Завестовская Ирина Николаевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Современное состояние и развитие ядерно-физических методов протонной терапии в ФИАН
   
   УФН, 194:9 (2024),  917–940
2. Создание композитов Bi@SiO₂ со структурой ядро@оболочка на основе лазерно-синтезированных наночастиц Bi
   
   Квантовая электроника, 53:7 (2023),  580–582
3. Pентгеноконтрастные свойства наноформуляций на основе висмута
   
   Квантовая электроника, 53:7 (2023),  575–579
4. Инактивация коронавирусов под действием излучения светодиодов UVA-диапазона
   
   Квантовая электроника, 52:1 (2022),  83–86
5. Лазерное наноструктурирование поверхности материалов
   
   Квантовая электроника, 40:11 (2010),  942–954
6. II Азиатско-Тихоокеанская конференция "Фундаментальные проблемы опто- и микроэлектроники"
   
   Квантовая электроника, 32:11 (2002),  1033–1034
7. Международный форум «Современные мощные лазеры и их применения»: (AHPLA’99)
   
   Квантовая электроника, 30:5 (2000),  462–470
8. Расчет характеристик упрочненного слоя в модели лазерной закалки сталей
   
   Квантовая электроника, 16:8 (1989),  1636–1642
9. Особенности структурно-фазовых превращений в высоколегированных сталях при лазерной термообработке
   
   Квантовая электроника, 14:12 (1987),  2543–2549
10. О причине смещения температуры инструментального начала аустенитного превращения в сталях при скоростном и лазерном нагреве
    
    Квантовая электроника, 13:11 (1986),  2315–2319
11. К теории стимулированного скольжения дислокаций в лазерных полупроводниковых кристаллах в условиях интенсивной накачки
    
    Квантовая электроника, 8:1 (1981),  206–209
12. К теории резонансного дефектообразующего захвата электронов в лазерных кристаллах
    
    Квантовая электроника, 6:5 (1979),  1057–1061
13. О механизме смещения атомов в лазерных кристаллах под действием безызлучательной рекомбинации
    
    Квантовая электроника, 5:1 (1978),  203–206


14. Симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур (Звенигород, 27 — 29 ноября 2007 г.)
    
    Квантовая электроника, 38:3 (2008),  294–297