Мурина Тамара Михайловна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Структурные перестройки в водной фазе клеточных суспензий и белковых растворов при светокислородном эффекте
   
   Квантовая электроника, 33:2 (2003),  149–162
2. Параметры переноса энергии возбуждения с уровня ⁴I_11/2 иона Еr³⁺ в кристаллах (Y_1-хЕr_х)₃Al₅O₁₂
   
   Квантовая электроника, 19:4 (1992),  376–378
3. ЭПР термически заселенных возбужденных состояний Er$^{3+}$ в гранатах
   
   Физика твердого тела, 33:3 (1991),  976–979
4. Особенности генерации лазера на основе кристалла Y₃Al₅O₁₂:Tm³⁺ (³F₄–³H₅) при селективном возбуждении
   
   Квантовая электроника, 18:9 (1991),  1034–1035
5. Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
   
   Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  264–270
6. Отжиг локальных дефектов в кристаллах YAG$-$Er$^{3+}$ импульсным лазерным излучением миллисекундной длительности
   
   Письма в ЖТФ, 16:16 (1990),  58–61
7. Импульсная фототермическая радиометрия поглощения излучения YAG:Er³⁺- и CO₂-лазеров биологическими тканями
   
   Квантовая электроника, 16:9 (1989),  1941–1943
8. Генерация перестраиваемых гигантских импульсов в Al₂O₃:Ti -лазерах
   
   Квантовая электроника, 16:9 (1989),  1853–1854
9. Широкополосная перестройка излучения Al₂O₃:Ti³⁺-лазера с помощью электрооптического фильтра
   
   Квантовая электроника, 16:9 (1989),  1823–1826
10. Математическое моделирование энергетических процессов в ИАГ:Ег³⁺-лазерах
    
    Квантовая электроника, 16:8 (1989),  1672–1677
11. Генерация на кристаллах Y₃Al₅O₁₂:Er³⁺ (λ = 2,94 мкм) при селективном возбуждении на нижний лазерный уровень
    
    Квантовая электроника, 16:6 (1989),  1138–1140
12. Влияние быстродиффундирующих примесей на малоугловое рассеяние света в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1308–1311
13. Влияние отжига на рассеяние света примесными скоплениями в полуизолирующих кристаллах InP : Fe и GaAs : Cr
    
    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1112–1114
14. Гигантские импульсы лазера на кристалле Al$_{2}$O$_{3}$ : Ti$^{3+}$
    
    Письма в ЖТФ, 14:4 (1988),  342–344
15. Особенности концентрационного тушения люминесценции с уровня ⁴S_3/2 иона Er³⁺ в кристалле (Y_1 – xEr_x)₃Al₂O₅
    
    Квантовая электроника, 15:9 (1988),  1800–1801
16. Импульсная лазерная калориметрия
    
    Квантовая электроника, 15:3 (1988),  644–646
17. Фотографическая регистрация излучения YAG:Er³⁺-лазера (λ = 2,94 мкм) на основе тепловой сенсибилизации фотоэмульсии
    
    Квантовая электроника, 15:1 (1988),  229–232
18. ЭПР центров эрбия в иттрий-алюминиевом гранате
    
    Физика твердого тела, 29:4 (1987),  1261–1264
19. Низкотемпературная релаксация рассеяния света в кремнии
    
    Физика твердого тела, 29:3 (1987),  728–733
20. Влияние температуры образца на рассеяние света примесными скоплениями в фосфиде индия
    
    Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2125–2129
21. Определение параметров точечных центров, образующих «слабые» примесные скопления в полупроводниковых материалах
    
    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1364–1368
22. Влияние $\gamma$-облучения на генерационные свойства кристаллов $Y_3\,Al_5\,O_{12}:Er^{3+}$
    
    Письма в ЖТФ, 13:22 (1987),  1398–1402
23. Перестраиваемый лазер на кристлле $Al_2\,O_3:Ti^{3+}$ с ламповой накачкой
    
    Письма в ЖТФ, 13:6 (1987),  369–371
24. Применение зондирующего излучения с двумя длинами волн для определения природы рассеивающих неоднородностей в полупроводниковых кристаллах
    
    Письма в ЖТФ, 12:3 (1986),  129–133
25. Кооперативные процессы в кристаллах Y₃Al₅O₁₂:Er³⁺
    
    Квантовая электроника, 13:2 (1986),  419–422
26. Температура образования кислородных облаков в германии
    
    Физика твердого тела, 27:5 (1985),  1331–1333
27. Взаимодействие золота с примесными облаками в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1902–1904
28. Электронно-колебательные спектры кристаллов иттрий-эрбий-алюминиевых гранатов и их роль для накачки лазера
    
