Елисеев Петр Георгиевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Н. Г. Басов и ранние работы по полупроводниковым лазерам в ФИАНе
   
   Квантовая электроника, 42:12 (2012),  1073–1080
2. Электрические свойства лазерных InAs/InGaAs-гетероструктур на основе квантовых точек InAs: пороговый эффект
   
   Квантовая электроника, 39:6 (2009),  501–504
3. К расчету гирофактора в полупроводниковом кольцевом лазере
   
   Квантовая электроника, 36:8 (2006),  738–740
4. Спектральные возмущения в полупроводниковом лазере. II. Нелинейное взаимодействие мод
   
   Квантовая электроника, 35:9 (2005),  791–794
5. Спектральные возмущения в полупроводниковом лазере. I. Аномальное расщепление в спектре биений мод
   
   Квантовая электроника, 35:9 (2005),  787–790
6. Электрооптические свойства излучающих в УФ диапазоне InGaN-гетероструктур с учетом проводимости, наведенной инжекцией
   
   Квантовая электроника, 34:12 (2004),  1127–1132
7. Полупроводниковые лазеры – от гомопереходов до квантовых точек
   
   Квантовая электроника, 32:12 (2002),  1085–1098
8. Вынужденное излучение GaAs:Er,O на длине волны 1538 нм
   
   Квантовая электроника, 31:11 (2001),  962–964
9. Оптическое усиление в структурах c квантовыми точками на основе InAs/InGaAs. Эксперименты и теоретическая модель
   
   Квантовая электроника, 30:8 (2000),  664–668
10. Анализ поглощения и усиления в униполярной полупроводниковой структуре с квантовыми точками
    
    Квантовая электроника, 30:2 (2000),  152–157
11. Высокотемпературные свойства светодиодов на основе InGaN
    
    Квантовая электроника, 25:11 (1998),  1013–1016
12. Излучение квантоворазмерных InGaAs-структур
    
    Квантовая электроника, 25:3 (1998),  206–210
13. Полупроводниковые лазеры
    
    Квантовая электроника, 24:12 (1997),  1067–1079
14. Спонтанное излучение квантоворазмерной гетероструктуры GaN/InGaN/AlGaN при большом токе накачки
    
    Квантовая электроника, 23:12 (1996),  1069–1071
15. Самораспределение тока в лазерных диодах и возможность его использования для уменьшения оптической нелинейности активной среды
    
    Квантовая электроника, 23:4 (1996),  307–310
16. Оптическая пpочность зеpкальных гpаней в полупpоводниковом лазеpе на основе InGaAs/GaAs/GaAlAs в импульсном pежиме
    
    Квантовая электроника, 22:9 (1995),  895–896
17. Гистерезис мощности и волноводная бистабильность вполосковых квантово-размерных гетеролазерах на основе InGaAs/GaAs/GaAlAs с напряженным активным слоем
    
    Квантовая электроника, 22:4 (1995),  309–320
18. Пороговый перепад дифференциального сопротивления в полосковых квантово-размерных лазерах на основе InGaAs/GaAlAs
    
    Квантовая электроника, 22:2 (1995),  108–110
19. Спектральные исследования излучения напряженных квантово-размерных гетероструктур на основе InGaAs/GaAlAs
    
    Квантовая электроника, 21:5 (1994),  405–408
20. Анализ электронного ограничения на полупроводниковой периодической структуре
    
    Квантовая электроника, 20:9 (1993),  846–850
21. Теоретический анализ профилированной квантово-размерной лазерной структуры
    
    Квантовая электроника, 20:1 (1993),  31–38
22. Излучательные характеристики и диаграмма направленности квантоворазмерного инжекционного лазера в спектральной области 780 нм
    
    Квантовая электроника, 19:10 (1992),  1024–1031
23. О задачах по профилированным "квантовым" ямам и барьерам для оптоэлектронных применений
    
    Квантовая электроника, 19:10 (1992),  1014–1017
24. Интерферометрическая модуляция в оптическом усилителе на основе InGaAsP/InP-гетероструктуры
    
    Квантовая электроника, 19:7 (1992),  674–676
25. Излучательные характеристики заращенных мезаполосковых гетеролазеров на 1,5 мкм
    
    Квантовая электроника, 17:9 (1990),  1147–1150
26. Инжекционный лазер с волноводной линзой
    
