Успенский Михаил Борисович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Обзор подходов к обнаружению сбоев в системах хранения данных
   
   Научно-технические ведомости СПбГПУ. Информатика. Телекоммуникации. Управление, 12:4 (2019),  145–158
2. Исследование надежности полупроводниковых излучателей с различной конструкцией резонаторов
   
   ЖТФ, 86:10 (2016),  83–88
3. Повышение порога оптического разрушения фронтального зеркала полупроводникового лазера при пассивации ZnSe
   
   Квантовая электроника, 41:5 (2011),  423–426
4. Двухволновые лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур
   
   Квантовая электроника, 40:8 (2010),  697–699
5. Линейки лазерных диодов с длиной волны излучения λ=808 нм на основе двойных эпитаксиально-интегрированых гетероструктур
   
   Квантовая электроника, 40:8 (2010),  682–684
6. Высокоэффективный полупроводниковый оптический усилитель спектрального диапазона 820 — 860 нм
   
   Квантовая электроника, 40:4 (2010),  305–309
7. Мощные импульсные лазерные диоды на основе тройных интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs, излучающие на длине волны 0.9 мкм
   
   Квантовая электроника, 39:8 (2009),  723–726
8. Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs, легированных углеродом
   
   Квантовая электроника, 39:1 (2009),  18–20
9. Влияние энергии при ионно-химическом травлении структур GaAs/Al_xGa_1-xAs на фотолюминесценцию и деградацию приборов
   
   Квантовая электроника, 35:5 (2005),  445–448
10. Одномодовые лазеры с гребневидным элементом, сформированные в источнике трансформаторно-связанной плазмы
    
    Квантовая электроника, 34:9 (2004),  805–808
11. Мощные поперечно-одномодовые полупроводниковые лазеры с гребнёвой конструкцией оптического волновода
    
    Квантовая электроника, 32:12 (2002),  1099–1104
12. 150-ваттные квазинепрерывные диодные линейки на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с длиной волны 808 нм и улучшенными тепловыми параметрами
    
    Квантовая электроника, 31:8 (2001),  659–660
13. Излучательные характеристики и диаграмма направленности квантоворазмерного инжекционного лазера в спектральной области 780 нм
    
    Квантовая электроника, 19:10 (1992),  1024–1031