Миров С Б

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Импульсные Cr²⁺:ZnS- и Cr²⁺:ZnSe-лазеры среднего ИК диапазона с накачкой неодимовыми лазерами с модуляцией добротности и сдвигом частоты излучения с помощью ВКР
   
   Квантовая электроника, 34:1 (2004),  8–14
2. Модуляция добротности ИАГ:Nd-лазера с линейным трехзеркальным резонатором кристаллами LiF:$F_2^-$
   
   Квантовая электроника, 19:8 (1992),  772–773
3. Эффективные перестраиваемые лазеры на кристаллах LiF(F₂) с F₂- и F₂⁺-ЦO
   
   Квантовая электроника, 19:2 (1992),  145
4. Трехкаскадный усилитель одномодового излучения ИАГ: Nd-лазера с пассивным затвором на кристалле LiF:F₂^–
   
   Квантовая электроника, 18:7 (1991),  822–824
5. Модуляция добротности технологического ИАГ:Nd-лазера кристаллами LiF:F₂^–
   
   Квантовая электроника, 18:2 (1991),  223–225
6. Получение предельно высоких концентраций F₂-ЦО в кристаллах фторида лития с помощью лазерно-плазменного источника мягкого рентгеновского излучения
   
   Квантовая электроника, 16:8 (1989),  1646–1648
7. Непрерывный кольцевой LiF:F₂^–-лазер
   
   Квантовая электроника, 15:3 (1988),  499–500
8. Преобразование перестраиваемого излучения лазера на кристалле LiF с F₂^–-ЦО путем генерации ВКР в кристаллах Ba(NO₃)₂ и KGd(WO₄)₂
   
   Квантовая электроника, 14:12 (1987),  2452–2454
9. Генерирование и регистрация мощного плавноперестраиваемого излучения субпикосекундной длительности в лазере на кристалле фтористого лития с F₂^–-центрами окраски
   
   Квантовая электроника, 13:11 (1986),  2262–2266
10. Профилирование лазерного импульса с помощью насыщающихся фильтров
    
    Квантовая электроника, 13:8 (1986),  1718–1720
11. Перестраиваемый лазер на кристаллах LiF(F₂) с повышенным ресурсом работы
    
    Квантовая электроника, 13:2 (1986),  422–425
12. Двухпроходовый малогабаритный лазерный усилитель на кристалле ГСГГ:Cr³⁺, Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 13:2 (1986),  412–414
13. Лазер на центрах окраски в кристалле LiF с выходной энергией 100 Дж
    
    Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1125–1126
14. Об оптимизации параметров активных элементов в миниатюрных лазерах на концентрированном Li–Nd–La-фосфатном стекле
    
    Квантовая электроника, 11:8 (1984),  1671–1674
15. Генерационные характеристики лазеров на кристаллах LiF:$F_2^-$ при мощном возбуждении
    
    Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1919–1922
16. Импульсный АИГ : Nd³⁺-лазер с пассивным модулятором добротности на кристалле LiF с F₂^–-центрами
    
    Квантовая электроника, 10:3 (1983),  619–621
17. Эффективные перестраиваемые лазеры на основе кристаллов LiF:$F_2^-$
    
    Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1741–1743
18. Лазер на концентрированном Li–Nd–La-фосфатном стекле с пассивной модуляцией добротности
    
    Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1536–1542
19. Эффективные пассивные затворы неодимовых лазеров на основе кристаллов LiF:F₂^–
    
    Квантовая электроника, 9:4 (1982),  837–839
20. Перестраиваемый лазер на LiF : $F_2^+$-центpax окраски с голографическим селектором
    
    Квантовая электроника, 8:2 (1981),  419–421


21. Поправка к статье: Модуляция добротности ИАГ:Nd-лазера с линейным трехзеркальным резонатором кристаллами LiF:$F_2^-$
    
    Квантовая электроника, 19:12 (1992),  1248