Скасырский Ян Константинович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Определение длины диффузии неравновесных носителей в гетероструктурах CdS/ZnSe/ZnSSe, предназначенных для полупроводниковых дисковых лазеров
   
   Квантовая электроника, 54:2 (2024),  89–94
2. Мощный импульсный полупроводниковый дисковый лазер на основе гетероструктуры InGaP/AlGaInP с накачкой в квантовые ямы
   
   Квантовая электроника, 53:12 (2023),  891–897
3. Фемтосекундный Cr²⁺:ZnSe-лазер с синхронизацией мод на основе углеродных нанотрубок
   
   Квантовая электроника, 53:11 (2023),  867–872
4. Исследование полупроводникового дискового лазера, излучающего на длине волны 780 нм, на основе гетероструктуры с квантовыми ямами Al_xGa_1-xAs/Al_yGa_1-yAs при оптической накачке с различной длиной волны излучения
   
   Квантовая электроника, 53:8 (2023),  636–640
5. Полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 780 нм на гетероструктуре Al_xGa_{1– x}As/Al_yGa_{1– y}As, выращенной методом MOCVD, с оптической накачкой и накачкой электронным пучком
   
   Квантовая электроника, 52:4 (2022),  362–366
6. Полупроводниковый лазер на основе гетероструктуры CdS/ZnSe с продольной оптической накачкой излучением лазерного диода
   
   Квантовая электроника, 52:4 (2022),  359–361
7. Наносекундный полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 496.5 нм
   
   Квантовая электроника, 50:10 (2020),  895–899
8. Полупроводниковый лазер с оптической накачкой на основе наноразмерной гетероструктуры CdS/ZnSe с разрывами зон второго типа
   
   Квантовая электроника, 50:7 (2020),  683–687
9. Исследование поверхностно-излучающего полупроводникового лазера с внешним зеркалом на структуре InGaAs/AlGaAs при накачке электронным пучком
   
   Квантовая электроника, 49:10 (2019),  909–912
10. Импульсно-периодический Fe : ZnSe-лазер с термоэлектрическим охлаждением
    
    Квантовая электроника, 49:7 (2019),  641–648
11. Наносекундный Fe : ZnSe-лазер, накачиваемый внутри резонатора Er : YLF-лазера с поперечной диодной накачкой и работающий при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 48:8 (2018),  686–690
12. Спектрально-генерационные характеристики мини-слэба N_m-cut 5% Tm : KLu(WO₄)₂ в режиме пассивной модуляции добротности кристаллом Cr²⁺ : ZnSe
    
    Квантовая электроника, 47:11 (2017),  981–985
13. Эффективная генерация Fe²⁺ : ZnSe-лазера при комнатной температуре с накачкой излучением Er : YAG-лазера с пассивной модуляцией добротности
    
    Квантовая электроника, 47:9 (2017),  831–834
14. Исследование формирования микрорельефа на поверхностях кристаллов ZnSe и CdSe при абляции излучением эксимерного KrF-лазера
    
    Квантовая электроника, 46:10 (2016),  903–910
15. Лазер на монокристалле ZnS : Fe²⁺, возбуждаемый при комнатной температуре электроразрядным HF-лазером
    
    Квантовая электроника, 46:9 (2016),  769–771
16. Исследование работы Fe:ZnSe-лазера в импульсном и импульсно-периодическом режимах
    
    Квантовая электроника, 45:1 (2015),  1–7
17. Внутрирезонаторная лазерная спектроскопия c использованием непрерывного Cr²⁺ : ZnSe-лазера с накачкой полупроводниковым дисковым лазером
    
    Квантовая электроника, 43:9 (2013),  885–889
18. Импульсный Fe²⁺:ZnS-лазер с плавной перестройкой длины волны в области 3.49 — 4.65 мкм
    
    Квантовая электроника, 41:1 (2011),  1–3
19. Непрерывный Cr²⁺:CdS-лазер
    
    Квантовая электроника, 40:1 (2010),  7–10
20. Лазер с внешним резонатором, работающий на длине волны 625 нм при оптической накачке наноструктуры InGaP/AlGaInP с брэгговским зеркалом
    
    Квантовая электроника, 39:8 (2009),  731–734
21. Fe²⁺:ZnSe-лазер, работающий в непрерывном режиме
    
    Квантовая электроника, 38:12 (2008),  1113–1116
22. Лазер на основе кристалла Cr²⁺:CdS, перестраиваемый в спектральной области 2.2 — 3.3 мкм
    
    Квантовая электроника, 38:9 (2008),  803–804
23. Эффективный импульсный Cr²⁺:CdSe-лазер с плавной перестройкой длины волны в спектральном диапазоне 2.26 — 3.61 мкм
    
    Квантовая электроника, 38:3 (2008),  205–208
24. Эффективная генерация Cr²⁺:CdSe-лазера в непрерывном режиме
    
    Квантовая электроника, 37:11 (2007),  991–992
25. Наноструктура на основе ZnSe/ZnMgSSe для лазерной электронно-лучевой трубки в синей области спектра
    
    Квантовая электроника, 37:9 (2007),  857–862
26. Лазерная электронно-лучевая трубка с монолитным лазерным экраном
    
    Квантовая электроника, 37:9 (2007),  853–856
27. Однородность излучения лазерной ЭЛТ на основе низкоразмерной структуры GaInP/AlGaInP с резонансно-периодическим усилением
    
    Квантовая электроника, 34:10 (2004),  919–923
28. Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией
    
    Квантовая электроника, 25:4 (1998),  305–307
29. Использование точечного катода из LaB₆ в лазерной ЭЛТ
    
    Квантовая электроника, 10:8 (1983),  1699–1700
30. Сканирующий полупроводниковый лазер с поперечной накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 6:3 (1979),  603–604


31. Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией («Квантовая электроника», 1998, т.25, №4, с. 305-307)
    
    Квантовая электроника, 25:6 (1998),  576