Горшков Олег Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Резистивное переключение в отдельных ферромагнитных филаментах мемристорных структур на основе ZrO$_{2}$(Y)/Ni
   
   ЖТФ, 91:10 (2021),  1474–1478
2. Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO$_{2}$(Y) с наночастицами Au
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  754–757
3. Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии
   
   Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  23–26
4. Формирование наноразмерных ферромагнитных филаментов Ni в пленках ZrO$_{2}$(Y)
   
   Письма в ЖТФ, 47:11 (2021),  30–32
5. Резистивное переключение мемристоров на основе стабилизированного диоксида циркония сложными сигналами
   
   Физика твердого тела, 62:4 (2020),  556–561
6. Исследование резонансной активации резистивного переключения в пленках ZrO$_{2}$(Y) методом атомно-силовой микроскопии
   
   ЖТФ, 90:11 (2020),  1825–1829
7. Резистивное переключение в структурах металл–оксид–полупроводник с наноостровками GeSi на подложке кремния
   
   ЖТФ, 90:10 (2020),  1741–1749
8. Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала
   
   ЖТФ, 90:2 (2020),  298–304
9. Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si
   
   Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  44–46
10. Исследование резистивного переключения нестационарными сигналами в пленках ZrO$_{2}$(Y) методом атомно-силовой микроскопии
    
    ЖТФ, 89:11 (2019),  1669–1673
11. Механизмы токопереноса и резистивного переключения в конденсаторах со слоями стабилизированного иттрием диоксида гафния
    
    ЖТФ, 89:6 (2019),  927–934
12. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота
    
    Физика твердого тела, 60:3 (2018),  591–595
13. A comparative analysis of the observed effects of 2d tunneling bifurcations for quasi-one-dimensional and quasi-two-dimensional au-qd systems in an external electric field
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 9:6 (2018),  724–734
14. Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si$_{3}$N$_{4}$, изготовленных на основе проводящей подложки Si
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1436–1442
15. Plasmon resonance induced photoconductivity in the yttria stabilized zirconia films with embedded Au nanoclusters
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  470
16. Особенности переключения мемристорных структур в высокоомное состояние пилообразными импульсами
    
    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  88–93
17. Имитация синаптической связи нейроноподобных генераторов с помощью мемристивного устройства
    
    ЖТФ, 87:8 (2017),  1248–1254
18. Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_{x}$
    
    ЖТФ, 86:5 (2016),  107–111
19. Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1639–1643
20. Электрофизические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе $n$-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя $n$-GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1615–1619
21. Стимулированное светом резистивное переключение в структурах металл–диэлектрик–полупроводник на основе кремния
    
    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  78–84
22. Резистивное переключение в мемристивных структурах Au/SiO$_{x}$/TiN/Ti с различными геометрическими параметрами и стехиометрией диэлектрической пленки
    
    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  17–24
23. Особенности явления неравновесного обеднения, сопровождаемого процессами захвата неосновных носителей поверхностными состояниями, в структурах металл–диэлектрик–полупроводник
    
    Письма в ЖТФ, 42:3 (2016),  52–60
24. Формирование плотных массивов наночастиц золота в тонких пленках стабилизированного диоксида циркония методом магнетронного распыления
    
    Письма в ЖТФ, 42:1 (2016),  72–79
25. Структурные, оптические и спектроскопические свойства новой керамики Tm³⁺:Lu₂O₃ и эффективная двухмикронная генерация лазера на ее основе
    
    Квантовая электроника, 41:10 (2011),  863–868
26. Люминесценция пленок Cr⁴⁺:Ca₂GeO₄ в ближней ИК области спектра
    
    Квантовая электроника, 30:3 (2000),  261–262
27. Исследование низкоуровневых нарушений в имплантированных монокристаллах InSb методом характеристического рентгеновского излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  189–191


28. Поправка к статье: Структурные, оптические и спектроскопические свойства новой керамики Tm³⁺:Lu₂O₃ и эффективная двухмикронная генерация лазера на ее основе
    
    Квантовая электроника, 41:12 (2011),  1130
29. Особенности двумерных туннельных бифуркаций в условиях внешнего электрического поля
    
    Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2009, № 2,  123–135