Шишкин Виктор Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Повышение порога оптического разрушения фронтального зеркала полупроводникового лазера при пассивации ZnSe
   
   Квантовая электроника, 41:5 (2011),  423–426
2. Высокоэффективный полупроводниковый оптический усилитель спектрального диапазона 820 — 860 нм
   
   Квантовая электроника, 40:4 (2010),  305–309
3. Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs, легированных углеродом
   
   Квантовая электроника, 39:1 (2009),  18–20
4. Влияние энергии при ионно-химическом травлении структур GaAs/Al_xGa_1-xAs на фотолюминесценцию и деградацию приборов
   
   Квантовая электроника, 35:5 (2005),  445–448
5. Одномодовые лазеры с гребневидным элементом, сформированные в источнике трансформаторно-связанной плазмы
   
   Квантовая электроника, 34:9 (2004),  805–808
6. 150-ваттные квазинепрерывные диодные линейки на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с длиной волны 808 нм и улучшенными тепловыми параметрами
   
   Квантовая электроника, 31:8 (2001),  659–660
7. Мощные диодные лазеры с длиной волны 1.06 мкм на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs с уменьшенной расходимостью в плоскости, перпендикулярной p — n-переходу
   
   Квантовая электроника, 27:1 (1999),  1–2
8. Низкопороговые лазеры с длиной волны излучения 1.02 мкм на основе InGaP/InGaAsP
   
   Квантовая электроника, 23:9 (1996),  785–786
9. Одночастотные GaAIAs/GaAs -лазеры
   
   Квантовая электроника, 21:3 (1994),  205–208
10. Излучательные характеристики и диаграмма направленности квантоворазмерного инжекционного лазера в спектральной области 780 нм
    
    Квантовая электроника, 19:10 (1992),  1024–1031