    Квантовая электроника, 16:11 (1989),  2173–2176
27. Безызлучательные потери в гетероструктурах InGaAsP/InP
    
    Квантовая электроника, 16:10 (1989),  2074–2077
28. Исследование поперечной структуры поля инжекционного лазера с помощью внешнего дисперсионного резонатора
    
    Квантовая электроника, 16:9 (1989),  1765–1769
29. Одномодовый лазерный усилитель в диапазоне 1,3 мкм на основе зарощенной полосковой гетероструктуры
    
    Квантовая электроника, 16:8 (1989),  1606–1608
30. Низкопороговые инжекционные лазеры на 1,3 мкм зарощенного типа с двухканальным боковым ограничением, изготовленные на подложках n-InP
    
    Квантовая электроника, 16:3 (1989),  457–462
31. Лазерные диодные модули
    
    Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2245–2246
32. Электрический отклик в InGaAsP/InP-гетеролазерах
    
    Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2227–2230
33. Ширина линии отдельной продольной моды AlGaAs-гетеролазера
    
    Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2223–2226
34. Инжекционные лазеры на основе системы AlGaAsSb для длины волны 1,6 мкм
    
    Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2208–2209
35. Непрерывная генерация при комнатной температуре в инжекционных лазерах на гетероструктуре InGaSbAs/GaAlSbAs, работающих в спектральном диапазоне 2,2–2,4 мкм
    
    Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2171–2172
36. Анализ оптического усиления при туннелировании электронов в квантоворазмерной полупроводниковой гетероструктуре
    
    Квантовая электроника, 15:8 (1988),  1595–1601
37. Ширина и форма линии излучения непрерывного InGaAsP/lnP-лазера с зарощенной полосковой гетероструктурой
    
    Квантовая электроника, 15:8 (1988),  1552–1554
38. Влияние температуры на диаграмму направленности InGaAsP-гетеролазеров
    
    Квантовая электроника, 15:2 (1988),  253–258
39. Непрерывная генерация при 100$^{\circ}$C и высокотемпературные испытания лазеров на основе InGaAsP/InP
    
    ЖТФ, 57:8 (1987),  1570–1574
40. Низкопороговые инжекционные лазеры на основе InGaAsP/InP
    
    Квантовая электроника, 14:11 (1987),  2201–2202
41. Исследование долговечности непрерывных инжекционных лазеров на основе GaAlAs/GaAs
    
    Квантовая электроника, 14:4 (1987),  892–894
42. Фазирование генерации в линейках полосковых GaAlAs/GaAs-лазеров с использованием активных направленных ответвителей
    
    Квантовая электроника, 14:4 (1987),  874–876
43. Дефекты быстрой деградации на зеркальных гранях лазеров на основе InGaAsP/lnP в диапазоне 1,3 мкм
    
    Квантовая электроника, 14:1 (1987),  204–205
44. Флуктуации интенсивности одночастотного инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором
    
    Квантовая электроника, 13:12 (1986),  2414–2423
45. Инжекционный лазер на InGaSbAs с длиной волны 2,4 мкм (300 K)
    
    Квантовая электроника, 13:10 (1986),  2119–2120
46. Оптический усилитель бегущей волны на основе инжекционного лазерного диода
    
    Квантовая электроника, 13:9 (1986),  1859–1867
47. Причины и распределение отказов в полупроводниковых лазерах (обзор)
    
    Квантовая электроника, 13:9 (1986),  1749–1769
48. Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. II. Спектральные характеристики и обсуждение
    
    Квантовая электроника, 13:8 (1986),  1610–1616
49. Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. I. Порог генерации, поляризация и ватт-амперная характеристика
    
    Квантовая электроника, 13:8 (1986),  1603–1609
50. Излучательные и деградационные характеристики гетероструктур на основе InGaAsP/InP
    
    Квантовая электроника, 13:7 (1986),  1376–1380
51. Изучение перфорации тонкопленочной фиксирующей среды остросфокусированным излучением GaAlAs/GaAs-лазера
    
    Квантовая электроника, 13:6 (1986),  1261–1264
52. Полупроводниковые лазеры
    
    УФН, 148:1 (1986),  35–53
53. Инжекционные лазеры на основе InGaSbAs с длиной волны 1,9–2,3 мкм, работающие при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1309–1311
54. Нелинейная рефракция в полупроводниковых лазерах (обзор)
    
