Петровский А В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs, легированных углеродом
   
   Квантовая электроника, 39:1 (2009),  18–20
2. Влияние особенностей формирования квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/(Al)GaAs на спектральные характеристики лазерных диодов, изготовленных на их основе
   
   Квантовая электроника, 38:2 (2008),  97–102
3. Влияние барьерных слоев GaAsP на параметры лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов спектрального диапазона 1050–1100 нм
   
   Квантовая электроника, 35:10 (2005),  909–911
4. Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов
   
   Квантовая электроника, 32:3 (2002),  216–218
5. Мощные полупроводниковые лазеры (λ = 0.89–1.06 мкм) на основе квантоворазмерных напряженных структур в системе InGaAs/(Al)GaAs с малой расходимостью излучения
   
   Квантовая электроника, 32:3 (2002),  213–215


6. Поправка к статье: Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов
   
   Квантовая электроника, 32:6 (2002),  564