RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Корольков В И

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Исследование пространственного разрешения лазерной термохимической технологии записи дифракционных микроструктур

    Квантовая электроника, 41:7 (2011),  631–636
  2. Динамические характеристики мощных импульсных GaAs/AlGaAs-суперлюминесцентных светодиодов

    Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  719–724
  3. Исследование стабильности переключения высоковольтных субнаносекундных фотонно-инжекционных коммутаторов

    Письма в ЖТФ, 18:10 (1992),  26–31
  4. Динамика излучения суперлюминесцентных светодиодов, выполненных на основе GaAs$-$AlGaAs

    Письма в ЖТФ, 17:15 (1991),  38–40
  5. Исследования планарных фотосопротивлений на основе InGaAs/InP со скрытым $p^{+}$-затвором

    Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990),  1969–1972
  6. Электрические и оптические эффекты при резонансном туннелировании в (Al, Ga)As$-$GaAs-гетероструктурах с двойным барьером

    Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  361–363
  7. О выключении током управления фотонно-инжекционных импульсных тиристоров на основе гетероструктуры

    ЖТФ, 59:2 (1989),  156–158
  8. Экспериментальное наблюдение волноводной дифракции света на поверхностной акустической волне Сезава

    Квантовая электроника, 16:6 (1989),  1260–1263
  9. Исследование особенностей переноса носителей в гетероструктурах с тонкими активными областями

    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1287–1290
  10. Расчет основных характеристик фотонно-инжекционного импульсного тиристора на основе гетероструктуры

    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  413–418
  11. Кинетика фототока в арсенидгаллиевых структурах со встроенным потенциальным барьером

    Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1565–1570
  12. Высоковольтные импульсные тиристоры на основе слабо легированного арсенида галлия

    ЖТФ, 57:4 (1987),  771–777
  13. Электрические и фотоэлектрические свойства $n^{+}{-}n^{0}{-}n^{+}$-структур на основе GaAs с металлической сеткой в $n^{0}$-области

    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  981–983
  14. Вынос неравновесной плазмы из коротких InP : Fe-фоторезисторов электрическим полем

    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  70–74
  15. Исследование Р-П- и Р-П-Р-П-структур на основе нелегированных слоев фосфида галлия

    Письма в ЖТФ, 13:20 (1987),  1270–1274
  16. Формирование высоковольтных перепадов напряжения пикосекундного диапазона на арсенидгалиевых диодах

    Письма в ЖТФ, 13:18 (1987),  1089–1093
  17. Об определении времени жизни неравновесных носителей заряда в слабо легированных $p$- и $n$-областях фотонно-инжекционных транзисторов и тиристоров

    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1897–1900
  18. Переходные процессы в высоковольтных фотонно-инжекционных транзисторах на основе гетероструктуры

    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  677–682
  19. Электрически управляемые трехэлектродные высоковольтные переключатели субнаносекундного диапазона на основе многослойной $Ga\,As-Al\,Ga\,As$ гетероструктуры

    Письма в ЖТФ, 12:21 (1986),  1281–1285
  20. Арсенид-галлиевый вертикальный полевой транзистор со скрытым затвором

    Письма в ЖТФ, 12:3 (1986),  183–186
  21. Исследование $pin$-фотодиодов на основе InGaAsP/InP

    ЖТФ, 55:8 (1985),  1566–1569
  22. Исследование вертикальных полевых фототранзисторов на основе GaAs. Механизм усиления и кинетика фототока

    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1731–1735
  23. Темновые токи в диодных структурах GaAlSb(As) «резонансного» состава

    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1605–1611
  24. Исследование собственной фотопроводимости в эпитаксиальных слоях InP и InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1460–1463
  25. Высоковольтный фотонно-инжекционный транзистор на основе гетероструктуры

    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  878–884
  26. Использование электрооптического эффекта для изучения области пространственного заряда высоковольтных арсенид-галлиевых $p{-}n$-структур

    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  328–331
  27. Исследование эффективности инжекции $p{-}n$-переходов на основе слабо легированного GaAs

    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  167–169
  28. Вертикальное фотосопротивление на основе $n^0-Ga\,As$

    Письма в ЖТФ, 11:13 (1985),  800–803
  29. Высокочувствительный вертикальный полевой фототранзистор на основе $Ga\,As$

    Письма в ЖТФ, 11:2 (1985),  89–93
  30. Арсенидгаллиевые полевые транзисторы с управляющим $p{-}n$ переходом

    ЖТФ, 54:4 (1984),  859–862
  31. Исследование обратной ветви ВАХ высоковольтных $p{-}n$-структур на основе GaAs

    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2029–2035
  32. Фототранзистор на основе $N{-}p{-}N$ гетероструктур InP-InGaAsP

    Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1294–1297
  33. Мощные импульсные транзисторы на основе арсенида галлия

    Письма в ЖТФ, 10:16 (1984),  976–979
  34. Исследование волноводных текстурированных пленок окиси цинка для планарных акустооптических устройств

    Письма в ЖТФ, 10:15 (1984),  922–925
  35. Арсенид-галлиевые транзисторы

    ЖТФ, 53:4 (1983),  763–765
  36. Время жизни неравновесных носителей заряда в слабо легированных эпитаксиальных слоях GaAs

    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  1953–1956
  37. Исследование транзисторов с оптической связью

    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1618–1622
  38. Лавинные фотодиоды на основе твердых растворов полупроводниковых соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$

    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  569–582
  39. Высокоэффективный фотодетектор для ультрафиолетового излучения

    Письма в ЖТФ, 9:24 (1983),  1516–1519
  40. Импульсные тиристоры на основе гетероструктур GaAs$-$AlGaAs

    Письма в ЖТФ, 9:11 (1983),  652–655

  41. Поправка к статье: Исследование пространственного разрешения лазерной термохимической технологии записи дифракционных микроструктур

    Квантовая электроника, 41:8 (2011),  721

© МИАН, 2024