Акимова Ирина Васильевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Амплитудно-фазовая модуляция и спектр излучения диодного лазера с вертикальным резонатором
   
   Квантовая электроника, 47:9 (2017),  835–841
2. Излучательные характеристики гребнёвых лазеров при больших токах накачки
   
   Квантовая электроника, 38:11 (2008),  993–1000
3. Качество оптического пучка мощного поперечно-одномодового AlGaAs-гетеролазера (λ=0.81 мкм) с гребнëвой конструкцией резонатора
   
   Квантовая электроника, 35:6 (2005),  515–519
4. Высокотемпературные свойства светодиодов на основе InGaN
   
   Квантовая электроника, 25:11 (1998),  1013–1016
5. Динамика оптического разрушения выходного зеркала гребневых полупроводниковых лазеров на основе напряженных квантоворазмерных гетероструктур
   
   Квантовая электроника, 25:7 (1998),  647–650
6. Излучение квантоворазмерных InGaAs-структур
   
   Квантовая электроника, 25:3 (1998),  206–210
7. Спонтанное излучение квантоворазмерной гетероструктуры GaN/InGaN/AlGaN при большом токе накачки
   
   Квантовая электроника, 23:12 (1996),  1069–1071
8. Гистерезис мощности и волноводная бистабильность вполосковых квантово-размерных гетеролазерах на основе InGaAs/GaAs/GaAlAs с напряженным активным слоем
   
   Квантовая электроника, 22:4 (1995),  309–320
9. Спектральные исследования излучения напряженных квантово-размерных гетероструктур на основе InGaAs/GaAlAs
   
   Квантовая электроника, 21:5 (1994),  405–408
10. Низкопороговые инжекционные лазеры на 1,3 мкм зарощенного типа с двухканальным боковым ограничением, изготовленные на подложках n-InP
    
    Квантовая электроника, 16:3 (1989),  457–462
11. Дефекты быстрой деградации на зеркальных гранях лазеров на основе InGaAsP/lnP в диапазоне 1,3 мкм
    
    Квантовая электроника, 14:1 (1987),  204–205
12. Кластеры Te$_{n}$-центры эффективной излучательной рекомбинации в ZnSe$_{1-x}$Te$_{x}$ (${x\leqslant0.2}$)
    
    Физика твердого тела, 27:6 (1985),  1734–1741
13. Влияние избыточного давления серы при выращивании кристаллов CdS на характеристики лазеров, возбуждаемых электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1307–1309
14. Улучшение характеристик полупроводниковых лазеров с продольной накачкой электронным пучком на основе монокристаллов ZnSe
    
    Квантовая электроника, 9:10 (1982),  2099–2102
15. Определение глубины нарушенного слоя в лазерных экранах, изготовленных из монокристаллов сульфида кадмия
    
    Квантовая электроника, 4:6 (1977),  1357–1359