Коняев Вадим Павлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Полупроводниковые лазеры с улучшенными излучательными характеристиками
   
   Квантовая электроника, 52:12 (2022),  1079–1087
2. Мощные полупроводниковые гибридные импульсные лазерные излучатели в диапазоне длин волн 900–920 нм
   
   Квантовая электроника, 51:10 (2021),  912–914
3. Тройной интегрированный лазер-тиристор
   
   Квантовая электроника, 50:11 (2020),  1001–1003
4. Двойной интегрированный лазер-тиристор
   
   Квантовая электроника, 49:11 (2019),  1011–1013
5. Непрерывные лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs
   
   Квантовая электроника, 49:10 (2019),  905–908
6. Компактная решетка лазерных диодов на основе эпитаксиально интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs
   
   Квантовая электроника, 48:11 (2018),  993–995
7. Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs (λ = 808 нм) с повышенной температурной стабильностью
   
   Квантовая электроника, 43:10 (2013),  895–897
8. Оценка надежности гетеролазеров при их старении в процессе облучения потоком быстрых частиц
   
   Квантовая электроника, 41:2 (2011),  99–102
9. Двухволновые лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур
   
   Квантовая электроника, 40:8 (2010),  697–699
10. Линейки лазерных диодов с длиной волны излучения λ=808 нм на основе двойных эпитаксиально-интегрированых гетероструктур
    
    Квантовая электроника, 40:8 (2010),  682–684
11. Мощные импульсные лазерные диоды на основе тройных интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs, излучающие на длине волны 0.9 мкм
    
    Квантовая электроника, 39:8 (2009),  723–726
12. Низкопороговый диодный лазер с коротким резонатором для миниатюрных атомных часов
    
    Квантовая электроника, 39:6 (2009),  487–493
13. Двойные интегрированные наноструктуры для импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0.9 мкм
    
    Квантовая электроника, 38:11 (2008),  989–992
14. Мощные полупроводниковые лазеры (λ = 0.89–1.06 мкм) на основе квантоворазмерных напряженных структур в системе InGaAs/(Al)GaAs с малой расходимостью излучения
    
    Квантовая электроника, 32:3 (2002),  213–215
15. Pесурсные возможности одноэлементных гетеролазеров (λ ≈ 0.985 мкм) с мощностью излучения 1 Вт
    
    Квантовая электроника, 31:5 (2001),  417–418
16. Оптические потери в напряженных квантоворазмерных полупроводниковых лазерах с гребневым волноводом
    
    Квантовая электроника, 30:10 (2000),  878–880
17. Яркость и филаментация оптического потока мощных квантоворазмерных In_0.2Ga_0.8As/GaAs-лазеров, работающих в непрерывном режиме
    
    Квантовая электроника, 30:5 (2000),  401–405
18. Экспериментальное исследование α-фактора в напряженных квантоворазмерных полупроводниковых лазерах на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs
    
    Квантовая электроника, 30:4 (2000),  315–320
19. Мощные диодные лазеры с длиной волны 1.06 мкм на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs с уменьшенной расходимостью в плоскости, перпендикулярной p — n-переходу
    
    Квантовая электроника, 27:1 (1999),  1–2
20. Динамика оптического разрушения выходного зеркала гребневых полупроводниковых лазеров на основе напряженных квантоворазмерных гетероструктур
    
    Квантовая электроника, 25:7 (1998),  647–650
21. Генерация пикосекундных импульсов видимого диапазона (GaIn)P-гетеролазером с неоднородным возбуждением
    
    Квантовая электроника, 23:8 (1996),  699–700
22. Расчет ресурса мощных гетеролазеров (λ = 0.98 мкм)
    
    Квантовая электроника, 23:2 (1996),  112
23. Спектральные характеристики одночастотных квантово-размерных гетеролазеров
    
    Квантовая электроника, 21:12 (1994),  1137–1140
24. Волноводные свойства гетеролазеров на основе квантово-размерных напряженных структур в системе InGaAs/GaAs и особенности их спектра усиления
    
    Квантовая электроника, 21:7 (1994),  633–639
25. Спектральные исследования излучения напряженных квантово-размерных гетероструктур на основе InGaAs/GaAlAs
    
    Квантовая электроника, 21:5 (1994),  405–408
26. Сужение диаграммы направленности мощных инжекционных лазеров с широким полосковым контактом с помощью внешнего микроселектора
    
    Квантовая электроника, 21:1 (1994),  57–58
27. Объемные фазовые дифракционные решетки в кристалле КТР
    
    Квантовая электроника, 18:3 (1991),  396–398
28. Прямая импульсно-кодовая модуляция излучения мощных гетеролазеров
    
    Квантовая электроника, 17:10 (1990),  1383–1384
29. Интегрально-оптический модулятор бегущей волны с шириной полосы рабочих частот 4 ГГц
    
    Квантовая электроника, 16:11 (1989),  2319–2322
30. Инжекционные лазеры на основе InGaAsP/lnP с трехслойным волноводом
    
    Квантовая электроника, 11:3 (1984),  631–633
31. Экспериментальное исследование динамических характеристик инжекционных лазеров
    
    Квантовая электроника, 10:8 (1983),  1592–1598
32. Экспериментальные исследования инжекционных лазеров с неоднородной накачкой
    
    Квантовая электроника, 10:3 (1983),  652–655
33. Излучательные характеристики инжекционных лазеров с малой длиной резонатора
    
    Квантовая электроника, 10:2 (1983),  364–370
34. Интегральная пара РОС-генератор – усилитель на GaAs
    
    Квантовая электроника, 8:2 (1981),  250–255
35. Характеристики канального инжекционного гетеролазера
    
    Квантовая электроника, 8:1 (1981),  193–196
36. Инжекционный гетеролазер с малой длиной резонатора
    
    Квантовая электроника, 6:2 (1979),  402–404
37. Временные и спектральные характеристики полупроводниковых лазеров с распределенной обратной связью при накачке электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 6:1 (1979),  249–254
38. О выводе излучения из полупроводникового лазера с распределенной обратной связью, возбуждаемого электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 6:1 (1979),  104–108
39. Полупроводниковые РОС-лазеры, работающие в высших порядках брегговского взаимодействия
    
    Квантовая электроника, 5:12 (1978),  2654–2656
40. Исследование инжекционных квантовых генераторов с широкой активной областью
    
    Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1220–1222