Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Двухпроходные суперлюминесцентные диоды с пониженным энергопотреблением на основе многослойной квантоворазмерной (GaAl)As-гетероструктуры
Квантовая электроника, 34:3 (2004), 206–208
-
Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов
Квантовая электроника, 32:3 (2002), 216–218
-
Мощные полупроводниковые лазеры (λ = 0.89–1.06 мкм) на основе квантоворазмерных напряженных структур в системе InGaAs/(Al)GaAs с малой расходимостью излучения
Квантовая электроника, 32:3 (2002), 213–215
-
Поправка к статье: Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов
Квантовая электроника, 32:6 (2002), 564
© , 2024