RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Оськин В В
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Мощные полупроводниковые лазеры (
λ
= 0.89–1.06 мкм) на основе квантоворазмерных напряженных структур в системе InGaAs/(Al)GaAs с малой расходимостью излучения
Квантовая электроника
,
32
:3 (2002),
213–215
©
МИАН
, 2024