Хребтов Артем Игоревич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Нелинейное просветление InAs нитевидных нанокристаллов в видимом диапазоне
   
   Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020),  128–133
2. Роль модельных представлений в описании кинетики люминесценции гибридных нитевидных нанокристаллов
   
   Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020),  122–127
3. Фотодинамика люминесценции гибридных наноструктур InP/InAsP/InP ННК, пассивированных слоем ТОРО-CdSe/ZnS КТ
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  952–957
4. Безызлучательный перенос энергии в гибридных наноструктурах с различной размерностью
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1289–1292
5. Фотодинамика нелинейных эффектов при воздействии пикосекундного лазерного излучения на коллоидные растворы квантовых точек CdSe/ZnS
   
   Оптика и спектроскопия, 125:5 (2018),  658–663
6. Влияние молекулярного веса поливинилпирролидона на структуру, спектральные и нелинейно-оптические свойства композиционных материалов, содержащих наночастицы CdS/ZnS
   
   Оптика и спектроскопия, 125:5 (2018),  608–614
7. Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1507–1511
8. Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1304–1307
9. Hybrid GaAs/AlGaAs nanowire – quantum dot system for single photon sources
   
   Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  469
10. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  5–9
11. Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 44:3 (2018),  55–61
12. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1587
13. Направленное излучение нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs, легированных бериллием
    
    Письма в ЖТФ, 43:17 (2017),  71–77
14. Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1644–1646
15. Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1441–1444
16. Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  674–678
17. Формирование покрытий на основе ZnO с использованием растворов, содержащих высокомолекулярный поливинилпирролидон
    
    Письма в ЖТФ, 42:9 (2016),  49–55
18. Ион-радикальный механизм оптического ограничения в фуллеренсодержащих растворах
    
    Квантовая электроника, 34:5 (2004),  407–411