Сухарев А В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Мощные импульсные лазерные диоды на основе тройных интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs, излучающие на длине волны 0.9 мкм
   
   Квантовая электроника, 39:8 (2009),  723–726
2. Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs, легированных углеродом
   
   Квантовая электроника, 39:1 (2009),  18–20
3. Двойные интегрированные наноструктуры для импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0.9 мкм
   
   Квантовая электроника, 38:11 (2008),  989–992
4. Влияние особенностей формирования квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/(Al)GaAs на спектральные характеристики лазерных диодов, изготовленных на их основе
   
   Квантовая электроника, 38:2 (2008),  97–102
5. Влияние барьерных слоев GaAsP на параметры лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов спектрального диапазона 1050–1100 нм
   
   Квантовая электроника, 35:10 (2005),  909–911