    Квантовая электроника, 12:3 (1985),  465–493
55. Непрерывная одночастотная генерация в инжекционном лазере на основе гетероструктуры террасной формы с внешним дисперсионным резонатором
    
    Квантовая электроника, 12:1 (1985),  162–164
56. Низкопороговые инжекционные лазеры на основе зарощенных гетероструктур GaInPAs/InP (1.2$-$1.6 мкм)
    
    ЖТФ, 54:3 (1984),  551–557
57. Снижение порогового тока гетеролазеров на основе InGaAsP/InP при действии одностороннего сжатия
    
    Квантовая электроника, 11:8 (1984),  1665–1667
58. Инжекционные лазеры на основе InGaAs/InP с пороговой плотностью тока 0,5 кА/см² при 300 K
    
    Квантовая электроника, 11:4 (1984),  645–646
59. Инжекционные лазеры на основе InGaAsP/lnP с трехслойным волноводом
    
    Квантовая электроника, 11:3 (1984),  631–633
60. Спектрально-согласованная модуляция излучения инжекционного лазера в усилителе бегущей волны с частотой до 2 ГГц
    
    Квантовая электроника, 11:2 (1984),  231–232
61. Качественный анализ порогового тока в квантово-размерных полупроводниковых лазерах
    
    Квантовая электроника, 11:1 (1984),  178–181
62. Ускоренная оценка долговечности инжекционных лазеров и передающих модулей
    
    Квантовая электроника, 10:10 (1983),  2118–2120
63. Взаимодействие мод и автостабилизация одночастотной генерации в инжекционных лазерах
    
    Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1851–1865
64. Вынужденное рассеяние излучения на волнах населенности возбужденного состояния
    
    Квантовая электроника, 10:4 (1983),  865–867
65. Ввод в волоконные световоды излучения заращенных мезаполосковых инжекционных лазеров, работающих в диапазоне 1,2–1,6 мкм
    
    Квантовая электроника, 10:3 (1983),  633–635
66. Анализ факторов, влияющих на пороговый ток генерации в инжекционном гетеролазере на основе Pb_1–xSn_xSe
    
    Квантовая электроника, 9:11 (1982),  2140–2150
67. О температурной зависимости излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе GaInPAs/InP
    
    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1902–1904
68. Электрическая диагностика режимов усилителя-монитора на основе лазерного диода
    
    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1851–1853
69. Оптоэлектронное считывание с помощью инжекционного лазера
    
    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1825–1830
70. Непрерывные инжекционные лазеры в диапазоне 1,5–1,6 мкм
    
    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1749
71. Перестраиваемая непрерывная генерация в диапазоне 1,3 мкм в гетеролазере на основе GalnPAs/lnP с внешним дисперсионным резонатором
    
    Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1504–1506
72. О модовом составе излучения мезаполосковыx GalnPAs/InP гетеролазеров, зарощенных InP или GalnPAs
    
    Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1994–1996
73. Ресурсные характеристики гетероструктур GalnPAs/InP
    
    Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1985–1987
74. Радиочастотные спектры биений мод и пульсации интенсивности инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором
    
    Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1957–1961
75. Излучательные характеристики инжекционного лазера с зигзагообразной мезаполосковой гетероструктурой на основе AlGaAs/GaAs
    
    Квантовая электроника, 8:7 (1981),  1565–1567
76. Бистабильный режим и спектральная перестройка в инжекционном лазере с внешним дисперсионным резонатором
    
    Квантовая электроника, 8:4 (1981),  853–859
77. К теории стимулированного скольжения дислокаций в лазерных полупроводниковых кристаллах в условиях интенсивной накачки
    
    Квантовая электроника, 8:1 (1981),  206–209
78. Характеристики канального инжекционного гетеролазера
    
    Квантовая электроника, 8:1 (1981),  193–196
79. Оптическое гетеродинирование излучения инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором
    
    Квантовая электроника, 7:12 (1980),  2642–2644
80. Инжекционный гетеролазер мезаполосковой конструкции с теплоотводом через подложку
    
    Квантовая электроника, 7:11 (1980),  2504–2506
81. Инжекционный $GaInPAs/InP$-гетеролазер с расходимостью излучения $6-7^\circ$, работающий на неволноводных модах
    
    Квантовая электроника, 7:11 (1980),  2487–2488
82. Быстродействующий фотодиод на основе поверхностно-барьерной структуры $Au-nn^+-GaAs$
    
