Курносов Владимир Дмитриевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Увеличение диапазона токов накачки одночастотного лазерного диода с частотой излучения, настроенной на линию D₂ цезия
   
   Квантовая электроника, 51:11 (2021),  970–975
2. Численное моделирование расходимости излучения и коэффициента оптического ограничения полупроводникового лазера с асимметричным периодическим многослойным волноводом на основе AlGaInAs/InP
   
   Квантовая электроника, 50:9 (2020),  816–821
3. Об "ошибочности" скоростного уравнения для плотности фотонов полупроводникового лазера
   
   Квантовая электроника, 50:7 (2020),  688–693
4. Полупроводниковые лазеры с асимметричным периодическим оптически связанным волноводом на длину волны излучения 1.5 – 1.6 мкм
   
   Квантовая электроника, 50:6 (2020),  600–602
5. Экспериментальные исследования мощных полупроводниковых одночастотных лазеров спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм
   
   Квантовая электроника, 50:2 (2020),  143–146
6. Экспериментальные исследования мощных многомодовых лазеров с асимметричным волноводом с длиной волны излучения 1.5–1.6 мкм
   
   Квантовая электроника, 49:7 (2019),  649–652
7. Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером
   
   Квантовая электроника, 49:6 (2019),  519–521
8. Моделирование спектральных характеристик мощных одномодовых лазерных диодов с асимметричным волноводом с длиной волны излучения 1.5–1.6 мкм
   
   Квантовая электроника, 48:9 (2018),  807–812
9. Экспериментальные исследования мощных одномодовых лазеров с асимметричным волноводом с длиной волны излучения 1.5–1.6 мкм
   
   Квантовая электроника, 48:6 (2018),  495–501
10. Упрощенная модель для расчета мощностных и спектральных характеристик лазерного диода с волоконной брэгговской решеткой
    
    ЖТФ, 87:3 (2017),  438–442
11. Исследование надежности полупроводниковых излучателей с различной конструкцией резонаторов
    
    ЖТФ, 86:10 (2016),  83–88
12. Исследование аномально больших уровней шумов полупроводникового лазера с волоконной брэгговской решеткой
    
    Квантовая электроника, 45:1 (2015),  11–14
13. Моделирование ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров с длиной волны излучения 1.5–1.55 мкм
    
    Квантовая электроника, 44:2 (2014),  149–156
14. Теоретическое исследование низкочастотных шумов и амплитудно-частотных характеристик полупроводникового лазера с волоконной брэгговской решеткой
    
    Квантовая электроника, 43:9 (2013),  828–837
15. Экспериментальное исследование низкочастотных амплитудных шумов лазерного диода с волоконной брэгговской решеткой
    
    Квантовая электроника, 43:9 (2013),  824–827
16. Линейки импульсных лазерных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP
    
    Квантовая электроника, 43:9 (2013),  822–823
17. Мощные импульсные лазерные диоды спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм
    
    Квантовая электроника, 43:9 (2013),  819–821
18. Спектральные характеристики излучателя, предназначенного для накачки и детектирования эталонного квантового перехода цезиевого стандарта частоты
    
    Квантовая электроника, 41:8 (2011),  692–696
19. Исследование характеристик одночастотного лазера, предназначенного для накачки цезиевых стандартов частоты
    
    Квантовая электроника, 38:4 (2008),  319–324
20. Показатели преломления света твердых растворов AlGaInAs
    
    Квантовая электроника, 37:6 (2007),  545–548
21. Моделирование ватт-амперных и спектральных характеристик полупроводниковых лазеров на основе InGaAlAs/InP
    
    Квантовая электроника, 36:10 (2006),  918–924
22. Одночастотный лазер с подстройкой длины волны для накачки цезиевых стандартов частоты
    
    Квантовая электроника, 36:8 (2006),  741–744
23. Исследование спектральных и мощностных характеристик суперлюминесцентных диодов
    
    Квантовая электроника, 34:1 (2004),  15–19
24. Влияние паразитных элементов мезаполоскового лазера на его амплитудно-частотную характеристику
    
    Квантовая электроника, 33:5 (2003),  425–429
25. Исследование характеристик одночастотных полупроводниковых лазеров в системе GaAs/AlGaAs
    
    Квантовая электроника, 32:4 (2002),  303–307
26. Воздействие радиации на GaAlAs — GaAs- и InGaAsP — InP-лазеры
    
    Квантовая электроника, 24:9 (1997),  773–775
27. Спектральные характеристики одночастотных квантово-размерных гетеролазеров
    
    Квантовая электроника, 21:12 (1994),  1137–1140
28. Одночастотные GaAIAs/GaAs -лазеры
    
    Квантовая электроника, 21:3 (1994),  205–208
29. Динамика излучения полупроводникового лазера с внешним резонатором
    
    Квантовая электроника, 19:9 (1992),  845–847
30. Глубокая амплитудная модуляция излучения гетеролазеров с зарощенной мезаструктурой в полосе частот до 5 ГГц
    
    Квантовая электроника, 17:2 (1990),  218–221
31. Исследование характеристик одночастотного полупроводникового лазера с внешним резонатором
    
    Квантовая электроника, 17:1 (1990),  40–42
32. Исследование ширины линии генерации одночастотных инжекционных лазеров на GaAlAs
    
    Квантовая электроника, 13:5 (1986),  1070–1072
33. Исследование низкочастотных флуктуаций мощности инжекционных лазеров на AlGaAs
    
    Квантовая электроника, 12:11 (1985),  2370–2373
34. Бистабильный инжекционный гетеролазер непрерывного действия
    
    Квантовая электроника, 8:4 (1981),  880–882
35. Исследование двухкомпонентного инжекционного гетеролазера
    
    Квантовая электроника, 7:11 (1980),  2489–2491
36. Восьмиканальная волоконно-оптическая линия связи между устройствами ЭВМ
    
    Квантовая электроника, 4:7 (1977),  1610–1613
37. Двухрезонаторные квантово-оптические схемы
    
    Квантовая электроника, 4:1 (1977),  186–187
38. Исследование переходного процесса генерирования оптически связанных лазеров
    
    Квантовая электроника, 3:8 (1976),  1808–1811
39. Двухрезонаторный инжекционный лазер с сильной оптической связью
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  35–42


40. Поправка к статье: Исследование характеристик одночастотных полупроводниковых лазеров в системе GaAs/AlGaAs
    
    Квантовая электроника, 32:6 (2002),  564