лазерах с несимметричной волноводной структурой. I. Экспериментальное исследование с помощью внешнего резонатора
Квантовая электроника, 5:11 (1978), 2402–2407
-
Влияние режима работы инжекционного лазера на эффективность ввода его излучения в волоконный световод
Квантовая электроника, 5:9 (1978), 2038–2041
-
Инжекционный гетеролазер на основе четырехкомпонентного твердого раствора InGaAsSb
Квантовая электроника, 5:3 (1978), 703–704
-
Деформация мод в инжекционном лазере из-за самофокусировки и ее связь с нелинейностью
выходной характеристики
Квантовая электроника, 5:3 (1978), 603–608
-
О механизме смещения атомов в лазерных кристаллах под действием безызлучательной рекомбинации
Квантовая электроника, 5:1 (1978), 203–206
-
Характеристики гетеролазеров видимого диапазона на основе n-GaPx As1–x–pGa1–yAlyPxAs1–x
Квантовая электроника, 4:8 (1977), 1821–1823
-
Многокомпонентные твердые растворы соединений AIVBVI
Квантовая электроника, 4:4 (1977), 904–907
-
Излучательные характеристики инжекционного лазера с внешним резонатором
Квантовая электроника, 3:8 (1976), 1819–1821
-
О влиянии избыточных носителей тока на диэлектрическую проницаемость GaAs на частоте излучательных переходов в инжекционных лазерах
Квантовая электроника, 3:7 (1976), 1609–1611
-
Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах (обзор)
Квантовая электроника, 3:7 (1976), 1381–1393
-
Исследование инжекционных гетеролазеров видимого диапазона на основе AlxGa1–xAs
Квантовая электроника, 3:5 (1976), 1080–1084
-
Люминесценция и лазерный эффект в Gaxln1–xAsySb1–y
Квантовая электроника, 3:4 (1976), 932–934
-
Новый неохлаждаемый инжекционный гетеролазер в диапазоне 1,5–1,8 мкм
Квантовая электроника, 3:2 (1976), 465–466
-
Применение градиентных световодов в полупроводниковых лазерах
Квантовая электроника, 2:4 (1975), 848–850
-
О роли механических напряжений в постепенной деградации светоизлучающих диодов и инжекционных
лазеров
Квантовая электроника, 2:1 (1975), 127–129
-
Гетеролазеры на основе твердых растворов GaxIn1–xAsyP1–y и AlxGa1–xSbyAs1–y
Квантовая электроника, 1:10 (1974), 2294–2295
-
Аномальное взаимодействие спектральных типов колебаний в полупроводниковом лазере
Квантовая электроника, 1:10 (1974), 2286–2288
-
Исследование пикосекундной структуры и режима ультракоротких импульсов излучения инжекционных
лазеров интерферометрическим методом
Квантовая электроника, 1:9 (1974), 1988–1993
-
О деградации инжекционных лазеров в процессе работы и под действием быстрых частиц
Квантовая электроника, 1:5 (1974), 1271–1273
-
Инжекционный лазер с дифракционной решеткой в резонаторе
Квантовая электроника, 1:5 (1974), 1145–1149
-
Исследование закономерностей многомодового возбуждения в инжекционных лазерах
Квантовая электроника, 1:5 (1974), 1138–1144
-
Управление поляризацией излучения гетеролазера с помощью одностороннего сжатия
Квантовая электроника, 1:1 (1974), 196–197
-
Влияние СВЧ-модуляции на спектр излучения инжекционного лазера
Квантовая электроника, 1:1 (1974), 151–154
-
Внутренняя модуляция добротности в инжекционных лазерах с односторонним гетеропереходом
Квантовая электроника, 1973, № 5(17), 116–117
-
О кинетике спектра излучения инжекционного лазера и явлениях срыва одномодовой генерации
Квантовая электроника, 1973, № 5(17), 14–20
-
Одномодовые и одночастотные инжекционные лазеры (обзор)
Квантовая электроника, 1973, № 3(15), 5–26
-
Инжекционные лазеры на гетеропереходах (обзор)
Квантовая электроника, 1972, № 6(12), 3–28
-
О статистическом распределении отказов инжекционных лазеров
Квантовая электроника, 1972, № 3(9), 107
-
Эмпирическая оценка срока службы инжекционных лазеров по кратковременным испытаниям
Квантовая электроника, 1972, № 3(9), 105–106
-
Сравнение мгновенного и усредненного спектров излучения инжекционного лазера в режиме самопроизвольных пульсаций
Квантовая электроника, 1971, № 5, 93–95
-
Об оптимальной толщине активного слоя в гетеролазере
Квантовая электроника, 1971, № 3, 120–121
-
Методы селекции типов колебаний в инжекционных ПКГ
Квантовая электроника, 1971, № 1, 85–90
-
Лазерная инженерия
УФН, 160:2 (1990), 338–339
-
Краткий обзор материалов конференции
Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2175–2177
-
Вторая международная школа полупроводниковой оптоэлектроники «Цетнево-1978»
Квантовая электроника, 5:11 (1978), 2503–2506
-
II совещание по проблеме передачи информации по волоконным световодам (Уиллиамсбург, США, 22–24 февраля 1977 г.)
Квантовая электроника, 4:9 (1977), 2059–2065
-
Международная осенняя школа полупроводниковой оптоэлектроники «ЦЕТНЕВО-1975»
Квантовая электроника, 3:3 (1976), 672–674
-
Физические процессы в гетеропереходах. Первая Всесоюзная конференция Кишинев. (30 октября – 1 ноября 1974 г.)
Квантовая электроника, 2:3 (1975), 623–627
© , 2025