    Квантовая электроника, 7:10 (1980),  2218–2221
83. Уширение спектральных мод полупроводникового лазера в режиме пульсаций интенсивности излучения
    
    Квантовая электроника, 7:10 (1980),  2197–2201
84. Гетеролазеры $GaInPAs/InP$ на основе зарощенной мезаполосковой структуры, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре на длине волны 1,24-1,28 мкм
    
    Квантовая электроника, 7:9 (1980),  1990–1992
85. Применение инжекционных гетеролазеров в волоконно-оптических системах связи (обзор)
    
    Квантовая электроника, 7:9 (1980),  1845–1868
86. Свойства планарных полосковых гетеролазеров.  II. Анализ электрических характеристик
    
    Квантовая электроника, 7:8 (1980),  1670–1676
87. Свойства планарных полосковых гетеролазеров. I. Нелинейные и разрывные ватт-амперные характеристики
    
    Квантовая электроника, 7:8 (1980),  1664–1669
88. Применение диэлектрической модели Эпштейна к описанию мод планарных полосковых гетеролазеров
    
    Квантовая электроника, 7:7 (1980),  1407–1416
89. Инжекционный лазер с неустойчивым резонатором
    
    Квантовая электроника, 7:5 (1980),  1089–1092
90. О ступенчатой форме импульсов излучения инжекционных лазеров на основе двойной гетероструктуры GaAs-AlGaAs с полосковой формой контакта
    
    Квантовая электроника, 7:1 (1980),  123–127
91. Свойства инжекционных гетеролазеров на основе AlGaAsSb/GaSb в диапазоне длин волн 1,4—1,8 мкм
    
    Квантовая электроника, 7:1 (1980),  91–96
92. Уменьшение расходимости излучения инжекционного лазера путем возбуждения неволноводных мод
    
    Квантовая электроника, 6:12 (1979),  2639–2641
93. Диодные имитаторы излучения твердотельных лазеров
    
    Квантовая электроника, 6:12 (1979),  2617–2618
94. Интерпретация эффекта частотной автомодуляции излучения полупроводникового лазера
    
    Квантовая электроника, 6:10 (1979),  2243–2245
95. Непрерывный одночастотный инжекционный гетеролазер с перестройкой частоты с помощью внешнего дисперсионного резонатора
    
    Квантовая электроника, 6:6 (1979),  1264–1270
96. К теории резонансного дефектообразующего захвата электронов в лазерных кристаллах
    
    Квантовая электроника, 6:5 (1979),  1057–1061
97. Гистерезис выходной мощности излучения непрерывных гетеролазеров на основе AlCaAs
    
    Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2493–2495
98. Высокоэффективные светодиоды на основе GalnPAs/lnP
    
    Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2488–2489
99. Аномальная динамика генерации в полупроводниковом лазере с несимметричной волноводной структурой. II. Теория
    
    Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2408–2415
100. Аномальная динамика генерации в полупроводниковых лазерах с несимметричной волноводной структурой. I. Экспериментальное исследование с помощью внешнего резонатора
     
     Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2402–2407
101. Влияние режима работы инжекционного лазера на эффективность ввода его излучения в волоконный световод
     
     Квантовая электроника, 5:9 (1978),  2038–2041
102. Инжекционный гетеролазер на основе четырехкомпонентного твердого раствора InGaAsSb
     
     Квантовая электроника, 5:3 (1978),  703–704
103. Деформация мод в инжекционном лазере из-за самофокусировки и ее связь с нелинейностью выходной характеристики
     
     Квантовая электроника, 5:3 (1978),  603–608
104. О механизме смещения атомов в лазерных кристаллах под действием безызлучательной рекомбинации
     
     Квантовая электроника, 5:1 (1978),  203–206
105. Характеристики гетеролазеров видимого диапазона на основе n-GaP_x As_1–x–pGa_1–yAl_yP_xAs_1–x
     
     Квантовая электроника, 4:8 (1977),  1821–1823
106. Многокомпонентные твердые растворы соединений A^IVB^VI
     
     Квантовая электроника, 4:4 (1977),  904–907
107. Излучательные характеристики инжекционного лазера с внешним резонатором
     
     Квантовая электроника, 3:8 (1976),  1819–1821
108. О влиянии избыточных носителей тока на диэлектрическую проницаемость GaAs на частоте излучательных переходов в инжекционных лазерах
     
