Шапкин Петр Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Спектры поглощения и нелинейное пропускание (на $\lambda=2940$ нм) монокристалла ZnSe:Fe$^{2+}$, легированного диффузионным методом
   
   Квантовая электроника, 45:6 (2015),  521–526
2. Линейное и нелинейное пропускание кристалла ZnSe, легированного Fe²⁺, на длине волны 2940 нм в диапазоне температур 20 – 220 °С
   
   Квантовая электроника, 44:3 (2014),  213–216
3. Лазерное излучение мишеней газового диода из соединений CdS_хSe_1-х
   
   Квантовая электроника, 44:3 (2014),  201–205
4. Лазер на кристалле ZnSe:Fe²⁺ с накачкой излучением нецепного электроразрядного HF-лазера при комнатной температуре
   
   Квантовая электроника, 44:2 (2014),  141–144
5. Излучение пластин селенида цинка при возбуждении импульсным электрическим полем
   
   Квантовая электроника, 38:9 (2008),  829–832
6. Суперлюминесцентный ИК излучатель на кристалле ZnSe:Fe²⁺, работающий при комнатной температуре
   
   Квантовая электроника, 38:2 (2008),  95–96
7. Особенности взрывного вскипания воды под действием излучения эрбиевого лазера с модулированной добротностью
   
   Квантовая электроника, 37:12 (2007),  1141–1142
8. Пассивная модуляция добротности лазера на стекле с эрбием с помощью кристалла ZnSe:Co²⁺
   
   Квантовая электроника, 37:10 (2007),  974–980
9. Исследование нелинейного пропускания кристаллов ZnSe:Co²⁺ на длине волны 1.54 мкм
   
   Квантовая электроника, 34:12 (2004),  1169–1172
10. Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией
    
    Квантовая электроника, 25:4 (1998),  305–307
11. Экситонная пьезоспектроскопия твердых растворов полупроводников со структурным фазовым переходом сфалерит$-$вюрцит
    
    Физика твердого тела, 33:4 (1991),  1077–1085
12. Экситонные механизмы в излучательных процессах идеальных твердых растворов полупроводников (система Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$Se, ${0<x<1}$)
    
    Физика твердого тела, 31:10 (1989),  70–78
13. Стримерный лазер на сульфиде цинка
    
    Квантовая электроника, 15:9 (1988),  1764–1766
14. Волноводные брегговские модуляторы света на основе кристаллов CdS_xSe_1–x
    
    Квантовая электроника, 13:4 (1986),  698–703
15. Кластеры Te$_{n}$-центры эффективной излучательной рекомбинации в ZnSe$_{1-x}$Te$_{x}$ (${x\leqslant0.2}$)
    
    Физика твердого тела, 27:6 (1985),  1734–1741
16. Создание и исследование интегрально-оптических волноводов на основе CdS_xSe_1–x
    
    Квантовая электроника, 12:9 (1985),  1814–1818
17. Влияние избыточного давления серы при выращивании кристаллов CdS на характеристики лазеров, возбуждаемых электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1307–1309
18. Монокристаллы твердых растворов ZnSe_1–xTe_x, Zn_1–xCd_xSe, Zn_xCd_1–xS для лазеров с накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 12:5 (1985),  1113–1116
19. УФ полупроводниковый лазер на ZnS с продольной накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 11:3 (1984),  618–621
20. Создание и исследование тонкопленочных волноводов на основе CdS_xSe_1–x
    
    Квантовая электроника, 9:11 (1982),  2329–2330
21. Улучшение характеристик полупроводниковых лазеров с продольной накачкой электронным пучком на основе монокристаллов ZnSe
    
    Квантовая электроника, 9:10 (1982),  2099–2102
22. Оптически управляемый дефлектор на основе тонкопленочного волновода
    
    Квантовая электроника, 6:7 (1979),  1580–1582
23. Исследование зависимости излучательных свойств монокристаллов сульфида кадмия от концентрации равновесных носителей тока
    
    Квантовая электроника, 5:3 (1978),  642–646
24. Определение глубины нарушенного слоя в лазерных экранах, изготовленных из монокристаллов сульфида кадмия
    
    Квантовая электроника, 4:6 (1977),  1357–1359
25. Лазерные экраны из монокристаллических слитков CdS, CdS_xSe_1–x, ZnSe
    
    Квантовая электроника, 4:2 (1977),  351–354
26. Фотолюминесцентные свойства и коэффициент усиления монокристаллов CdS, CdSe при возбуждении электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 1:3 (1974),  653–659
27. Монокристаллы сульфида кадмия для лазеров с накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 1972, № 7,  44–47


28. Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией («Квантовая электроника», 1998, т.25, №4, с. 305-307)
    
    Квантовая электроника, 25:6 (1998),  576