Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Мощные линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур (Al)GaAs/AlGaAs/GaAs и GaAsP/GaInP/GaAs
Квантовая электроника, 53:8 (2023), 667–671
-
Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом
Квантовая электроника, 52:2 (2022), 179–181
-
Влияние легирования волновода на выходные характеристики лазерных излучателей на основе AlGaAs/GaAs
Квантовая электроника, 50:5 (2020), 489–492
-
Решетки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs / GaAs с КПД до 62%
Квантовая электроника, 47:8 (2017), 693–695
-
Линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с КПД до 70%
Квантовая электроника, 47:4 (2017), 291–293
-
Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs (λ = 808 нм) с повышенной температурной стабильностью
Квантовая электроника, 43:10 (2013), 895–897
© , 2024