Романцевич Валентина Ивановна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Увеличение диапазона токов накачки одночастотного лазерного диода с частотой излучения, настроенной на линию D₂ цезия
   
   Квантовая электроника, 51:11 (2021),  970–975
2. Полупроводниковые лазеры с асимметричным периодическим оптически связанным волноводом на длину волны излучения 1.5 – 1.6 мкм
   
   Квантовая электроника, 50:6 (2020),  600–602
3. Экспериментальные исследования мощных полупроводниковых одночастотных лазеров спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм
   
   Квантовая электроника, 50:2 (2020),  143–146
4. Экспериментальные исследования мощных многомодовых лазеров с асимметричным волноводом с длиной волны излучения 1.5–1.6 мкм
   
   Квантовая электроника, 49:7 (2019),  649–652
5. Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером
   
   Квантовая электроника, 49:6 (2019),  519–521
6. Экспериментальные исследования мощных одномодовых лазеров с асимметричным волноводом с длиной волны излучения 1.5–1.6 мкм
   
   Квантовая электроника, 48:6 (2018),  495–501
7. Исследование надежности полупроводниковых излучателей с различной конструкцией резонаторов
   
   ЖТФ, 86:10 (2016),  83–88
8. Моделирование ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров с длиной волны излучения 1.5–1.55 мкм
   
   Квантовая электроника, 44:2 (2014),  149–156
9. Экспериментальное исследование низкочастотных амплитудных шумов лазерного диода с волоконной брэгговской решеткой
   
   Квантовая электроника, 43:9 (2013),  824–827
10. Линейки импульсных лазерных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP
    
    Квантовая электроника, 43:9 (2013),  822–823
11. Мощные импульсные лазерные диоды спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм
    
    Квантовая электроника, 43:9 (2013),  819–821
12. Спектральные характеристики излучателя, предназначенного для накачки и детектирования эталонного квантового перехода цезиевого стандарта частоты
    
    Квантовая электроника, 41:8 (2011),  692–696
13. Показатели преломления света твердых растворов AlGaInAs
    
    Квантовая электроника, 37:6 (2007),  545–548
14. Моделирование ватт-амперных и спектральных характеристик полупроводниковых лазеров на основе InGaAlAs/InP
    
    Квантовая электроника, 36:10 (2006),  918–924
15. Исследование спектральных и мощностных характеристик суперлюминесцентных диодов
    
    Квантовая электроника, 34:1 (2004),  15–19
16. Влияние паразитных элементов мезаполоскового лазера на его амплитудно-частотную характеристику
    
    Квантовая электроника, 33:5 (2003),  425–429
17. Динамика излучения (InGa)AsP-гетеролазера с двухканальным боковым ограничением
    
    Квантовая электроника, 16:7 (1989),  1329–1332
18. Низкопороговые инжекционные лазеры на 1,3 мкм зарощенного типа с двухканальным боковым ограничением, изготовленные на подложках n-InP
    
    Квантовая электроника, 16:3 (1989),  457–462