Латуш Евгений Леонидович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Лазер на парах стронция с ионизационным и рекомбинационным механизмами формирования инверсии
   
   Квантовая электроника, 46:12 (2016),  1142–1145
2. О предельной частоте следования импульсов генерации лазера на самоограниченных переходах иона стронция
   
   Квантовая электроника, 38:11 (2008),  1009–1015
3. Кинетика активной среды рекомбинационного He — Sr⁺-лазера. 2. Достижимые энергетические характеристики
   
   Квантовая электроника, 38:4 (2008),  309–318
4. Кинетика активной среды рекомбинационного He — Sr⁺-лазера. 1. Пространственно-временные характеристики
   
   Квантовая электроника, 38:4 (2008),  299–308
5. Критерии пространственной однородности активных сред катафорезных импульсно-периодических лазеров на парах металлов
   
   Квантовая электроника, 35:7 (2005),  598–604
6. Деионизация плазмы послесвечения за счет ускоренной амбиполярной диффузии
   
   Квантовая электроника, 32:4 (2002),  289–293
7. Малогабаритные рекомбинационные H – Sr$^+$(Ca$^+$)-лазеры
   
   Квантовая электроника, 30:6 (2000),  471–478
8. Oптимальное масштабирование рекомбинационных He — Sr⁺(Ca⁺)-лазеров
   
   Квантовая электроника, 30:5 (2000),  393–398
9. Ненасыщенный коэффициент усиления линий со смешанным контуром уширения
   
   Квантовая электроника, 20:1 (1993),  99–100
10. Лазер на красителе с накачкой рекомбинационным He–Sr-лазером
    
    Квантовая электроника, 19:9 (1992),  860–861
11. Роль ступенчатых ударов второго рода в механизме накачки гелий-стронциевого рекомбинационного лазера
    
    Квантовая электроника, 18:12 (1991),  1427–1434
12. Механизмы генерации газоразрядного неон-водородного лазера на λ = 585,3 нм
    
    Квантовая электроника, 17:11 (1990),  1418–1423
13. О роли ступенчатых ударов второго рода в лазере на ионных переходах ртути
    
    Квантовая электроника, 17:6 (1990),  712–716
14. Генерация на ионных переходах стронция в разряде с электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 17:4 (1990),  412–413
15. Рекомбинационные газоразрядные лазеры на переходах многозарядных ионов O III и Xe lV
    
    Квантовая электроника, 16:12 (1989),  2394–2399
16. Влияние температуры активной среды на характеристики генерации рекомбинационного Sr–Не-лазера
    
    Квантовая электроника, 15:9 (1988),  1762–1764
17. Инверсия и генерация на переходе NeI λ= 585,3 нм в разрядах с «жесткой составляющей»
    
    Квантовая электроника, 13:12 (1986),  2531–2533
18. Роль теплоотвода в повышении средней мощности генерации рекомбинационных лазеров на парах $\mathrm{Sr}$ и $\mathrm{Ca}$
    
    ТВТ, 24:2 (1986),  402–405
19. Новые лазерные переходы в Hgl
    
    Квантовая электроника, 12:11 (1985),  2375–2377
20. О применимости метода максимальных потерь для измерения коэффициента усиления импульсных лазеров
    
    Квантовая электроника, 12:7 (1985),  1480–1484
21. Генерация на переходах димеров теллура при оптической накачке излучением рекомбинационного He–Sr-лазера
    
    Квантовая электроника, 12:2 (1985),  432–433
22. Вынужденное излучение на линии таллия 535 нм при квазирезонансной оптической накачке смеси Тl–He излучением рекомбинационного He–Ca-лазера
    
    Квантовая электроника, 11:2 (1984),  229–231
23. Перестройка частоты и самосинхронизация мод в рекомбинационном He–Sr-лазере
    
    Квантовая электроника, 8:6 (1981),  1338–1340
24. Рекомбинационные лазеры на парах химических элементов. II. Генерация на ионных переходах металлов
    
    Квантовая электроника, 4:6 (1977),  1257–1267
25. Рекомбинационные лазеры на парах химических элементов. I. Принципы получения генерации в рекомбинационном режиме
    
    Квантовая электроника, 4:6 (1977),  1249–1256
26. Исследование поперечного разделения паров металла в катафорезных ОКГ
    
    Квантовая электроника, 3:10 (1976),  2306–2309
27. Динамика поперечного разделения паров металла в катафорезных ОКГ
    
    Квантовая электроника, 3:9 (1976),  1882–1886
28. Импульсная генерация в парах бериллия
    
    Квантовая электроника, 2:7 (1975),  1409–1414
29. Новые лазерные переходы в спектре олова и механизм создания инверсии населенностей уровней
    
    Квантовая электроника, 2:4 (1975),  842–844
30. Генерация на ионных переходах щелочноземельных металлов
    
    Квантовая электроника, 1973, № 3(15),  66–71