RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Хагер Г Д

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Импульсный обертонный СО-лазер с КПД 16%

    Квантовая электроника, 36:12 (2006),  1153–1154
  2. Мощный сверхзвуковой СО-лазер на основных и обертонных переходах

    Квантовая электроника, 35:12 (2005),  1126–1130
  3. Импульсный электроионизационный разряд в кислородсодержащих газовых смесях: электрические характеристики, спектроскопия и выход синглетного кислорода

    Квантовая электроника, 34:9 (2004),  865–870
  4. Генерация молекулярного газового HCl-лазера в области λ = 4 мкм при оптическом возбуждении в третий колебательный обертон перестраиваемым лазером на центрах окраски

    Квантовая электроника, 33:3 (2003),  210–214
  5. Моделирование и оптимизация HCl-лазера с оптической накачкой

    Квантовая электроника, 33:3 (2003),  201–209
  6. Импульсный лазер на первом колебательном обертоне молекулы СО, действующий в спектральном диапазоне 2.5–4.2 мкм. 3. Коэффициент усиления и кинетические процессы на высоких колебательных уровнях

    Квантовая электроника, 32:5 (2002),  404–410
  7. Усиление и газодинамические параметры активной кислородно-иодной среды, формируемой эжекторным сопловым блоком

    Квантовая электроника, 31:8 (2001),  678–682
  8. Эффективный химический кислородно-иодный лазер с высоким полным давлением активной среды

    Квантовая электроника, 31:1 (2001),  30–34
  9. Импульсный лазер на первом колебательном обертоне молекулы СО, действующий в спектральном диапазоне 2.5 — 4.2 мкм. 2. Частотно-селективный режим

    Квантовая электроника, 30:10 (2000),  859–866
  10. Импульсный лазер на первом колебательном обертоне молекулы СО, действующий в спектральном диапазоне 2.5 — 4.2 мкм. 1. Многочастотный режим генерации

    Квантовая электроника, 30:9 (2000),  771–777

  11. Поправка к статье: Импульсный лазер на первом колебательном обертоне молекулы СО, действующий в спектральном диапазоне 2.5 – 4.2 мкм. 3. Коэффициент усиления и кинетические процессы на высоких колебательных уровнях

    Квантовая электроника, 32:8 (2002),  750


© МИАН, 2024