|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Монокристаллы BaY2F8, легированные редкоземельными ионами, как перспективные ап-конверсионные среды для лазеров УФ и ВУФ диапазонов спектра
Квантовая электроника, 38:4 (2008), 333–337
-
Вклад структурного фактора в оптические спектры фторидов
Докл. АН СССР, 306:2 (1989), 334–338
-
Усиление УФ излучения на межконфигурационном переходе 5d – 4f иона Ce3+ в BaY2F8
Квантовая электроника, 16:3 (1989), 513–517
-
Спектроскопия и генерационные характеристики кристаллов BaEr2F8:Tm+Ho
Квантовая электроника, 14:4 (1987), 677–681
-
Оптимизация лазерной среды BaYb2F8:Er
Квантовая электроника, 13:6 (1986), 1155–1160
-
Экспериментальное исследование $4f$–$5d$-переходов $\mathrm{Ho}^{3+}$, $\mathrm{Er}^{3+}$, $\mathrm{Tm}^{3+}$ и $\mathrm{Yb}^{3+}$ в $\mathrm{BaY}_2\mathrm{F}_8$
Докл. АН СССР, 283:6 (1985), 1339–1342
-
Спектры пропускания монокристаллов типа $\mathrm{BaLn}_2\mathrm{F}_8$ в широкой области спектра
(от $12$ до $0{,}12$ мкм)
Докл. АН СССР, 282:3 (1985), 565–568
-
Теплофизика активной среды BaEr2F8: [Tm + Ho]
Квантовая электроника, 12:5 (1985), 1078–1081
-
Новый лазерный переход иона Tm3+
Квантовая электроника, 10:4 (1983), 889–892
-
Механизм ступенчатой сенсибилизации лазерных 4F9/2→4I11/2 и 4F9/2→4I13/2-переходов иона Er3+ в кристалле BaYb2F8
Квантовая электроника, 9:8 (1982), 1614–1619
-
Лазерный переизлучатель на основе $BaYb_2F_8:Ho^{3+}$; трехмикронный канал генерации
Квантовая электроника, 7:9 (1980), 2019–2022
-
Лазерный конвертор на основе $BaYb_2F_8:Ho^{3+}$. Двухмикронный канал генерации
Квантовая электроника, 7:1 (1980), 197–199
© , 2024