Лобинцов Александр Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Металлодиэлектрические зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4–5 мкм
   
   Квантовая электроника, 53:8 (2023),  641–644
2. Диэлектрические высокоотражающие зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4 – 5 мкм
   
   Квантовая электроника, 53:5 (2023),  370–373
3. Полупроводниковые лазеры с улучшенными излучательными характеристиками
   
   Квантовая электроника, 52:12 (2022),  1079–1087
4. Тройной интегрированный лазер-тиристор
   
   Квантовая электроника, 50:11 (2020),  1001–1003
5. Квантовый каскадный лазер с оптическими переходами "связанное состояние – квазиконтинуум", работающий при температуре до 371 K
   
   Квантовая электроника, 50:8 (2020),  710–713
6. Влияние легирования волновода на выходные характеристики лазерных излучателей на основе AlGaAs/GaAs
   
   Квантовая электроника, 50:5 (2020),  489–492
7. Двойной интегрированный лазер-тиристор
   
   Квантовая электроника, 49:11 (2019),  1011–1013
8. Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером
   
   Квантовая электроника, 49:6 (2019),  519–521
9. Компактная решетка лазерных диодов на основе эпитаксиально интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs
   
   Квантовая электроника, 48:11 (2018),  993–995
10. Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaInAs/AlInAs с длиной волны излучения 5.6 мкм
    
    Квантовая электроника, 48:5 (2018),  472–475
11. Решетки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs / GaAs с КПД до 62%
    
    Квантовая электроника, 47:8 (2017),  693–695
12. Линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с КПД до 70%
    
    Квантовая электроника, 47:4 (2017),  291–293
13. Исследование надежности полупроводниковых излучателей с различной конструкцией резонаторов
    
    ЖТФ, 86:10 (2016),  83–88
14. Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaAs/Al_0.45Ga_0.55As, полученный методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Квантовая электроника, 46:5 (2016),  447–450
15. Исследование спектральных и мощностных характеристик суперлюминесцентных диодов
    
    Квантовая электроника, 34:1 (2004),  15–19
16. Влияние паразитных элементов мезаполоскового лазера на его амплитудно-частотную характеристику
    
    Квантовая электроника, 33:5 (2003),  425–429
17. 150-ваттные квазинепрерывные диодные линейки на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с длиной волны 808 нм и улучшенными тепловыми параметрами
    
    Квантовая электроника, 31:8 (2001),  659–660