     Квантовая электроника, 3:7 (1976),  1609–1611
109. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах (обзор)
     
     Квантовая электроника, 3:7 (1976),  1381–1393
110. Исследование инжекционных гетеролазеров видимого диапазона на основе Al_xGa_1–xAs
     
     Квантовая электроника, 3:5 (1976),  1080–1084
111. Люминесценция и лазерный эффект в Ga_xln_1–xAs_ySb_1–y
     
     Квантовая электроника, 3:4 (1976),  932–934
112. Новый неохлаждаемый инжекционный гетеролазер в диапазоне 1,5–1,8 мкм
     
     Квантовая электроника, 3:2 (1976),  465–466
113. Применение градиентных световодов в полупроводниковых лазерах
     
     Квантовая электроника, 2:4 (1975),  848–850
114. О роли механических напряжений в постепенной деградации светоизлучающих диодов и инжекционных лазеров
     
     Квантовая электроника, 2:1 (1975),  127–129
115. Гетеролазеры на основе твердых растворов Ga_xIn_1–xAs_yP_1–y и Al_xGa_1–xSb_yAs_1–y
     
     Квантовая электроника, 1:10 (1974),  2294–2295
116. Аномальное взаимодействие спектральных типов колебаний в полупроводниковом лазере
     
     Квантовая электроника, 1:10 (1974),  2286–2288
117. Исследование пикосекундной структуры и режима ультракоротких импульсов излучения инжекционных лазеров интерферометрическим методом
     
     Квантовая электроника, 1:9 (1974),  1988–1993
118. О деградации инжекционных лазеров в процессе работы и под действием быстрых частиц
     
     Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1271–1273
119. Инжекционный лазер с дифракционной решеткой в резонаторе
     
     Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1145–1149
120. Исследование закономерностей многомодового возбуждения в инжекционных лазерах
     
     Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1138–1144
121. Управление поляризацией излучения гетеролазера с помощью одностороннего сжатия
     
     Квантовая электроника, 1:1 (1974),  196–197
122. Влияние СВЧ-модуляции на спектр излучения инжекционного лазера
     
     Квантовая электроника, 1:1 (1974),  151–154
123. Внутренняя модуляция добротности в инжекционных лазерах с односторонним гетеропереходом
     
     Квантовая электроника, 1973, № 5(17),  116–117
124. О кинетике спектра излучения инжекционного лазера и явлениях срыва одномодовой генерации
     
     Квантовая электроника, 1973, № 5(17),  14–20
125. Одномодовые и одночастотные инжекционные лазеры (обзор)
     
     Квантовая электроника, 1973, № 3(15),  5–26
126. Инжекционные лазеры на гетеропереходах (обзор)
     
     Квантовая электроника, 1972, № 6(12),  3–28
127. О статистическом распределении отказов инжекционных лазеров
     
     Квантовая электроника, 1972, № 3(9),  107
128. Эмпирическая оценка срока службы инжекционных лазеров по кратковременным испытаниям
     
     Квантовая электроника, 1972, № 3(9),  105–106
129. Сравнение мгновенного и усредненного спектров излучения инжекционного лазера в режиме самопроизвольных пульсаций
     
     Квантовая электроника, 1971, № 5,  93–95
130. Об оптимальной толщине активного слоя в гетеролазере
     
     Квантовая электроника, 1971, № 3,  120–121
131. Методы селекции типов колебаний в инжекционных ПКГ
     
     Квантовая электроника, 1971, № 1,  85–90


132. Лазерная инженерия
     
     УФН, 160:2 (1990),  338–339
133. Краткий обзор материалов конференции
     
     Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2175–2177
134. Вторая международная школа полупроводниковой оптоэлектроники «Цетнево-1978»
     
     Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2503–2506
135. II совещание по проблеме передачи информации по волоконным световодам (Уиллиамсбург, США, 22–24 февраля 1977 г.)
     
     Квантовая электроника, 4:9 (1977),  2059–2065
136. Международная осенняя школа полупроводниковой оптоэлектроники «ЦЕТНЕВО-1975»
     
     Квантовая электроника, 3:3 (1976),  672–674
137. Физические процессы в гетеропереходах. Первая Всесоюзная конференция Кишинев. (30 октября – 1 ноября 1974 г.)
     
     Квантовая электроника, 2:3 (1975),  623–627