    Физика твердого тела, 26:5 (1984),  1537–1540
29. Характер электрической активности центров, образующих примесные облака в германии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2222–2224
30. Температурная зависимость малоуглового рассеяния света кристаллами чистого кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  938–940
31. Кооперативные явления в кристаллах иттрий-эрбий-алюминиевого граната
    
    Квантовая электроника, 11:1 (1984),  189–192
32. Комбинационное рассеяние света в смешанных кристаллах гранатов (Y$_{1-x}$Er$_{x}$)$_{3}$Al$_{5}$O$_{12}$
    
    Физика твердого тела, 25:5 (1983),  1510–1512
33. Примесные облака и микродефекты в кремнии, выращенном методом Чохральского
    
    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2137–2142
34. Источники образования примесных облаков в германии
    
    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  683–685
35. Эффективный лазер кросс-релаксационного типа с λ = 2,94 мкм
    
    Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1871–1874
36. Стационарный режим генерации в лазере на Y₃Al₅O₁₂:Er³⁺ (λ =2,94 мкм, T=300°K)
    
    Квантовая электроника, 10:2 (1983),  452–454
37. Сечения фотоионизации из возбужденного состояния некоторых ртутеподобных ионов в щелочно-галоидных кристаллах
    
    Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1466–1469
38. Режимы гибридных устройств оптической бистабильности
    
    Квантовая электроника, 8:6 (1981),  1186–1192
39. Спектр генерации на самонасыщающихся переходах в высококонцентрированных средах
    
    Квантовая электроника, 8:2 (1981),  451–454
40. Гигантские импульсы лазерного излучения кристаллов иттрий-эрбий-алюминиевого граната
    
    Квантовая электроника, 7:9 (1980),  1959–1965
41. Механизм образования инверсной населенности между уровнями ${}^4I_{11/2}$ и ${}^4I_{13/2}$ иона $Er^{3+}$ в кристаллах $Y_3Al_5O_{12}$
    
    Квантовая электроника, 7:4 (1980),  749–753
42. Исследование стабильности периодической серии импульсов в твердотельных лазерах
    
    Квантовая электроника, 6:7 (1979),  1382–1388
43. Безызлучательные потери на переходе ⁴I_11/2–⁴I_13/2 иона Er³⁺ в кристаллах Y₃Al₅O₁₂, Gd₃Sc₂Al₃O₁₂, Y₃Ga₅O₁₂, Gd₃Ga₅O₁₂, CaF₂
    
    Квантовая электроника, 5:5 (1978),  1028–1033
44. Импульсный лазер на кристаллах Y₃Al₅O₁₂:Er³⁺ с высокой концентрацией активатора в частотном режиме
    
    Квантовая электроника, 5:1 (1978),  150–152
45. Сечение лазерного перехода ⁴I_11/2 – ⁴I_13/2 иона Er³⁺ в кристалле иттрий-эрбий-алюминиевого граната
    
    Квантовая электроника, 4:1 (1977),  198–201
46. Излучательные и безызлучательные переходы Er³⁺ в смешанных иттрий-эрбий-алюминиевых гранатах
    
    Квантовая электроника, 3:7 (1976),  1471–1477
47. Центры окраски в кристаллах иттрий-алюминиевого и иттрий-эрбий-алюминиевого гранатов
    
    Квантовая электроника, 3:3 (1976),  589–594
48. Индуцированное излучение ионов Er³⁺ в кристаллах иттрий-алюминиевого граната на длине волны 2,94 мкм
    
    Квантовая электроника, 1:8 (1974),  1867–1869
49. Концентрационная зависимость генерационных параметров лазера на кристаллах $\mathrm{CaF}_2:\mathrm{Dy}^{2+}$
    
    Докл. АН СССР, 208:6 (1973),  1318–1320
50. Временные характеристики лазера на кристаллах $\mathrm{CaF}_2:\mathrm{Dy}^{2+}$ в непрерывном режиме генерации
    
    Докл. АН СССР, 182:5 (1968),  1048–1051
51. Оптический генератор на $\mathrm{CaF}_2:\mathrm{Dy}^{2+}$, работающий в режиме повторяющихся гигантских импульсов при непрерывной подкачке
    
    Докл. АН СССР, 165:5 (1965),  1056–1058
52. Квантовый оптический генератор на $\mathrm{CaF}_2:\mathrm{Dy}^{2+}$
    
    Докл. АН СССР, 161:4 (1965),  806–809


53. Александр Михайлович Прохоров (к семидесятипятилетию со дня рождения)
    
    Квантовая электроника, 18:7 (1991),  895–896
54. Александр Иванович Барчуков (13.03.1920 г.–10.11.1980 г.) (к семидесятилетию со дня рождения)
    
    Квантовая электроника, 17:4 (1990),  528