Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Люминесценция пленок Cr4+:Ca2GeO4 в ближней ИК области спектра
Квантовая электроника, 30:3 (2000), 261–262
-
Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нмс широкими туннельно-связанными волноводами
Квантовая электроника, 26:3 (1999), 217–218
-
Полупроводниковые лазеры на длину волны 0.98 мкмс выходом излучения через подложку
Квантовая электроника, 25:7 (1998), 622–624
-
Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нм с туннельно-связанными волноводами
Квантовая электроника, 24:2 (1997), 123–126
-
Одномодовый режим генерации инжекционных лазеров с трапециевидной активной областью
Квантовая электроника, 23:8 (1996), 701–703
-
Лазеры с длиной волны излучения 0.98 мкм на основе гетероструктур InGaP/GaAs/InGaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
Квантовая электроника, 21:10 (1994), 921–924
© , 2024