|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Изменение выходных характеристик широкополосных суперлюминесцентных диодов в ходе продолжительной работы
Квантовая электроника, 41:7 (2011), 595–601
-
Перестраиваемый полупроводниковый лазер с акустооптическим фильтром во внешнем оптоволоконном резонаторе
Квантовая электроника, 36:4 (2006), 324–328
-
Mощные и широкополосные суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1000—1100 нм
Квантовая электроника, 36:4 (2006), 315–318
-
Ресурсные испытания суперлюминесцентных диодов
Квантовая электроника, 36:2 (2006), 111–113
-
Многоканальные сверхширокополосные источники излучения ближнего ИК диапазона для оптической когерентной томографии
Квантовая электроника, 35:7 (2005), 667–669
-
Широкополосный источник излучения на основе квантоворазмерных суперлюминесцентных диодов для оптической когерентной томографии высокого разрешения
Квантовая электроника, 34:10 (2004), 915–918
-
Мощные суперлюминесцентные диоды с неинжектируемыми выходными секциями
Квантовая электроника, 34:3 (2004), 209–212
-
Двухпроходные суперлюминесцентные диоды с пониженным энергопотреблением на основе многослойной квантоворазмерной (GaAl)As-гетероструктуры
Квантовая электроника, 34:3 (2004), 206–208
-
Широкополосные источники излучения в спектральной области 1550 нм на основе квантоворазмерных суперлюминесцентных диодов
Квантовая электроника, 33:6 (2003), 511–514
-
Сверхширокополосный мощный суперлюминесцентный диод с длиной волны излучения 920 нм
Квантовая электроника, 33:6 (2003), 471–473
-
Исследование характеристик излучения маломощных суперлюминесцентных диодов в диапазоне температур -55°С...+93°С
Квантовая электроника, 32:7 (2002), 593–596
© , 2024